公开(公告)号：CN108292700B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201580085159.0

申请日：2015-12-07

申请人： 英特尔公司

发明人： T.拉曼 ,  C.J.魏甘德 ,  D.B.伯格斯特龙

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 本公开内容的实施例针对一种包括扩散势垒的磁穿隧结（MTJ）。该扩散势垒可以被设置在MTJ的两个铁磁层之间。更具体地，该扩散势垒可以被设置在邻近自然反铁磁层的第一铁磁层和第二铁磁层之间；该第一和第二铁磁层和扩散势垒是合成反铁磁体的一部分。该扩散势垒可以由诸如钽的难熔金属制成。该扩散势垒充当针对从天然反铁磁层至合成反铁磁体和MTJ的其他更高层的锰扩散的势垒。

公开(公告)号：CN107889539A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201580080587.4

申请日：2015-06-03

申请人： 英特尔公司

发明人： C.J.耶泽夫斯基 ,  S.穆克尔杰 ,  D.B.伯格斯特龙 ,  T.K.英杜库里 ,  F.格里焦 ,  R.V.切比亚姆 ,  J.S.克拉克

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266

摘要： 在一个实施例中，一种用于微电子组件的导电连接器可以形成有贵金属层，其充当附着/润湿层、设置在屏障衬垫与导电填充材料之间。在另外的实施例中，导电连接器可以具有直接设置在屏障衬垫上的贵金属导电填充材料。贵金属作为附着/润湿层或作为导电填充材料的使用可以改进间隙填充和附着，这可以导致基本上没有空隙的导电连接器，从而相对于没有作为附着/润湿层或导电填充材料的贵金属的导电连接器而改进导电连接器的电气性能。

公开(公告)号：CN108292700A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201580085159.0

申请日：2015-12-07

申请人： 英特尔公司

发明人： T.拉曼 ,  C.J.魏甘德 ,  D.B.伯格斯特龙

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01F10/3254 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/32 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 本公开内容的实施例针对一种包括扩散势垒的磁穿隧结（MTJ）。该扩散势垒可以被设置在MTJ的两个铁磁层之间。更具体地，该扩散势垒可以被设置在邻近自然反铁磁层的第一铁磁层和第二铁磁层之间；该第一和第二铁磁层和扩散势垒是合成反铁磁体的一部分。该扩散势垒可以由诸如钽的难熔金属制成。该扩散势垒充当针对从天然反铁磁层至合成反铁磁体和MTJ的其他更高层的锰扩散的势垒。