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公开(公告)号：CN115612989A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211181519.5
申请日：2022-09-27
申请人： 苏州辉钻纳米新材料有限公司
发明人： 陆樟栋
IPC分类号： C23C14/32 , C23C14/06 , C23C14/02 , C23C14/18 , C23C14/22 , C23C14/35 , C23C14/54 , H05F3/00
摘要： 本发明公开了适用于半导体行业的含硅含氧的高阶静电消散薄膜复合新材料及其制备方法。本发明采用了PVD弯管磁过滤电弧物理气相沉积技术，通过在现有的四面体类金刚石碳基薄膜材料基础上，额外掺杂硅和氧元素，制备了一种新型的类金刚石碳基薄膜材料，该新材料在成分和结构上都经过改良，与传统的湿化学表面处理技术制备的材料相比，其性能优势在于精准可控的表面电阻值、超高的表面硬度和耐磨损性能以及良好的化学稳定性。
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公开(公告)号：CN118122419B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410186494.0
申请日：2024-02-20
申请人： 苏州辉钻纳米新材料有限公司
发明人： 陆樟栋
摘要： 本发明公开了一种金刚石薄膜生产配料粉碎一体机，涉及自动化配料与物料粉碎技术领域，包括机体，机体顶部设置有进料箱，机体内部由上而下依次设置有第一粉碎腔以及第二粉碎腔，第一粉碎腔内对称设置有两个第一粉碎辊，第二粉碎腔内设置有二次粉碎组件，第一粉碎腔与第二粉碎腔连通，机体外壁上固定连接有两个第一粉碎电机，第一粉碎电机的输出轴与对应的第一粉碎辊固定连接；进料箱内开设有多个储存腔，每个储存腔内均转动连接有丝杆，进料箱一侧固定连接有驱动箱，驱动箱内设置有多个驱动电机，丝杆的一端与驱动电机输出轴固定连接，每个储存腔底部均设置有称重板，本发明粉碎效率高，原料配比精准。
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公开(公告)号：CN117959873B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410371517.5
申请日：2024-03-29
申请人： 苏州辉钻纳米新材料有限公司
发明人： 陆樟栋
IPC分类号： B01D50/60 , B01D46/79 , B01D46/681
摘要： 本发明公开了一种具有自清洁功能的金刚石薄膜生产用废气处理设备，涉及废气处理技术领域，包括基座，所述基座的顶部固定安装有设备壳体，所述设备壳体的一侧固定连通有方腔管，且方腔管的一端固定连通有接通管头，还包括过滤组件和喷淋组件，所述过滤组件包括设置在设备壳体内部的环形滤板；本发明主转管在转动时，能够借连通管带动环形腔筒转动，同时，设置的多组喷头能够对空气进行均匀喷淋；在环形腔筒转动过程中，设置的弧形拨板能够拨动废气，使得废气能够喷淋液进行更进一步的接触，以达到提高废气处理效果的目的；同时，在喷头进行喷淋作业时，能够对环形滤板的内侧壁产生冲击，并能够达到清洁效果。
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公开(公告)号：CN118122419A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410186494.0
申请日：2024-02-20
申请人： 苏州辉钻纳米新材料有限公司
发明人： 陆樟栋
摘要： 本发明公开了一种金刚石薄膜生产配料粉碎一体机，涉及自动化配料与物料粉碎技术领域，包括机体，机体顶部设置有进料箱，机体内部由上而下依次设置有第一粉碎腔以及第二粉碎腔，第一粉碎腔内对称设置有两个第一粉碎辊，第二粉碎腔内设置有二次粉碎组件，第一粉碎腔与第二粉碎腔连通，机体外壁上固定连接有两个第一粉碎电机，第一粉碎电机的输出轴与对应的第一粉碎辊固定连接；进料箱内开设有多个储存腔，每个储存腔内均转动连接有丝杆，进料箱一侧固定连接有驱动箱，驱动箱内设置有多个驱动电机，丝杆的一端与驱动电机输出轴固定连接，每个储存腔底部均设置有称重板，本发明粉碎效率高，原料配比精准。
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公开(公告)号：CN117626180A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202410072513.7
申请日：2024-01-18
申请人： 苏州辉钻纳米新材料有限公司
发明人： 陆樟栋
摘要： 本发明涉及金刚石镀膜技术领域，具体为一种碳基类金刚石薄膜制备用镀膜装置，包括设备箱，设备箱的内侧固定安装有用于隔热以及稳定作用的稳定桶，稳定桶的上端固定安装有若干支撑架，支撑架的上端固定安装有安装环，安装环的上端设置有用于更好使样品镀膜的夹取装置，设备箱上端固定安装有石英玻璃护板，石英玻璃护板的上端固定安装有隔离筒体，驱动轮旋转通过与驱动同步环静摩擦力使驱动同步环转动，驱动同步环通过磁力带动隔离筒体内部驱动齿圈转动，驱动齿轮与驱动齿圈啮合的状态下开始转动，并将动力通过驱动绳索传输至转轮，使转轮开始转动，并带动样品在镀膜的过程中更加充分均匀。
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公开(公告)号：CN115612989B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202211181519.5
