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公开(公告)号：CN108292700A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201580085159.0
申请日：2015-12-07
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H01F10/3254 , G11C11/161 , H01F10/3272 , H01F41/32 , H01L27/222 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 本公开内容的实施例针对一种包括扩散势垒的磁穿隧结（MTJ）。该扩散势垒可以被设置在MTJ的两个铁磁层之间。更具体地，该扩散势垒可以被设置在邻近自然反铁磁层的第一铁磁层和第二铁磁层之间；该第一和第二铁磁层和扩散势垒是合成反铁磁体的一部分。该扩散势垒可以由诸如钽的难熔金属制成。该扩散势垒充当针对从天然反铁磁层至合成反铁磁体和MTJ的其他更高层的锰扩散的势垒。
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公开(公告)号：CN104380399B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201380020424.8
申请日：2013-04-15
CPC分类号： H01L43/12 , H01F10/005 , H01F10/3254 , H01F41/32 , H01L43/10
摘要： 一种用于制造自旋注入器件(30)的方法，包括以下步骤：a)在衬底(10)的面(11)上形成金属保护层(22)以限制或者阻止所述面被环境氧化和/或污染，所述衬底的所述面为磁性的和导电的，所述保护层具有反磁性或顺磁性的性质；b)在所述保护层上形成上层(32)，所述上层(32)能够根据由所述衬底和/或所述衬底的所述面的磁性限定的幅度和自旋参考框架来促进所述保护层与所述上层之间的界面的费米能级附近的电子态的自旋偏离，所述上层为有机层，所述有机层的与所述保护层接触的一个或更多个分子位置具有由单一的磁性参考框架所表征的顺磁矩。
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公开(公告)号：CN104350555A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380025603.0
申请日：2013-04-15
CPC分类号： H01L43/12 , H01F1/0009 , H01F10/005 , H01F10/3254 , H01F41/32 , H01L43/10
摘要： 一种电子过滤方法，使得费米能级处至少75％的电子传导电流被自旋极化，该方法与自旋极化电流源(2)一同使用，自旋极化电流源至少包括：包括有导电衬底(10)和有机层(20)的极化自旋注入器件,导电衬底(10)的第一面(11)具有磁特性并且有机层(20)与衬底的第一面接触；被称为接地(30)的导电材料，有机层被设置在接地与衬底之间；被电连接到衬底的第一面以及接地上的电流源(40)；所述方法包括借助于电流源使电子传导电流在高于-220℃的温度下在衬底的第一面与接地之间流通。
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公开(公告)号：CN104221103A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201280072368.8
申请日：2012-10-25
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01F27/2804 , H01F17/0013 , H01F27/292 , H01F41/041 , H01F41/32 , H01F2017/0066 , H01F2027/2809 , Y10T29/49165
摘要： 本发明提供一种防止元件的安装面积增大、布线图案复杂化且减小寄生电感的层叠型电感元件及其制造方法。外部电极(31)与端子电极(32)经由导通孔(42)电连接。导通孔(42)的上表面设置在外部电极(31)的正下方。导通孔(42)的下表面设置在端子电极(32)的正上方。非磁性体(41)的侧面形成元件端面的一部分，并且另一侧面与导通孔(42)相邻。因此导通孔(42)的与非磁性体(41)相邻的侧面开放，寄生电感不会变大。该情况下，导通孔(42)能够被设置在任意位置，所以元件上表面的布线不会被引绕，所以布线图案也不会复杂化，能够防止元件安装面积的增大。
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公开(公告)号：CN104081475A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201280068936.7
申请日：2012-03-26
申请人： 株式会社日立制作所
发明人： 守谷浩志
CPC分类号： H01F7/02 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C2202/02 , H01F1/057 , H01F1/40 , H01F1/42 , H01F10/126 , H01F41/32
摘要： 本发明目的在于提供矫顽力高的稀土磁铁的结构。为了解决该课题，本发明的稀土磁铁，其特征在于，层叠通过共价键而键合的元素的片(100)与包含过渡金属元素的层(200)，稀土元素位于所述片(100)的面内。
