-
公开(公告)号:CN117131792A
公开(公告)日:2023-11-28
申请号:CN202311405337.6
申请日:2023-10-27
申请人: 苏州博洋化学股份有限公司
IPC分类号: G06F30/27 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/08 , C23F1/26
摘要: 本发明涉及蚀刻液技术领域,公开一种钛蚀刻液及其制备方法,通过Transformer模型快速高效地预测钛蚀刻液配方。通过训练Transformer模型,在Transformer中输入新图像,从而生成满足要求的钛蚀刻液配方。相比经验试验法,该方法大幅减少试错次数,缩短研发周期,获得稳定高效的钛蚀刻液配方。
-
公开(公告)号:CN116103652A
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202211436253.4
申请日:2022-11-16
申请人: 苏州博洋化学股份有限公司
摘要: 本发明涉及蚀刻液技术领域,公开一种用于半导体及触控面板领域的厚铜蚀刻液,包括按质量百分比计的以下组分:4‑10%N‑甲基甲酰胺;4‑10%双氧水;4‑10%磷酸三钠;0.1‑0.5%EDTA;0.5‑3%丙酸;0.1‑0.5%添加剂;0.05‑0.2%表面活性剂;余量为纯水。本发明通过在配方中添加了添加剂和表面活性剂,有效控制厚铜中铜与钼的蚀刻速率,使铜的蚀刻与钼的蚀刻速度相当,可以有效改善倒切及钼残留。本发明厚铜蚀刻液配方中添加了双氧水稳定剂和补充剂,有效控制双氧水的分解,能够维持溶液性能稳定,延长溶液的使用寿命,进而为客户节约了成本。同时具有蚀刻速度快,效率高,可循环使用,无废液排放。
-
公开(公告)号:CN117131792B
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202311405337.6
申请日:2023-10-27
申请人: 苏州博洋化学股份有限公司
IPC分类号: G06F30/27 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/08 , C23F1/26
摘要: 本发明涉及蚀刻液技术领域,公开一种钛蚀刻液及其制备方法,通过Transformer模型快速高效地预测钛蚀刻液配方。通过训练Transformer模型,在Transformer中输入新图像,从而生成满足要求的钛蚀刻液配方。相比经验试验法,该方法大幅减少试错次数,缩短研发周期,获得稳定高效的钛蚀刻液配方。
-
公开(公告)号:CN116288354A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310186640.5
申请日:2023-03-01
申请人: 苏州博洋化学股份有限公司
IPC分类号: C23F1/30
摘要: 本发明涉及蚀刻液技术领域,公开一种银蚀刻液,包括按质量百分比计的以下组分:30‑50%磷酸;5‑20%柠檬酸;5‑20%硝酸;5‑20%硝酸钾;5‑20%丙酸;0.05‑2%EDTA;0.05‑2%十二烷基苯磺酸纳;余量为纯水。本发明的银蚀刻液用丙酸代替冰醋酸,降低药水的味道,同时促进银的蚀刻,有效改善蚀刻液距离和角度。本发明的银蚀刻液蚀刻速率均匀,几乎没有银析出,不与截面发生反应,廉价经济。
-
公开(公告)号:CN117079756B
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202311333747.4
申请日:2023-10-16
申请人: 苏州博洋化学股份有限公司
IPC分类号: G16C60/00 , C23F1/30 , G16C20/20 , G16C20/70 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06F40/284 , G06V20/69
摘要: 本文提出了一种银蚀刻液及其制备方法通过CNN来发现优化的银蚀刻液配方的方法。首先,通过收集已有的银蚀刻液配方和对应的扫描电子显微镜图像,获取了各成分的化学名称和含量,进行CNN模型训练。训练完成后,该模型能够预测银析出量较少的银蚀刻液配方,该配方具体包括磷酸、柠檬酸、硝酸、硝酸钾、丙酸、EDTA、十二烷基苯磺酸纳和氯化铵等多种组分的优选比例,根据预测结果进行实验验证和优选,高效快速得到满足银析出量较少的银蚀刻液。
-
公开(公告)号:CN117369226A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202311256870.0
