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公开(公告)号：CN114608666A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210495867.3
申请日：2022-05-09
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Inventor： 肖素艳
Abstract: 本发明提供了一种流量传感器封装结构及封装方法，其中封装结构包括：流量传感器、基板以及流道盖板，基板与流量传感器固定连接，流道盖板与基板固定连接，其中，流量传感器嵌入到通孔内，并且流量传感器的感测表面与流道盖板远离基板的一侧表面平齐。在本发明所提供技术方案中，由于流量传感器的感测表面与流道盖板远离基板的一侧表面平齐，在流量传感器的感测表面附近，流体的流动是平稳的，从而避免由于流量传感器的感测表面附近流体波动所导致的流量传感器的测量精度、稳定性及量程比降低的情况。
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公开(公告)号：CN111579012A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010362061.8
申请日：2020-04-30
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种MEMS热式流量传感器及其制作方法，所述制作方法包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面及第二表面；在所述半导体衬底的第一表面上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成图案化的热敏电阻层；形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述热敏电阻层及所述第一介质层，所述第二介质层与所述第一介质层的厚度相同，且所述第二介质层与所述第一介质层形成方法及材料均相同；在所述第二介质层上形成保护层；去除部分保护层及第二介质层，暴露出所述热敏电阻层的焊盘；在所述焊盘上形成导电连接件；自所述半导体衬底的第二表面开窗，形成热隔离腔。本发明优点是工艺简单、成本低、可靠性高。
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公开(公告)号：CN113666329B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111014721.4
申请日：2021-08-31
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种传感器结构及其制备方法、电子设备，该传感器结构包括：硅基底；设置在硅基底一侧的膜层结构，其中，硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔，硅基底包括第一部分和第二部分，第一部分与空腔相邻，第一部分远离膜层结构的表面与第二部分远离膜层结构的表面不在同一水平面上，且第一部分的厚度小于第二部分的厚度，以形成连通空腔与传感器结构之外的环境的通道。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率。
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公开(公告)号：CN115752610A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211427848.3
申请日：2022-11-15
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Inventor： 肖素艳
IPC: G01F1/692
Abstract: 本发明涉及一种热式流量传感器结构，结构包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；薄膜，设置在衬底的第一表面上，薄膜包括第一介质层，设置在衬底的第一表面上，第一介质层具有有效压应力；第二介质层，设置在第一介质层远离衬底的一侧表面上，第二介质层具有第一有效拉应力；第三介质层，设置在第二介质层远离第一介质层的一侧表面上；热敏电阻，设置在第三介质层远离第二介质层的一侧表面上；第四介质层，设置在第三介质层远离第二介质层的一侧上并且包覆热敏电阻；其中，第二介质层的第一有效拉应力的绝对值大于第一介质层的有效压应力的绝对值，不同介质层之间具有一定的相互作用力，从而尽量阻止热敏电阻与介质层之间的剥离。
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公开(公告)号：CN113666329A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111014721.4
申请日：2021-08-31
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种传感器结构及其制备方法、电子设备，该传感器结构包括：硅基底；设置在硅基底一侧的膜层结构，其中，硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔，硅基底包括第一部分和第二部分，第一部分与空腔相邻，第一部分远离膜层结构的表面与第二部分远离膜层结构的表面不在同一水平面上，且第一部分的厚度小于第二部分的厚度，以形成连通空腔与传感器结构之外的环境的通道。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111337187A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010245840.X
申请日：2020-03-31
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Inventor： 肖素艳
Abstract: 本发明公开了一种微差压模组的封装结构，属于微差压测量技术领域。本发明所提供的微差压模组的封装结构包括微压差传感器模组，微压差传感器模组包括衬底、第一温度测量机构、微加热器和第二温度测量机构，微压差传感器模组内设置有气体微流道，气体微流道在微压差传感器模组的表面上形成进气孔和出气孔，第一温度测量机构、微加热器和第二温度测量机构通过半导体工艺集成在衬底上，并沿气流方向依次等间距设置在气体微流道内。该基于热式流量原理的微差压模组的封装结构的气体微流道具有高气阻性，从而提高了使用范围，且通过半导体工艺实现封装减少了整个封装结构的尺寸和成本，提高了可靠性。
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公开(公告)号：CN114563053B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210171546.8
申请日：2022-02-24
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Inventor： 肖素艳
Abstract: 本申请公开了一种流体传输管路及流量测量方法。本申请有效解决了热式流量传感器很难同时对流动的流体实现流体流量测量和流体属性监测的问题。通过第一测量组件与流体介质的流动方向平行来监测流体介质的特性变化，第二测量组件与流体介质的流动方向垂直来测量流体介质的流量，在流体介质的特性发生变化时，利用第一测量组件得到的特性值对所述第二测量组件得到的流量进行校正，从而得到流体介质的当前质量流量。通过在主通道内安装挡板，便于流体的充分置换，减小了流体介质的流动对第一测量组件带来的干扰。通过置换区段的横截面积大于旁路流道的横截面积，保证流体介质先充分置换再缓慢通过旁路流道，充分过滤紊流，从而提高流量的测量精度。
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公开(公告)号：CN113666328B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111014713.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种传感器结构及其制备方法、电子设备，该传感器结构包括：硅基底；设置在硅基底一侧的膜层结构，其中，硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔；封装基板，封装基板设置在硅基底远离膜层结构的一侧；连接层，设置在硅基底与封装基板之间，连接层中形成有第一空隙，第一空隙用于连通空腔与传感器结构之外的环境。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率以及降低成本。
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公开(公告)号：CN113666328A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111014713.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种传感器结构及其制备方法、电子设备，该传感器结构包括：硅基底；设置在硅基底一侧的膜层结构，其中，硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔；封装基板，封装基板设置在硅基底远离膜层结构的一侧；连接层，设置在硅基底与封装基板之间，连接层中形成有第一空隙，第一空隙用于连通空腔与传感器结构之外的环境。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率以及降低成本。
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公开(公告)号：CN113624303A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110845124.X
申请日：2021-07-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01F25/00
Abstract: 本申请提供了一种流量传感器检定系统，解决了现有技术中的单一流量控制器无法实现宽量程比的待测流量计以及单一检测系统无法实现不同类型气体流量计的检定的问题。流量传感器检定系统包括管道回路，以及设置于管道回路中的标准组件；标准组件包括选通组件和与选通组件连接的多个标准流量计，选通组件用于选择多个标准流量计之一与管道回路连通，多个标准流量计的量程不同。
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