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公开(公告)号：CN114899707A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210812724.0
申请日：2022-07-12
摘要： 本发明提供一种垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法，其中半导体器件包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层上的第一布拉格反射镜；位于第一布拉格反射镜背向半导体衬底层一侧的有源层；位于有源层背向第一布拉格反射镜一侧的第二布拉格反射镜，第二布拉格反射镜的反射率大于第一布拉格反射镜的反射率；位于第二布拉格反射镜、有源层和第一布拉格反射镜中的若干开口，相邻的开口之间构成发光柱，发光柱的数量为若干个；光栅层，光栅层位于半导体衬底层背向第一布拉格反射镜的一侧，光栅层至少位于若干个发光柱的底部以及相邻的发光柱之间区域的底部。所述垂直腔面发射半导体发光结构的阵列光束为单模相干且其相位分布可控。
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公开(公告)号：CN116316055B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310547285.X
申请日：2023-05-16
摘要： 本申请公开了半导体激光器接触电极及其制备方法，其中半导体激光器接触电极包括衬底层、接触层、第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层和上盖层；其中，第一扩散阻挡层包括从下至上依次设置的第一粘结金属、难熔金属或难熔合金以及第二粘结金属，第一粘结金属与难熔金属或难熔合金形成有第一互溶异质界面区域，第二粘结金属与难熔金属或难熔合金形成有第二互溶异质界面区域。本申请公开的半导体激光器接触电极及其制备方法，能够提高整个电极的耐高温性能，提升半导体激光器制造的效率和良率；能够使电极电阻仍能保持在较低的量级，提升半导体激光器的性能；有效降低电极厚度，降低应力，进而降低由于电极厚度增加产生的碎裂风险，提高产品质量。
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公开(公告)号：CN116914558B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311176626.3
申请日：2023-09-13
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体激光器接触电极及其制备方法，其中，半导体激光器接触电极包括：衬底层；接触层，位于衬底层的一侧表面；扩散阻挡层，位于接触层背离衬底层的一侧表面；上盖层，位于扩散阻挡层背离衬底层的一侧表面；其中，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第一元素形成的化合物，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第一元素的组分含量逐渐增加；或者，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第二元素形成的固溶体，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第二元素的组分含量逐渐增加。由于扩散阻挡层中没有形成异质界面，因此本发明提供的半导体激光
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公开(公告)号：CN116914558A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311176626.3
申请日：2023-09-13
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体激光器接触电极及其制备方法，其中，半导体激光器接触电极包括：衬底层；接触层，位于衬底层的一侧表面；扩散阻挡层，位于接触层背离衬底层的一侧表面；上盖层，位于扩散阻挡层背离衬底层的一侧表面；其中，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第一元素形成的化合物，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第一元素的组分含量逐渐增加；或者，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第二元素形成的固溶体，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第二元素的组分含量逐渐增加。由于扩散阻挡层中没有形成异质界面，因此本发明提供的半导体激光器接触电极在满足耐高温性能的同时，还具有低的电阻。
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公开(公告)号：CN115313144B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211240158.7
申请日：2022-10-11
IPC分类号： H01S5/024
摘要： 一种侧向光模式调控高功率半导体器件及其制备方法，侧向光模式调控高功率半导体器件包括：位于有源层背离半导体衬底层一侧的热补偿层，热补偿层中具有主开口和沿着慢轴方向分别位于所述主开口两侧副开口组，副开口组与主开口贯通，副开口组包括沿着出光方向排布的若干个副开口；沿着慢轴远离主开口的方向上，副开口的宽度递减，所述副开口的宽度平行于出光方向；正面电极层，正面电极层包括电极注入区，电极注入区位于热补偿层背离半导体衬底层一侧表面、以及主开口和所述副开口组中；热补偿层的导热率小于所述正面电极层的导热率。半导体器件兼顾出光亮度高、光束质量高且成本低、集成度高。
