一种硅片的确定方法及装置

    公开(公告)号:CN108198907A

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:CN201711485367.7

    申请日:2017-12-30

    发明人: 吴华德 熊光涌

    IPC分类号: H01L31/18

    摘要: 本发明公开了一种硅片的确定方法及装置,该方法根据各个硅片的各个位置编码与硅片制备的电池片的光衰值、以及各个位置编码与硅片电阻率的对应关系,获得电阻率与光衰值的对应关系,并由电阻率与光衰值的对应关系,确定出硅片制备的电池片为光衰较低的电池片。从而能够降低硅片之间的差异,减少电池片的光衰波动,扩大工艺窗口,进而提高电池片的产能和良率,降低电池片的成本。

    一种硅片的确定方法及装置

    公开(公告)号:CN108198907B

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201711485367.7

    申请日:2017-12-30

    发明人: 吴华德 熊光涌

    IPC分类号: H01L31/18

    摘要: 本发明公开了一种硅片的确定方法及装置,该方法根据各个硅片的各个位置编码与硅片制备的电池片的光衰值、以及各个位置编码与硅片电阻率的对应关系,获得电阻率与光衰值的对应关系,并由电阻率与光衰值的对应关系,确定出硅片制备的电池片为光衰较低的电池片。从而能够降低硅片之间的差异,减少电池片的光衰波动,扩大工艺窗口,进而提高电池片的产能和良率,降低电池片的成本。

    晶体硅双面电池及该晶体硅双面电池的热处理方法

    公开(公告)号:CN109728109A

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201811641720.0

    申请日:2018-12-29

    IPC分类号: H01L31/0224 H01L31/18

    摘要: 本发明提供了一种晶体硅双面电池及该晶体硅双面电池的热处理方法,所述晶体硅双面电池包括硅基底与背面金属化层,所述硅基底的电阻率设置为0.3~0.8Ω·cm,所述背面金属化层的遮光率不超过23%。上述晶体硅双面电池的热处理方法主要包括将待处理的晶体硅双面电池加热至第一阈值温度,再通入正向电流,继续升温;保温处理,保温处理过程包括至少两个子阶段且所述保温处理过程保持通入正向电流;将完成保温处理的晶体硅双面电池冷却至第二阈值温度,停止通入电流。所述晶体硅双面电池减小背面金属化层的遮光面积,提升双面率的同时,不会造成正面转换效率降低;再通过前述热处理方法还能有效降低衰减风险。

    一种流量控制方法及流量控制装置

    公开(公告)号:CN108198771B

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN201711456622.5

    申请日:2017-12-28

    摘要: 本发明公开了一种流量控制方法及流量控制装置,该流量控制方法包括:获取扩散炉中当前扩散工艺的运行序数;根据扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系以及当前扩散工艺的运行序数,得到当前执行扩散工艺所需要的小氮流量值;按照当前执行扩散工艺所需要的小氮流量值,向扩散炉输入小氮。本发明实施例提供的流量控制方法不需要进行人工调节,有利于自动化生产,解决了现有技术中向扩散炉中通入恒定流量的小氮,再通过调节推进温度调节方阻,增加人力成本但得到的硅片方阻波动大,批次间硅片方阻均匀性差的问题,实现节约人力成本,批次间硅片方阻值均匀性良好的目的。

    丝网印刷装置及双面电池的背面栅线对位方法

    公开(公告)号:CN110957390A

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201811124475.6

    申请日:2018-09-26

    发明人: 陈曦 熊光涌

    摘要: 本发明提供一种丝网印刷装置,包括转盘,沿着所述转盘周向依次排布有定位工位和印刷工位;设置于所述转盘上的至少一个印刷台,所述转盘转动时带动所述印刷台转动至定位工位和印刷工位;位于所述定位工位的定位系统,所述定位系统包括红外光源和对位相机,所述印刷台转动至所述对位工位时,所述红外光源、对位相机均位于所述印刷台上方;位于所述印刷工位且与所述定位系统通讯连接的印刷系统。该丝网印刷装置,通过红外光源向硅片背面发射红外光,通过对位相机捕获红外光在硅片背面的反射光线形成图像,能够准确获取定位图形的位置,从而能够精确印刷背面栅线;并且使得背面栅线的宽度减小到140μm,提升了双面电池的双面效率。

    一种流量控制方法及流量控制装置

    公开(公告)号:CN108198771A

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:CN201711456622.5

    申请日:2017-12-28

    摘要: 本发明公开了一种流量控制方法及流量控制装置,该流量控制方法包括:获取扩散炉中当前扩散工艺的运行序数;根据扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系以及当前扩散工艺的运行序数,得到当前执行扩散工艺所需要的小氮流量值;按照当前执行扩散工艺所需要的小氮流量值,向扩散炉输入小氮。本发明实施例提供的流量控制方法不需要进行人工调节,有利于自动化生产,解决了现有技术中向扩散炉中通入恒定流量的小氮,再通过调节推进温度调节方阻,增加人力成本但得到的硅片方阻波动大,批次间硅片方阻均匀性差的问题,实现节约人力成本,批次间硅片方阻值均匀性良好的目的。