一种用于半导体及触控面板领域的厚铜蚀刻液

    公开(公告)号:CN116103652A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202211436253.4

    申请日:2022-11-16

    IPC分类号: C23F1/18 C23F1/30 C23F1/44

    摘要: 本发明涉及蚀刻液技术领域,公开一种用于半导体及触控面板领域的厚铜蚀刻液,包括按质量百分比计的以下组分:4‑10%N‑甲基甲酰胺;4‑10%双氧水;4‑10%磷酸三钠;0.1‑0.5%EDTA;0.5‑3%丙酸;0.1‑0.5%添加剂;0.05‑0.2%表面活性剂;余量为纯水。本发明通过在配方中添加了添加剂和表面活性剂,有效控制厚铜中铜与钼的蚀刻速率,使铜的蚀刻与钼的蚀刻速度相当,可以有效改善倒切及钼残留。本发明厚铜蚀刻液配方中添加了双氧水稳定剂和补充剂,有效控制双氧水的分解,能够维持溶液性能稳定,延长溶液的使用寿命,进而为客户节约了成本。同时具有蚀刻速度快,效率高,可循环使用,无废液排放。

    银蚀刻液及其制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116288354A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310186640.5

    申请日:2023-03-01

    IPC分类号: C23F1/30

    摘要: 本发明涉及蚀刻液技术领域,公开一种银蚀刻液,包括按质量百分比计的以下组分:30‑50%磷酸;5‑20%柠檬酸;5‑20%硝酸;5‑20%硝酸钾;5‑20%丙酸;0.05‑2%EDTA;0.05‑2%十二烷基苯磺酸纳;余量为纯水。本发明的银蚀刻液用丙酸代替冰醋酸,降低药水的味道,同时促进银的蚀刻,有效改善蚀刻液距离和角度。本发明的银蚀刻液蚀刻速率均匀,几乎没有银析出,不与截面发生反应,廉价经济。

    抗腐蚀改性PI膜剥离液及其制备方法

    公开(公告)号:CN117369226A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311256870.0

    申请日:2023-09-27

    IPC分类号: G03F7/42

    摘要: 本发明涉及剥离液技术领域,公开一种抗腐蚀改性PI膜剥离液及其制备方法。本发明PI膜剥离液包括按质量百分比计的以下组分:N‑甲基吡咯烷酮5‑10%,N,N‑二甲基甲酰胺5‑10%,二乙二醇丁醚30‑50%,一乙醇胺5‑10%,氢氧化钾0.1‑0.5%,金属保护剂1‑2%,添加剂0.5‑1%,余量为纯水。本发明的PI膜剥离液成分稳定,剥膜快速稳定,无残留,对金属层、PI层无腐蚀,操作简便,适应多种设备,工艺宽容度大,不含氟化物,生物可降解,水溶性好,产品直接水洗,综合效益高,能实现进口替代。

    一种可兼容多规格金属膜厚的钼铝蚀刻液及其制备方法

    公开(公告)号:CN117344308A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311254093.6

    申请日:2023-09-27

    IPC分类号: C23F1/26 C23F1/20

    摘要: 本发明涉及一种可兼容多规格金属膜厚的钼铝蚀刻液及其制备方法,蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括无机酸磷酸65~69%、硝酸2~4%、醋酸8~10%、硝酸钾4~5%、醋酸钠0.5~3%、添加剂0.5~3%、表面活性剂0.05%‑0.2%,其中表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠、硬脂酸、甘胆酸钠、二辛基琥珀酸磺酸钠中的一种或多种组合;各组分重量百分数之和为100%;解决目前市场上的钼铝蚀刻液都是针对单一规格的膜层,兼容性不好,且蚀刻速度慢、蚀刻后角度不稳定、CDloss大、有毛边的问题。

    一种钛铝钛蚀刻液及其制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116103653A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202211435518.9

    申请日:2022-11-16

    IPC分类号: C23F1/20 C23F1/26 C23F1/44

    摘要: 本发明涉及蚀刻液技术领域,公开一种钛铝钛蚀刻液,包括按质量百分比计的以下组分:0.5‑4.0%氟化铵;2‑10%双氧水;0.5‑4.0%高氯酸;1‑5%硝酸;0.05‑0.2%十二烷基苯磺酸纳;余量为纯水。本发明的钛铝钛蚀刻液在蚀刻钛铝钛金属层时,能够有效控制钛和铝的蚀刻速率,蚀刻线路均匀、无残留、无底切、无侧切,填补了市场上的空白,在半导体晶片蚀刻等领域具有良好的应用前景。