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公开(公告)号：CN117647662B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410122000.2
申请日：2024-01-30
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开了一种加速度传感器结构与加速度传感器，其中加速度传感器结构包括：活动质量块上设有沿其厚度方向贯穿的容置槽；容置槽内设有锚点和两组惯性单元；针对一惯性单元，惯性单元包括至少一对180°旋转对称的惯性组件；惯性组件包括感测结构、弹性梁以及耦合梁；感测结构通过弹性梁与锚点连接，感测结构关于感测轴方向的一侧设有弹性方向与感测轴方向垂直的耦合梁；耦合梁连接活动质量块和感测结构；感测结构包括至少一个用于响应感测轴方向上的加速度的电容；两组惯性单元的彼此的感测轴方向相互垂直。本发明避免非感测轴方向的干扰模态影响活动质量块使其发生面内的扭转，提高测量结果的准确性和产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN118425559B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410888184.3
申请日：2024-07-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P1/00
Abstract: 本申请的实施例公开了一种加速度传感器结构及其制造方法、加速度传感器，其中加速度传感器结构包括：衬底层；结构层，其设置在衬底层的一侧，结构层包括支撑框架部和活动质量块，所示支撑框架部与活动质量块相分离；支撑结构，其支撑连接支撑框架部和衬底层，支撑框架部包括依次层叠的支撑牺牲部、支撑保护部和支撑绝缘部；在衬底层的厚度方向上，支撑绝缘部以及支撑保护部的正投影均与活动质量块的正投影相交叠。根据本申请，其在支撑结构中增加了支撑保护部，以扩大导电层对支撑绝缘部的保护面积，减少了绝缘层在释放工艺中被释放的面积，进而避免了用以支撑连接电极的绝缘层被过渡刻蚀而影响电极的固定效果，提高产品的稳定性。
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公开(公告)号：CN117509529A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311828595.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: B81B5/00 , B81B7/02 , G01P15/125
Abstract: 本发明的实施例公开了一种惯性传感器结构与惯性传感器，其中惯性传感器结构包括：衬底；器件结构，其设置在衬底的一侧，器件结构包括第一可动质量块、第二可动质量块；第一可动质量块和第二可动质量块关于一中心点180°旋转对称；一对限位梁，第一可动质量块和第二可动质量块的几何中心确定第一直线，一对限位梁分别设置在第一可动质量块和第二可动质量块关于第一直线的两侧，限位梁对子梁分别与一可动质量块中质量较大的质量单元以及另一可动质量块中质量较小的质量单元连接。根据本发明，限位梁使两个可动质量块翻转运动同频，并对可动质量块起到限位作用以避免器件结构与其它结构粘连失效，提高产品的精确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN118425559A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410888184.3
申请日：2024-07-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P1/00
Abstract: 本申请的实施例公开了一种加速度传感器结构及其制造方法、加速度传感器，其中加速度传感器结构包括：衬底层；结构层，其设置在衬底层的一侧，结构层包括支撑框架部和活动质量块，所示支撑框架部与活动质量块相分离；支撑结构，其支撑连接支撑框架部和衬底层，支撑框架部包括依次层叠的支撑牺牲部、支撑保护部和支撑绝缘部；在衬底层的厚度方向上，支撑绝缘部以及支撑保护部的正投影均与活动质量块的正投影相交叠。根据本申请，其在支撑结构中增加了支撑保护部，以扩大导电层对支撑绝缘部的保护面积，减少了绝缘层在释放工艺中被释放的面积，进而避免了用以支撑连接电极的绝缘层被过渡刻蚀而影响电极的固定效果，提高产品的稳定性。
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公开(公告)号：CN117509534B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410008674.X
