公开(公告)号：CN116914558B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311176626.3

申请日：2023-09-13

申请人： 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 ,  苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司

发明人： 杨文帆 ,  王俊 ,  李泉灵 ,  郭路安 ,  李波 ,  闵大勇 ,  贺章

IPC分类号： H01S5/042 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/30 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体激光器接触电极及其制备方法，其中，半导体激光器接触电极包括：衬底层；接触层，位于衬底层的一侧表面；扩散阻挡层，位于接触层背离衬底层的一侧表面；上盖层，位于扩散阻挡层背离衬底层的一侧表面；其中，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第一元素形成的化合物，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第一元素的组分含量逐渐增加；或者，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第二元素形成的固溶体，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第二元素的组分含量逐渐增加。由于扩散阻挡层中没有形成异质界面，因此本发明提供的半导体激光

公开(公告)号：CN116914558A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202311176626.3

申请日：2023-09-13

申请人： 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 ,  苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司

发明人： 杨文帆 ,  王俊 ,  李泉灵 ,  郭路安 ,  李波 ,  闵大勇 ,  贺章

IPC分类号： H01S5/042 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/30 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体激光器接触电极及其制备方法，其中，半导体激光器接触电极包括：衬底层；接触层，位于衬底层的一侧表面；扩散阻挡层，位于接触层背离衬底层的一侧表面；上盖层，位于扩散阻挡层背离衬底层的一侧表面；其中，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第一元素形成的化合物，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第一元素的组分含量逐渐增加；或者，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第二元素形成的固溶体，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第二元素的组分含量逐渐增加。由于扩散阻挡层中没有形成异质界面，因此本发明提供的半导体激光器接触电极在满足耐高温性能的同时，还具有低的电阻。