公开(公告)号：CN1006261B

公开(公告)日：1989-12-27

申请号：CN85104551

申请日：1985-06-14

申请人： 英特尔公司

发明人： 贝格 ,  赵·H·挺 ,  华泰礼

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/02 ,  H01L21/94 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L21/02667 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76272 ,  H01L21/76281 ,  H01L27/06 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66651

摘要： 在一个类似延层的硅层中形成MOS和CMOS晶体管的改进的工艺过程。先形成一些场氧化物区，接着再沉积一层多晶硅层或非晶硅层，这些硅层在这些场氧化物区之间形成“晶种窗”处同衬底接触。这硅层由衬底通过晶种窗重新结晶，晶体管就造在这层重新结晶过的硅层中。

公开(公告)号：CN85104551A

公开(公告)日：1986-12-10

申请号：CN85104551

申请日：1985-06-14

申请人： 英特尔公司

发明人： 贝格 ,  赵·H·挺 ,  华泰礼

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02667 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76272 ,  H01L21/76281 ,  H01L27/06 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66651

摘要： 在一个类似外延层的硅层中形成MOS和CMOS晶体管的改进的工艺过程。先形成一些场氧化物区，接着再沉积一层多晶硅层或非晶硅层，这些硅层在这些场氧化物区之间形成“晶种窗”处同衬底接触。这些层由衬底通过晶种窗重新结晶。晶体管就造在这层重新结晶过的硅层中。