公开(公告)号：CN118281072A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311266568.3

申请日：2023-09-27

申请人： 英特尔公司

发明人： C-C·林 ,  K·P·奥布莱恩 ,  A·V·佩努马季哈 ,  C·多罗 ,  K·马克西 ,  C·H·内勒 ,  褚涛 ,  许国伟 ,  U·阿维奇 ,  张凤 ,  洪挺翔 ,  A·北村 ,  M·S·卡夫里克

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/34 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 公开了具有与绝缘体材料支撑物堆叠在一起的沟道材料的晶体管。晶体管和集成电路系统包括材料层的堆叠体内的2D沟道材料层，还包括位于2D沟道材料层上方和/或下方的一个或多个绝缘体(例如，电介质)材料。这些支撑绝缘体层可以是非牺牲性的，而起始材料堆叠体内的其他材料层可以是牺牲性的，例如由栅极绝缘体和/或栅极材料替代。在一些示例性实施例中，2D沟道材料是金属硫属化物，并且支撑绝缘体层有利地是具有低介电常数的电介质材料成分。

公开(公告)号：CN118693128A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202311846332.7

申请日：2023-12-29

申请人： 英特尔公司

发明人： 褚涛 ,  许国伟 ,  R·赵 ,  C-T·黄 ,  张凤 ,  M·庄 ,  C-C·林 ,  B·古哈 ,  钟悦 ,  A·S·默西

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

摘要： 本文描述了包括基于纳米带的晶体管和鳍状物形状的晶体管两者的集成电路器件。所述纳米带晶体管可以具有比所述鳍状物晶体管短的沟道长度。此外，所述纳米带晶体管可以具有比所述鳍状物晶体管薄的栅极电介质。

公开(公告)号：CN118693152A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202311801812.1

申请日：2023-12-25

申请人： 英特尔公司

发明人： 褚涛 ,  R·赵 ,  许国伟 ,  张凤 ,  M·庄

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/092 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00

摘要： 本文描述了基于纳米带的晶体管装置，其中纳米带具有圆化横截面。纳米带可以包括生长在半导体沟道材料的内层之上的半导体沟道材料的帽或外层。不同的材料可以用于NMOS和PMOS晶体管的外层。在一个示例中，集成电路装置包括：由具有圆化横截面和硅外层的一个或多个纳米带形成的NMOS晶体管；以及由具有圆化横截面和硅锗外层的一个纳米带形成的PMOS晶体管。

公开(公告)号：CN118630017A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202311773507.6

申请日：2023-12-21

申请人： 英特尔公司

发明人： C-T·黄 ,  褚涛 ,  R·赵 ,  许国伟 ,  张凤 ,  B·古哈 ,  S·M·塞亚

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8238

摘要： 本公开涉及使用图案化基础结构制作基于纳米带的晶体管。公开了基于纳米带的晶体管和相关联的晶体管装置的制作方法、IC结构和设备。一种示例性制作方法基于对在上方提供超晶格的基础结构进行图案化，使得可以使用单个超晶格形成PMOS纳米带堆叠体和NMOS纳米带堆叠体两者。一种示例性IC结构包括：支座；在该支座上方一个叠一个地垂直堆叠的纳米带的NMOS堆叠体；以及在该支座上方一个叠一个地垂直堆叠的纳米带的PMOS堆叠体，其中，NMOS堆叠体的纳米带中的至少一者相对于PMOS堆叠体的纳米带中的至少一者垂直偏移。

公开(公告)号：CN118630015A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202311792985.1

申请日：2023-12-25

申请人： 英特尔公司

发明人： 许国伟 ,  C-T·黄 ,  R·赵 ,  褚涛 ,  张凤 ,  Y·张 ,  B·古哈 ,  O·戈隆茨卡

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

摘要： 公开了一种IC器件，其包括将第一晶体管与第二晶体管隔开的背面FTI。该FTI可以位于第一晶体管的源极区和第二晶体管的漏极区之间。第一晶体管的源极区和第二晶体管的漏极区可以是半导体结构(例如，鳍状物或纳米带)的不同部分。IC器件还可以包括正面金属层。半导体结构可以具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。半导体结构的第一表面可以比半导体结构的第二表面更接近金属层并且更大。FTI可以具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。FTI的第一表面可以比FTI的第二表面更接近金属层，但小于FTI的第二表面。

公开(公告)号：CN118553738A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311777698.3

申请日：2023-12-22

申请人： 英特尔公司

发明人： C-T·黄 ,  许国伟 ,  褚涛 ,  R·赵 ,  J·梅赫塔 ,  B·格林 ,  C-H·林

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/77 ,  H10B80/00

摘要： 公开了在制造基于纳米带的晶体管期间采用蚀刻停止层来辅助子鳍状物去除的制造方法。示例制造方法包括在子鳍状物上方提供纳米带堆叠体，其中纳米带和子鳍状物包括一种或多种半导体材料；在所述子鳍状物的顶部上方和所述纳米带的部分周围沉积蚀刻停止层；从所述纳米带的所述部分周围去除所述蚀刻停止层；在所述纳米带的所述部分周围以及在所述子鳍状物的所述顶部上方的所述蚀刻停止层上方提供栅极电介质材料；在所述纳米带的所述部分周围沉积栅电极材料；以及执行蚀刻以去除所述子鳍状物而基本上不去除所述蚀刻停止层。