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公开(公告)号：CN106646691B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201611125124.8
申请日：2016-12-09
申请人： 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
摘要： 本发明提供了一种菲涅尔器件的制作方法，其包括以下步骤：1)图像3D建模；2)将建模后的3D图，按照菲涅尔的变化规律进行量化处理；3)通过等高投影或等宽投影进行像素微结构模拟；4)像素化拼接；5)通过光刻工艺至整个图像光刻完成；6)通过转移工艺将模板转移到应用材料上。本发明还提供了一种菲涅尔器件的制作装置。本发明与现有技术相比，可以实现任意形状的菲涅尔器件；且尺寸不受限制，通过拼版等工艺，可以做大尺寸的菲涅尔器件；且该方法降低了成本。
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公开(公告)号：CN108931851A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201710388885.0
申请日：2017-05-25
申请人： 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
CPC分类号： B60K35/00 , G02B27/01 , G02B27/0101 , B60K2370/334
摘要： 一种抬头显示系统，包括纳米成像膜、挡风玻璃和投影装置，纳米成像膜包括多个像素，每个像素内设有纳米衍射光栅，纳米成像膜设置在挡风玻璃上，投影装置设置在纳米成像膜的焦距内，投影装置可将图像光投影到纳米成像膜上，纳米成像膜的各像素通过纳米衍射光栅反射衍射光，并将衍射光在纳米成像膜的前端汇聚成视点。本发明的抬头显示系统能够承接虚像，具有成像功能，简化了投影系统，并且成本低。本发明还涉及一种汽车。
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公开(公告)号：CN108790150A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201710282261.0
申请日：2017-04-26
申请人： 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC分类号： B29C64/129 , B29C64/321 , B29C64/214 , B29C64/245 , B29C64/264 , B29C64/386 , B29C64/393 , B33Y30/00 , B33Y40/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02
摘要： 一种3D打印系统，包括进料装置、打印平台和成像装置，进料装置包括透明传送带、第一供料罐和第一刮刀，第一供料罐可将打印材料排放在透明传送带上，第一刮刀的刀刃与透明传送带相对设置，第一刮刀可将打印材料涂刮平整，透明传送带可将打印材料运送至打印平台的表面，成像装置可产生照射打印材料的图案光，使打印材料在打印平台上固化为打印实体。本发明的3D打印系统能逐层涂覆打印材料，能实现多种材料混合打印，对生物应用具有极其重大的意义。本发明还涉及一种3D打印方法。
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公开(公告)号：CN107908086A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711122043.7
申请日：2017-11-14
申请人： 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 本发明涉及一种基片的预对准方法，该基片的预对准方法通过在基片上投影一幅特征图像和测距图像来确定边缘上边缘点的坐标，并根据边缘点坐标来计算基片的倾斜角度和基片中心坐标，最后通过移动工件台来使基片中心坐标和成像中心坐标对准，实现快速高效高精度的预对准工作。与现有技术相比该基片的预对准方法有着无需增加现有直写设备硬件成本、步骤简单、预对准精度高的优势。
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公开(公告)号：CN106842606A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710222207.7
申请日：2017-04-06
申请人： 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
摘要： 本发明公开了一种基于随机激光散斑的纳米级结构光衍射器件。该结构光衍射器件的衍射结构单元只有几百纳米，甚至几十纳米，具有分辨率高，对比度高和视场角大等优势。在此基础上，本发明还提出了一种纳米级衍射器件的制作方法，即位相光场干涉光刻法。利用该方法可以制备出高品质的深度感知结构光衍射器件。相比于传统的光学元件加工技术，本发明提出的位相光场干涉光刻法具有分辨率高和位相匹配精度高等优势，与紫外投影曝光和电子束直写等光刻技术相比，本发明提出的光刻技术具有速度快、成本低等优势。
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公开(公告)号：CN109901295A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201711295321.9
申请日：2017-12-08
申请人： 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC分类号： G02B27/01
摘要： 本申请涉及光波导膜、具有光波导膜的抬头显示器、彩色抬头显示器和抬头显示系统。所述光波导膜包括：贴合面，用于通过粘合剂与基材表面贴合；以及功能面，与贴合面相对，包括将光线耦合入光波导膜的耦合区以及用于将光线输出的出射区。基材可实现全反射，基材与光波导膜的功能面之间构成光波导。
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公开(公告)号：CN109407479A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201710713385.X
申请日：2017-08-18
申请人： 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
摘要： 一种激光直写对焦装置，包括微调机构、承载平台和成像系统，微调机构与承载平台相对设置，微调机构包括微调驱动器、活动架和位移传感器，成像系统包括直写镜头，微调驱动器、位移传感器、直写镜头分别与活动架连接。本发明的激光直写对焦装置能保证直写镜头与光刻板的距离在直写镜头的焦深范围内，能解决光刻板厚度变化较大的情况下无法自动对焦的问题。本发明还涉及一种激光直写对焦方法。
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公开(公告)号：CN108728790A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710263831.1
申请日：2017-04-21
申请人： 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州维业达触控科技有限公司 , 苏州大学
摘要： 一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，包括步骤：选取导电基板；在导电基板的表面涂布一层光刻胶；使光刻胶光刻出与金属掩膜板的蒸镀孔相对应的光刻胶图形，但光刻出的光刻胶图形的尺寸大于金属掩膜板的蒸镀孔的设计尺寸；在带有光刻胶图形的导电基板上进行电铸过生长，使金属材料的生长厚度大于光刻胶图形的厚度，金属材料同时将光刻胶图形的四周边缘覆盖，直至光刻胶图形未被金属材料覆盖的开口区域的尺寸与金属掩膜板的蒸镀孔的设计尺寸一致；去除导电基板上残留的光刻胶。上述金属掩膜板的制造方法只需要一次图形光刻和电铸工艺便可加工成型，工艺简单，成本低廉，而且是通过在带有光刻胶图形的导电基板上电铸过生长出金属掩膜板，因此精度更高。
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公开(公告)号：CN106681106B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201710206374.2
申请日：2017-03-31
申请人： 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70383 , G03F7/70408 , G03F7/7045
摘要： 一种混合光刻系统，包括光源、光束整形器、光场调制器、反射镜、成像光学系统和位相器件，光束整形器用于整形光源发出的光束；光场调制器用于将整形后的光束生成图形光；成像光学系统和反射镜用于将光场传递至待曝光的光刻件表面实现直写光刻；位相器件用于在光刻件的表面形成干涉曝光场实现干涉光刻。本发明的混合光刻系统具有直写光刻和干涉光刻两种功能，可进行混合光刻，提高了纳米光刻效率，推动微纳结构相关的器件和材料应用具有重要意义。本发明还涉及一种的混合光刻方法。
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公开(公告)号：CN106646691A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611125124.8
申请日：2016-12-09
申请人： 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
摘要： 本发明提供了一种菲涅尔器件的制作方法，其包括以下步骤：1)图像3D建模；2)将建模后的3D图，按照菲涅尔的变化规律进行量化处理；3)通过等高投影或等宽投影进行像素微结构模拟；4)像素化拼接；5)通过光刻工艺至整个图像光刻完成；6)通过转移工艺将模板转移到应用材料上。本发明还提供了一种菲涅尔器件的制作装置。本发明与现有技术相比，可以实现任意形状的菲涅尔器件；且尺寸不受限制，通过拼版等工艺，可以做大尺寸的菲涅尔器件；且该方法降低了成本。
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