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公开(公告)号：CN117647662B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410122000.2
申请日：2024-01-30
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开了一种加速度传感器结构与加速度传感器，其中加速度传感器结构包括：活动质量块上设有沿其厚度方向贯穿的容置槽；容置槽内设有锚点和两组惯性单元；针对一惯性单元，惯性单元包括至少一对180°旋转对称的惯性组件；惯性组件包括感测结构、弹性梁以及耦合梁；感测结构通过弹性梁与锚点连接，感测结构关于感测轴方向的一侧设有弹性方向与感测轴方向垂直的耦合梁；耦合梁连接活动质量块和感测结构；感测结构包括至少一个用于响应感测轴方向上的加速度的电容；两组惯性单元的彼此的感测轴方向相互垂直。本发明避免非感测轴方向的干扰模态影响活动质量块使其发生面内的扭转，提高测量结果的准确性和产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN117509529B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311828595.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: B81B5/00 , B81B7/02 , G01P15/125
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公开(公告)号：CN117509529A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311828595.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: B81B5/00 , B81B7/02 , G01P15/125
Abstract: 本发明的实施例公开了一种惯性传感器结构与惯性传感器，其中惯性传感器结构包括：衬底；器件结构，其设置在衬底的一侧，器件结构包括第一可动质量块、第二可动质量块；第一可动质量块和第二可动质量块关于一中心点180°旋转对称；一对限位梁，第一可动质量块和第二可动质量块的几何中心确定第一直线，一对限位梁分别设置在第一可动质量块和第二可动质量块关于第一直线的两侧，限位梁对子梁分别与一可动质量块中质量较大的质量单元以及另一可动质量块中质量较小的质量单元连接。根据本发明，限位梁使两个可动质量块翻转运动同频，并对可动质量块起到限位作用以避免器件结构与其它结构粘连失效，提高产品的精确性和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117647662A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202410122000.2
申请日：2024-01-30
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开了一种加速度传感器结构与加速度传感器，其中加速度传感器结构包括：活动质量块上设有沿其厚度方向贯穿的容置槽；容置槽内设有锚点和两组惯性单元；针对一惯性单元，惯性单元包括至少一对180°旋转对称的惯性组件；惯性组件包括感测结构、弹性梁以及耦合梁；感测结构通过弹性梁与锚点连接，感测结构关于感测轴方向的一侧设有弹性方向与感测轴方向垂直的耦合梁；耦合梁连接活动质量块和感测结构；感测结构包括至少一个用于响应感测轴方向上的加速度的电容；两组惯性单元的彼此的感测轴方向相互垂直。本发明避免非感测轴方向的干扰模态影响活动质量块使其发生面内的扭转，提高测量结果的准确性和产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN117192155B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311442881.8
申请日：2023-11-02
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/18
Abstract: 本申请提供一种单质量三轴MEMS加速度传感器和电子设备；该单质量三轴MEMS加速度传感器包括：位于活动层的活动质量结构和边框；活动质量结构包括第一可动梁、第二可动梁及锚点；锚点用于固定第一可动梁和第二可动梁；第一可动梁和所述第二可动梁之间通过连接部连接，连接部的刚度大于所述第一可动梁的刚度，和/或，连接部的刚度大于第二可动梁的刚度；本申请通过连接部将第一可动梁和所述第二可动梁连接，可以减小活动质量结构在向第一方向运动时第二可动梁的变形，同时也可以减小活动质量结构在向第二方向运动时第一可动梁的变形，从而减小了第一可动梁和第二可动梁的交互影响，增强产品可靠性，减小了扭摆位移量。
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公开(公告)号：CN117192155A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311442881.8
申请日：2023-11-02
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/18
Abstract: 本申请提供一种单质量三轴MEMS加速度传感器和电子设备；该单质量三轴MEMS加速度传感器包括：位于活动层的活动质量结构和边框；活动质量结构包括第一可动梁、第二可动梁及锚点；锚点用于固定第一可动梁和第二可动梁；第一可动梁和所述第二可动梁之间通过连接部连接，连接部的刚度大于所述第一可动梁的刚度，和/或，连接部的刚度大于第二可动梁的刚度；本申请通过连接部将第一可动梁和所述第二可动梁连接，可以减小活动质量结构在向第一方向运动时第二可动梁的变形，同时也可以减小活动质量结构在向第二方向运动时第一可动梁的变形，从而减小了第一可动梁和第二可动梁的交互影响，增强产品可靠性，减小了扭摆位移量。
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公开(公告)号：CN222159754U
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202323549747.6
申请日：2023-12-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种芯片封装结构，包括相对设置的衬底基板和MEMS芯片；其中，MEMS芯片靠近衬底基板的表面设置有第一金属体；衬底基板靠近MEMS芯片的表面设置有用于键合的键合区域和用于切割的切割道区域，其中，切割道区域环绕键合区域设置，在键合区域上设置有第二金属体，第一金属体与第二金属体相键合；在衬底基板上设置有引流结构，引流结构跨接于键合区域和切割道区域，且所述引流结构为金属材质，以将键合区域内多余的金属液体导出。本实用新型提供的芯片封装结构通过引流结构将键合区域内多余的金属液体引流至切割道区域，从而克服了金属键合过程中熔融金属溢流到芯片内部功能区的风险，提升了键合质量，并提高了MEMS芯片良率。
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公开(公告)号：CN219174214U
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202320345526.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种封装结构、MEMS器件以及终端设备，所述封装结构包括至少一个悬臂梁、通过所述悬臂梁连接的第一区域和第二区域以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的镂空部，所述第一区域设有支撑框架，所述第二区域在厚度方向上设有应力隔离结构和MEMS芯片，所述应力隔离结构的内部设有第一空腔，所述第一空腔用于填充柔性材料且位于所述MEMS芯片的正下方。本实用新型通过填充有柔性材料的第一空腔可以吸收封装工艺中传递到MEMS芯片的机械应力和热应力，能够有效隔离贴片应力或焊接应力影响，同时起到高过载冲击缓冲作用，从而提高MEMS器件的测量精度。
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