公开(公告)号：CN115602755A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211103995.5

申请日：2022-09-09

申请人： 英利能源发展有限公司(CN)

发明人： 王红芳 ,  徐卓 ,  李锋 ,  潘明翠 ,  郎芳 ,  翟金叶 ,  孟庆超 ,  夏新中 ,  陈志军 ,  史金超 ,  于波

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/306 ,  H01L31/0236 ,  C30B29/06

摘要： 本发明具体公开一种晶体硅片的制绒方法。所述挖孔工序包括：将沉银后的硅片置于挖孔处理液中，浸泡30s‑50s后，开启超声波进行间歇超声挖孔处理，得到挖孔的硅片；其中，所述挖孔处理液包括：氢氟酸10％‑20％，双氧水20％‑30％，可溶性硅酸盐0.5％‑2％，余量为去离子水。本发明提供的晶体硅片的制绒方法，通过采用特定的间歇超声配合向挖孔液中加入特定含量的硅酸盐的方法，使得硅片表面附着的气泡及时脱离，从而在硅片表面形成更加均匀的孔洞，从而使得硅片具有适中的反射率，进而可有效提高电池的转换效率。

公开(公告)号：CN115602754A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211090939.2

申请日：2022-09-07

申请人： 英利能源发展有限公司(CN)

发明人： 王子谦 ,  孟庆超 ,  翟金叶 ,  张伟 ,  郞芳 ,  徐卓 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  王平 ,  张文辉 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明提供了一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域，包括以下步骤；N型硅片双面制绒、背光面抛光；背光面制备第一隧穿氧化层及掺磷多晶硅层，掺磷多晶硅层外表面制备一层磷硅层；在背光面设置多个预设区域，并去除预设区域上的磷硅玻璃层、掺磷多晶硅层及第一隧穿氧化层，在预设区域上制备贯穿硅片的通孔；在背光面及通孔内壁制备第二隧穿氧化层及本征多晶硅层；对硅片实行硼扩散工艺处理；对硅片化学清洗；在硅片双面沉积钝化减反层；在背光面和通孔内丝网印刷金属栅线；烘干、烧结。本发明提供的一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法，简化了生产工艺步骤，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN115377252B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211298705.7

申请日：2022-10-24

申请人： 英利能源发展(天津)有限公司(CN) ,  英利能源发展有限公司(CN) ,  英利能源(中国)有限公司(CN)

发明人： 郎芳 ,  张伟 ,  王子谦 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  翟金叶 ,  王平 ,  张文辉 ,  李青娟 ,  韩华华 ,  张磊 ,  陈志军 ,  赵鹏 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/054 ,  C23C16/24

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种抑制PECVD法生长多晶硅表面爆膜的方法。所述方法包括以下步骤：将硅片进行微制绒工序，形成微制绒表面；采用PECVD法在所述微制绒表面上依次沉积隧穿氧化层和多晶硅层。采用本发明提供的方法能够在保证不降低TOPCon太阳能电池转化效率的前提下，还能避免采用PECVD法沉积多晶硅层发生爆膜的问题，方法简单，只是在常规抛光的过程中，添加微制绒工序，工艺步骤简单，无需增加新工艺和新设备，无其他成本增加，有利于工业化生产，对提高TOPCon太阳能电池的成品率具有重要意义。

公开(公告)号：CN218299770U

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202222597232.2

申请日：2022-09-29

申请人： 英利能源发展有限公司(CN) ,  英利能源发展(天津)有限公司(CN)

发明人： 夏新中 ,  孟庆超 ,  王红芳 ,  潘明翠 ,  翟金叶 ,  郎芳

IPC分类号： H01L21/673

摘要： 本实用新型提供了一种消除太阳能电池绕扩、绕度的载片舟，属于半导体器件技术领域。本实用新型提供的一种消除太阳能电池绕扩、绕度的载片舟，包括舟体，舟体的上端面设置有插片槽组，多组插片槽组以舟体的轴线为圆心呈圆周分布，插片槽组包括多组适于硅片插入的插片槽，插片槽贯穿舟体的上端面与下端面设置，插片槽平行于舟体的轴线设置，同一插片槽组内的插片槽相互平行设置，插片槽的宽度大于硅片的厚度。本实用新型提供的一种消除太阳能电池绕扩、绕度的载片舟，硅片插入插片槽中，硅片的背面贴紧插片槽远离舟体中心一侧的舟壁上，转动载片舟，硅片在离心力的作用下紧贴在载片舟的舟壁上，硅片背面不会与气流接触，避免绕扩或绕镀的发生。

公开(公告)号：CN218299816U

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202222902542.0

申请日：2022-11-01

申请人： 英利能源发展有限公司(CN)

发明人： 王红芳 ,  徐卓 ,  潘明翠 ,  郎芳 ,  翟金叶 ,  孟庆超 ,  夏新中 ,  陈志军 ,  史金超 ,  于波

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/673 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

摘要： 本实用新型提供了一种减小晶硅电池绕镀或绕扩的装置，属于太阳能电池技术领域，包括载片舟、支撑架和真空管；载片舟内设有支撑架，支撑架的两侧分别贴合两个硅片，支撑架为中空的框架且支撑架的边缘与硅片的边缘平齐；真空管的一端贯穿支撑架并延伸至支撑架的内腔中，真空管的另一端连接有真空泵。本实用新型提供的减小晶硅电池绕镀或绕扩的装置，在真空泵的作用下两个硅片紧密贴合在支撑架的两侧，避免了工艺气体进入两个硅片之间与硅片的背表面发生反应；避免了晶硅电池绕镀和绕扩，省掉了后续的化学清洗的工艺步骤、节省了生产成本、提高了生产效率。

公开(公告)号：CN218291110U

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202222598336.5

申请日：2022-09-29

申请人： 英利能源发展有限公司(CN) ,  英利能源发展(天津)有限公司(CN)

发明人： 夏新中 ,  孟庆超 ,  王红芳 ,  潘明翠 ,  翟金叶 ,  郎芳

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C30B31/10 ,  C30B31/14 ,  C30B29/06 ,  H01L31/18

摘要： 本实用新型提供了一种消除太阳能电池绕扩、绕度的沉积炉，属于半导体器件技术领域。本实用新型提供的一种消除太阳能电池绕扩、绕度的沉积炉，包括炉管主体、旋转组件以及驱动件，炉管主体内部设置有反应腔，炉管主体的底部设有进气口，炉管主体的顶部设有出气口；旋转组件包括转轴和底托，转轴与炉管主体转动连接，转轴沿竖直方向贯穿炉管主体的底部并延伸至反应腔内部，底托固定安装在转轴的顶部，底托用于支撑固定载片舟；驱动件用于驱动转轴转动。本实用新型提供的一种消除太阳能电池绕扩、绕度的沉积炉，可用于硼扩散或ALD工序，载片舟设置在底托上，转轴转动，利用离心力将硅片紧贴在载片舟的舟壁上，避免绕扩或绕镀的发生，提升了生产效率。