申请日：2022-09-27
申请人： 苏州辉钻纳米新材料有限公司
发明人： 陆樟栋
IPC分类号： C23C14/32 , C23C14/06 , C23C14/02 , C23C14/18 , C23C14/22 , C23C14/35 , C23C14/54 , H05F3/00
摘要： 本发明公开了适用于半导体行业的含硅含氧的高阶静电消散薄膜复合新材料及其制备方法。本发明采用了PVD弯管磁过滤电弧物理气相沉积技术，通过在现有的四面体类金刚石碳基薄膜材料基础上，额外掺杂硅和氧元素，制备了一种新型的类金刚石碳基薄膜材料，该新材料在成分和结构上都经过改良，与传统的湿化学表面处理技术制备的材料相比，其性能优势在于精准可控的表面电阻值、超高的表面硬度和耐磨损性能以及良好的化学稳定性。
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公开(公告)号：CN117947404A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410355663.9
申请日：2024-03-27
申请人： 苏州辉钻纳米新材料有限公司
发明人： 陆樟栋
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/509 , C23C16/52 , C23C16/455
摘要： 本发明适用于涂层制备技术领域，提供了一种基于PECVD的燃料电池金属极板碳基涂层制备装置，包括：控制器；真空泵，所述真空泵的驱动电机与控制器建立电性连接；射频电源，所述射频电源与控制器建立电性连接；涂层组件，所述涂层组件包括反应室、射频极板以及衬底板，所述反应室的底部固定有多个立柱，所述反应室的一侧开设有室口，所述室口的一侧位置铰接安装有室门，所述射频极板和衬底板呈上下设置，且两者均设置在反应室内，所述衬底板固定在反应室内，本发明中的射频电源的频率变大，通过改变射频极板与衬底板之间的距离，保护了衬底板，同时扩大电容面积，从而降低重电场的边缘效应，保证淀积的均匀性。
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公开(公告)号：CN115522162B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202211180581.2
申请日：2022-09-26
申请人： 苏州辉钻纳米新材料有限公司
发明人： 陆樟栋
摘要： 本发明公开了面向半导体领域的高阶静电消散碳基多元复合薄膜材料及其制备方法，解决了传统薄膜材料如阳极氧化层和特氟龙喷涂层的电阻值过高、表面耐磨性较差、化学及耐温性能不够稳定等综合技术难点。此材料采用了先进的阳极层离子源和非平衡磁控溅射两种不同的混合气相沉积技术，通过在现有的非晶态碳基薄膜材料里额外添加硅、氧、钛元素，研发了特殊的工艺参数，制备出成分和结构改良过的特殊多元复合材料，从而满足了客户定制的综合材料性能要求。
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公开(公告)号：CN117947404B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410355663.9
申请日：2024-03-27
申请人： 苏州辉钻纳米新材料有限公司
发明人： 陆樟栋
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/509 , C23C16/52 , C23C16/455
摘要： 本发明适用于涂层制备技术领域，提供了一种基于PECVD的燃料电池金属极板碳基涂层制备装置，包括：控制器；真空泵，所述真空泵的驱动电机与控制器建立电性连接；射频电源，所述射频电源与控制器建立电性连接；涂层组件，所述涂层组件包括反应室、射频极板以及衬底板，所述反应室的底部固定有多个立柱，所述反应室的一侧开设有室口，所述室口的一侧位置铰接安装有室门，所述射频极板和衬底板呈上下设置，且两者均设置在反应室内，所述衬底板固定在反应室内，本发明中的射频电源的频率变大，通过改变射频极板与衬底板之间的距离，保护了衬底板，同时扩大电容面积，从而降低重电场的边缘效应，保证淀积的均匀性。
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公开(公告)号：CN117959873A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410371517.5
申请日：2024-03-29
申请人： 苏州辉钻纳米新材料有限公司
发明人： 陆樟栋
IPC分类号： B01D50/60 , B01D46/79 , B01D46/681
摘要： 本发明公开了一种具有自清洁功能的金刚石薄膜生产用废气处理设备，涉及废气处理技术领域，包括基座，所述基座的顶部固定安装有设备壳体，所述设备壳体的一侧固定连通有方腔管，且方腔管的一端固定连通有接通管头，还包括过滤组件和喷淋组件，所述过滤组件包括设置在设备壳体内部的环形滤板；本发明主转管在转动时，能够借连通管带动环形腔筒转动，同时，设置的多组喷头能够对空气进行均匀喷淋；在环形腔筒转动过程中，设置的弧形拨板能够拨动废气，使得废气能够喷淋液进行更进一步的接触，以达到提高废气处理效果的目的；同时，在喷头进行喷淋作业时，能够对环形滤板的内侧壁产生冲击，并能够达到清洁效果。
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