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公开(公告)号：CN113666329B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111014721.4
申请日：2021-08-31
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种传感器结构及其制备方法、电子设备，该传感器结构包括：硅基底；设置在硅基底一侧的膜层结构，其中，硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔，硅基底包括第一部分和第二部分，第一部分与空腔相邻，第一部分远离膜层结构的表面与第二部分远离膜层结构的表面不在同一水平面上，且第一部分的厚度小于第二部分的厚度，以形成连通空腔与传感器结构之外的环境的通道。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率。
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公开(公告)号：CN113666329A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111014721.4
申请日：2021-08-31
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种传感器结构及其制备方法、电子设备，该传感器结构包括：硅基底；设置在硅基底一侧的膜层结构，其中，硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔，硅基底包括第一部分和第二部分，第一部分与空腔相邻，第一部分远离膜层结构的表面与第二部分远离膜层结构的表面不在同一水平面上，且第一部分的厚度小于第二部分的厚度，以形成连通空腔与传感器结构之外的环境的通道。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率。
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公开(公告)号：CN113666328B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111014713.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种传感器结构及其制备方法、电子设备，该传感器结构包括：硅基底；设置在硅基底一侧的膜层结构，其中，硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔；封装基板，封装基板设置在硅基底远离膜层结构的一侧；连接层，设置在硅基底与封装基板之间，连接层中形成有第一空隙，第一空隙用于连通空腔与传感器结构之外的环境。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率以及降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113666328A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111014713.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种传感器结构及其制备方法、电子设备，该传感器结构包括：硅基底；设置在硅基底一侧的膜层结构，其中，硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔；封装基板，封装基板设置在硅基底远离膜层结构的一侧；连接层，设置在硅基底与封装基板之间，连接层中形成有第一空隙，第一空隙用于连通空腔与传感器结构之外的环境。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率以及降低成本。
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公开(公告)号：CN113624303A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110845124.X
申请日：2021-07-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01F25/00
Abstract: 本申请提供了一种流量传感器检定系统，解决了现有技术中的单一流量控制器无法实现宽量程比的待测流量计以及单一检测系统无法实现不同类型气体流量计的检定的问题。流量传感器检定系统包括管道回路，以及设置于管道回路中的标准组件；标准组件包括选通组件和与选通组件连接的多个标准流量计，选通组件用于选择多个标准流量计之一与管道回路连通，多个标准流量计的量程不同。
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公开(公告)号：CN215726268U
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202121709491.9
申请日：2021-07-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01F25/00
Abstract: 本申请提供了一种流量传感器检定系统，解决了现有技术中的单一流量控制器无法实现宽量程比的待测流量计以及单一检测系统无法实现不同类型气体流量计的检定的问题。流量传感器检定系统包括管道回路，以及设置于管道回路中的标准组件；标准组件包括选通组件和与选通组件连接的多个标准流量计，选通组件用于选择多个标准流量计之一与管道回路连通，多个标准流量计的量程不同。
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公开(公告)号：CN216038651U
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202122086230.2
申请日：2021-08-31
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种传感器结构及电子设备，该传感器结构包括：硅基底；设置在硅基底一侧的膜层结构，其中，硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔；封装基板，封装基板设置在硅基底远离膜层结构的一侧；连接层，设置在硅基底与封装基板之间，连接层中形成有第一空隙，第一空隙用于连通空腔与传感器结构之外的环境。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率以及降低成本。
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公开(公告)号：CN215924390U
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202122087845.7
申请日：2021-08-31
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种传感器结构及电子设备，该传感器结构包括：硅基底；设置在硅基底一侧的膜层结构，其中，硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔，硅基底包括第一部分和第二部分，第一部分与空腔相邻，第一部分远离膜层结构的表面与第二部分远离膜层结构的表面不在同一水平面上，且第一部分的厚度小于第二部分的厚度，以形成连通空腔与传感器结构之外的环境的通道。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率。
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