申请日:2023-09-27
申请人: 苏州博洋化学股份有限公司
IPC分类号: G03F7/42
摘要: 本发明涉及剥离液技术领域,公开一种抗腐蚀改性PI膜剥离液及其制备方法。本发明PI膜剥离液包括按质量百分比计的以下组分:N‑甲基吡咯烷酮5‑10%,N,N‑二甲基甲酰胺5‑10%,二乙二醇丁醚30‑50%,一乙醇胺5‑10%,氢氧化钾0.1‑0.5%,金属保护剂1‑2%,添加剂0.5‑1%,余量为纯水。本发明的PI膜剥离液成分稳定,剥膜快速稳定,无残留,对金属层、PI层无腐蚀,操作简便,适应多种设备,工艺宽容度大,不含氟化物,生物可降解,水溶性好,产品直接水洗,综合效益高,能实现进口替代。
-
公开(公告)号:CN117344308A
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202311254093.6
申请日:2023-09-27
申请人: 苏州博洋化学股份有限公司
摘要: 本发明涉及一种可兼容多规格金属膜厚的钼铝蚀刻液及其制备方法,蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括无机酸磷酸65~69%、硝酸2~4%、醋酸8~10%、硝酸钾4~5%、醋酸钠0.5~3%、添加剂0.5~3%、表面活性剂0.05%‑0.2%,其中表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠、硬脂酸、甘胆酸钠、二辛基琥珀酸磺酸钠中的一种或多种组合;各组分重量百分数之和为100%;解决目前市场上的钼铝蚀刻液都是针对单一规格的膜层,兼容性不好,且蚀刻速度慢、蚀刻后角度不稳定、CDloss大、有毛边的问题。
-
公开(公告)号:CN117079756A
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202311333747.4
申请日:2023-10-16
申请人: 苏州博洋化学股份有限公司
IPC分类号: G16C60/00 , C23F1/30 , G16C20/20 , G16C20/70 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06F40/284 , G06V20/69
摘要: 本文提出了一种银蚀刻液及其制备方法通过CNN来发现优化的银蚀刻液配方的方法。首先,通过收集已有的银蚀刻液配方和对应的扫描电子显微镜图像,获取了各成分的化学名称和含量,进行CNN模型训练。训练完成后,该模型能够预测银析出量较少的银蚀刻液配方,该配方具体包括磷酸、柠檬酸、硝酸、硝酸钾、丙酸、EDTA、十二烷基苯磺酸纳和氯化铵等多种组分的优选比例,根据预测结果进行实验验证和优选,高效快速得到满足银析出量较少的银蚀刻液。
-
公开(公告)号:CN116103653A
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202211435518.9
申请日:2022-11-16
申请人: 苏州博洋化学股份有限公司
摘要: 本发明涉及蚀刻液技术领域,公开一种钛铝钛蚀刻液,包括按质量百分比计的以下组分:0.5‑4.0%氟化铵;2‑10%双氧水;0.5‑4.0%高氯酸;1‑5%硝酸;0.05‑0.2%十二烷基苯磺酸纳;余量为纯水。本发明的钛铝钛蚀刻液在蚀刻钛铝钛金属层时,能够有效控制钛和铝的蚀刻速率,蚀刻线路均匀、无残留、无底切、无侧切,填补了市场上的空白,在半导体晶片蚀刻等领域具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号:CN117854615B
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202410257897.X
申请日:2024-03-07
申请人: 苏州博洋化学股份有限公司
IPC分类号: G16C20/10 , C23F1/18 , G16C20/70 , G06T7/00 , G06N3/0455 , G06N3/0442 , G06N3/048 , G06N3/0464 , G06N3/08
摘要: 本发明蚀刻液的配方发现方法,特别是一种显示面板用铜蚀刻液配方及其研制方法,通过模型读取成分属性信息和SEM图像的信息,综合了蚀刻速率,选择性和均匀性三个方面的目标来达到高效研发显示面板铜蚀刻液配方的目的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-