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公开(公告)号：CN102754210A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180008990.8
申请日：2011-01-14
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/32 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 本发明揭示一种磁性隧道结MTJ存储元件(300)及形成所述MTJ的方法。所述磁性隧道结MTJ存储元件包括钉扎层(206、210)、势垒层(212)、自由层(214)及复合硬掩模或顶部电极(304、306)。所述复合硬掩模/顶部电极架构经配置以提供通过所述MTJ存储元件的非均一电流路径，且由并联耦合的具有不同电阻特性的电极形成。插入于所述自由层与所述顶部电极之间的任选调谐层(302)帮助降低所述自由层的阻尼常数。
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公开(公告)号：CN100359563C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200410100711.2
申请日：2004-12-10
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/112 , G11B5/1278 , H01F41/32 , Y10T29/49039 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要： 一种具有切口、自动对齐的径屏的垂直写入磁头，用于使从该磁头发射的磁场倾斜。
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公开(公告)号：CN1746979A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510087864.2
申请日：2005-08-01
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 丹尼尔·莫里
CPC分类号： C23C14/025 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C14/0036 , C23C14/081 , C23C14/34 , G11B5/3903 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/3295 , H01F41/18 , H01F41/307 , H01F41/32 , H01L43/12
摘要： 本发明涉及一种形成MTJ中隧道势垒的方法。作为磁隧道结的制造的一部分，在反应氧气(O2)中在“高电压”态下从Mg靶反应溅射沉积氧化镁隧道势垒，从而确保当Mg靶在其金属模式也就是没有或最小的氧化时发生该沉积。因为Mg靶的金属模式具有有限寿命，所以确定一组O2流速和相关联的溅射沉积时间，每个流速和沉积时间确保当Mg靶在其金属模式时发生该沉积并且产生已知的隧道势垒厚度。不需要的Mg靶氧化的开始和靶电压的下降相关联，因此也可通过监控靶电压并且当该电压达到预定值时终止向该靶的电源施加从而终止该溅射。
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公开(公告)号：CN1661688A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510051713.1
申请日：2005-02-25
申请人： 信越化学工业株式会社
CPC分类号： G11B5/8404 , G11B5/667 , G11B5/7315 , H01F10/16 , H01F41/24 , H01F41/32
摘要： 如果用于双层型垂直磁记录介质的软磁层由电镀形成，那么会产生在组成软磁层的电镀膜表面上几毫米至几厘米范围内在特定方向上被磁化的大量磁畴，且在这些磁畴的边缘上产生磁畴壁。如果包含这些磁畴壁的软磁层用于双层垂直磁记录介质，那么由于已知为尖锋噪音的隔离的脉冲噪音的产生会引起信号再现特性的巨大损坏的问题，这里通过由磁畴壁部分产生的漏磁场产生隔离的脉冲噪音。为了解决这个问题，磁记录介质基片包含了直径不超过90毫米的基片，和软磁膜电镀层，该软磁膜电镀层包含包括选自包含钴、镍和铁的组的至少两种金属的合金，且被设置在基片上，其中，关于在基片平面内的同心圆方向，用VSM磁化测量法获得的矫顽力值小于30奥斯特，且饱和磁化强度与剩余磁化强度的比率从50∶1至5∶1。
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公开(公告)号：CN108022751A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201610929057.9
申请日：2016-10-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层及微电感器件，该沉积方法包括以下步骤：S1，在待加工工件上沉积粘附层；S2，沉积磁性/隔离单元；磁性/隔离单元包括至少一对交替设置的磁性膜层和隔离层。本发明提供的磁性薄膜叠层的沉积方法，可以增大磁性薄膜叠层的总厚度，从而可拓宽由其制备所得的电感器件的应用频率范围。
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