公开(公告)号：CN115377252B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211298705.7

申请日：2022-10-24

申请人： 英利能源发展(天津)有限公司(CN) ,  英利能源发展有限公司(CN) ,  英利能源(中国)有限公司(CN)

发明人： 郎芳 ,  张伟 ,  王子谦 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  翟金叶 ,  王平 ,  张文辉 ,  李青娟 ,  韩华华 ,  张磊 ,  陈志军 ,  赵鹏 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/054 ,  C23C16/24

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种抑制PECVD法生长多晶硅表面爆膜的方法。所述方法包括以下步骤：将硅片进行微制绒工序，形成微制绒表面；采用PECVD法在所述微制绒表面上依次沉积隧穿氧化层和多晶硅层。采用本发明提供的方法能够在保证不降低TOPCon太阳能电池转化效率的前提下，还能避免采用PECVD法沉积多晶硅层发生爆膜的问题，方法简单，只是在常规抛光的过程中，添加微制绒工序，工艺步骤简单，无需增加新工艺和新设备，无其他成本增加，有利于工业化生产，对提高TOPCon太阳能电池的成品率具有重要意义。

公开(公告)号：CN115602754A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211090939.2

申请日：2022-09-07

申请人： 英利能源发展有限公司(CN)

发明人： 王子谦 ,  孟庆超 ,  翟金叶 ,  张伟 ,  郞芳 ,  徐卓 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  王平 ,  张文辉 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明提供了一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域，包括以下步骤；N型硅片双面制绒、背光面抛光；背光面制备第一隧穿氧化层及掺磷多晶硅层，掺磷多晶硅层外表面制备一层磷硅层；在背光面设置多个预设区域，并去除预设区域上的磷硅玻璃层、掺磷多晶硅层及第一隧穿氧化层，在预设区域上制备贯穿硅片的通孔；在背光面及通孔内壁制备第二隧穿氧化层及本征多晶硅层；对硅片实行硼扩散工艺处理；对硅片化学清洗；在硅片双面沉积钝化减反层；在背光面和通孔内丝网印刷金属栅线；烘干、烧结。本发明提供的一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法，简化了生产工艺步骤，降低了生产成本。