公开(公告)号：CN109585416A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810996820.9

申请日：2018-08-29

申请人： 英特尔公司

发明人： K·艾京 ,  张志超 ,  C·盖伊克 ,  G·考尔

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： G06F1/185 ,  H01R12/7076 ,  H01R12/716 ,  H01R13/10 ,  H01R13/2442 ,  H05K1/181 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/4038 ,  H05K7/1409 ,  H05K2201/10325 ,  H01L23/528 ,  H01L21/76838

摘要： 描述了形成封装结构的方法/结构。那些方法/结构可以包括导电插针，包括：悬臂梁部分，与封装基板的第一侧物理耦合；触针部分，其中，所述触针部分的端子末端物理地和电气地耦合到板；壳体结构，包括壳体腔，其中，所述触针部分至少部分地设置在壳体腔内；及导电材料，设置在壳体侧面上和/或壳体腔的表面附近。优化导电材料的放置以满足双倍数据速率(DDR)和/或快速外围部件接口(PCIe)接口的要求。