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公开(公告)号：CN114498289B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210336910.1
申请日：2022-04-01
摘要： 一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法，超高真空解理镀膜装置包括：解理腔体；解理平台；半导体发光器件载具；半导体发光器件载具包括：第一承载平台，第一承载平台中具有在第一方向上相对设置的第一定位槽、以及第二方向上相对设置的第二定位槽；分别位于第一定位槽中的第一定位销；分别位于第二定位槽中的第二定位销；第一定位销适于沿着第一定位槽在第一方向上移动；第二定位销适于沿着第二定位槽在第二方向上移动；第一定位销和第二定位销适于对从解理平台掉落至第一承载平台的若干垂直堆叠的半导体发光器件进行限位。超高真空解理镀膜装置的工作效率高且可长时间维持较高的真空环境。
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公开(公告)号：CN116316055A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310547285.X
申请日：2023-05-16
摘要： 本申请公开了半导体激光器接触电极及其制备方法，其中半导体激光器接触电极包括衬底层、接触层、第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层和上盖层；其中，第一扩散阻挡层包括从下至上依次设置的第一粘结金属、难熔金属或难熔合金以及第二粘结金属，第一粘结金属与难熔金属或难熔合金形成有第一互溶异质界面区域，第二粘结金属与难熔金属或难熔合金形成有第二互溶异质界面区域。本申请公开的半导体激光器接触电极及其制备方法，能够提高整个电极的耐高温性能，提升半导体激光器制造的效率和良率；能够使电极电阻仍能保持在较低的量级，提升半导体激光器的性能；有效降低电极厚度，降低应力，进而降低由于电极厚度增加产生的碎裂风险，提高产品质量。
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公开(公告)号：CN115313144A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211240158.7
申请日：2022-10-11
IPC分类号： H01S5/024
摘要： 一种侧向光模式调控高功率半导体器件及其制备方法，侧向光模式调控高功率半导体器件包括：位于有源层背离半导体衬底层一侧的热补偿层，热补偿层中具有主开口和沿着慢轴方向分别位于所述主开口两侧副开口组，副开口组与主开口贯通，副开口组包括沿着出光方向排布的若干个副开口；沿着慢轴远离主开口的方向上，副开口的宽度递减，所述副开口的宽度平行于出光方向；正面电极层，正面电极层包括电极注入区，电极注入区位于热补偿层背离半导体衬底层一侧表面、以及主开口和所述副开口组中；热补偿层的导热率小于所述正面电极层的导热率。半导体器件兼顾出光亮度高、光束质量高且成本低、集成度高。
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公开(公告)号：CN114899707B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210812724.0
申请日：2022-07-12
摘要： 本发明提供一种垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法，其中半导体器件包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层上的第一布拉格反射镜；位于第一布拉格反射镜背向半导体衬底层一侧的有源层；位于有源层背向第一布拉格反射镜一侧的第二布拉格反射镜，第二布拉格反射镜的反射率大于第一布拉格反射镜的反射率；位于第二布拉格反射镜、有源层和第一布拉格反射镜中的若干开口，相邻的开口之间构成发光柱，发光柱的数量为若干个；光栅层，光栅层位于半导体衬底层背向第一布拉格反射镜的一侧，光栅层至少位于若干个发光柱的底部以及相邻的发光柱之间区域的底部。所述垂直腔面发射半导体发光结构的阵列光束为单模相干且其相位分布可控。
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公开(公告)号：CN114498289A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210336910.1
申请日：2022-04-01
摘要： 一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法，超高真空解理镀膜装置包括：解理腔体；解理平台；半导体发光器件载具；半导体发光器件载具包括：第一承载平台，第一承载平台中具有在第一方向上相对设置的第一定位槽、以及第二方向上相对设置的第二定位槽；分别位于第一定位槽中的第一定位销；分别位于第二定位槽中的第二定位销；第一定位销适于沿着第一定位槽在第一方向上移动；第二定位销适于沿着第二定位槽在第二方向上移动；第一定位销和第二定位销适于对从解理平台掉落至第一承载平台的若干垂直堆叠的半导体发光器件进行限位。超高真空解理镀膜装置的工作效率高且可长时间维持较高的真空环境。
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