申请日：2024-01-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明提供的一种MEMS芯片封装结构及制作方法，该方法包括提供第一基板和第二基板，第一基板具有第一金属体和器件结构，第二基板具有可供器件结构活动的空腔；在第二基板具有空腔的表面形成介质层，在介质层上形成至少一个环绕空腔的凹槽；在介质层的表面形成保形覆盖凹槽底部和侧壁的第二金属体，以及覆盖介质层的至少部分表面的第三金属体，第三金属体位于凹槽的外侧；将第一基板和第二基板通过第一金属体和第三金属体相键合。本发明通过在键合部位单侧的介质层开设凹槽的方式，在键合时通过第二金属体的引流作用引导多余的液相合金堆积在凹槽中，避免液相合金向芯片功能区溢流，增强芯片的键合质量及可靠性，提高了MEMS芯片生产制造的合格率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117509529B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311828595.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: B81B5/00 , B81B7/02 , G01P15/125
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公开(公告)号：CN117509534A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202410008674.X
申请日：2024-01-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供的一种MEMS芯片封装结构及制作方法，该方法包括提供第一基板和第二基板，第一基板具有第一金属体和器件结构，第二基板具有可供器件结构活动的空腔；在第二基板具有空腔的表面形成介质层，在介质层上形成至少一个环绕空腔的凹槽；在介质层的表面形成保形覆盖凹槽底部和侧壁的第二金属体，以及覆盖介质层的至少部分表面的第三金属体，第三金属体位于凹槽的外侧；将第一基板和第二基板通过第一金属体和第三金属体相键合。本发明通过在键合部位单侧的介质层开设凹槽的方式，在键合时通过第二金属体的引流作用引导多余的液相合金堆积在凹槽中，避免液相合金向芯片功能区溢流，增强芯片的键合质量及可靠性，提高了MEMS芯片生产制造的合格率。
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公开(公告)号：CN117647662A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202410122000.2
申请日：2024-01-30
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开了一种加速度传感器结构与加速度传感器，其中加速度传感器结构包括：活动质量块上设有沿其厚度方向贯穿的容置槽；容置槽内设有锚点和两组惯性单元；针对一惯性单元，惯性单元包括至少一对180°旋转对称的惯性组件；惯性组件包括感测结构、弹性梁以及耦合梁；感测结构通过弹性梁与锚点连接，感测结构关于感测轴方向的一侧设有弹性方向与感测轴方向垂直的耦合梁；耦合梁连接活动质量块和感测结构；感测结构包括至少一个用于响应感测轴方向上的加速度的电容；两组惯性单元的彼此的感测轴方向相互垂直。本发明避免非感测轴方向的干扰模态影响活动质量块使其发生面内的扭转，提高测量结果的准确性和产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN117192155B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311442881.8
申请日：2023-11-02
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/18
Abstract: 本申请提供一种单质量三轴MEMS加速度传感器和电子设备；该单质量三轴MEMS加速度传感器包括：位于活动层的活动质量结构和边框；活动质量结构包括第一可动梁、第二可动梁及锚点；锚点用于固定第一可动梁和第二可动梁；第一可动梁和所述第二可动梁之间通过连接部连接，连接部的刚度大于所述第一可动梁的刚度，和/或，连接部的刚度大于第二可动梁的刚度；本申请通过连接部将第一可动梁和所述第二可动梁连接，可以减小活动质量结构在向第一方向运动时第二可动梁的变形，同时也可以减小活动质量结构在向第二方向运动时第一可动梁的变形，从而减小了第一可动梁和第二可动梁的交互影响，增强产品可靠性，减小了扭摆位移量。
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公开(公告)号：CN117192155A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311442881.8
申请日：2023-11-02
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/18
Abstract: 本申请提供一种单质量三轴MEMS加速度传感器和电子设备；该单质量三轴MEMS加速度传感器包括：位于活动层的活动质量结构和边框；活动质量结构包括第一可动梁、第二可动梁及锚点；锚点用于固定第一可动梁和第二可动梁；第一可动梁和所述第二可动梁之间通过连接部连接，连接部的刚度大于所述第一可动梁的刚度，和/或，连接部的刚度大于第二可动梁的刚度；本申请通过连接部将第一可动梁和所述第二可动梁连接，可以减小活动质量结构在向第一方向运动时第二可动梁的变形，同时也可以减小活动质量结构在向第二方向运动时第一可动梁的变形，从而减小了第一可动梁和第二可动梁的交互影响，增强产品可靠性，减小了扭摆位移量。
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