公开(公告)号：CN112582391A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202010589423.7

申请日：2020-06-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A.埃尔舍比尼 ,  J.斯万 ,  S.利夫 ,  P.莫罗 ,  G.帕斯达斯特 ,  V.乐

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/528 ,  H01L21/98

Abstract: 复合IC芯片包括嵌入主IC芯片的金属化级内的小芯片。小芯片可包括器件层和将无源和/或有源器件互连到小芯片电路系统中的一个或多个金属化层。主IC可包括器件层和将无源和/或有源器件互连到主芯片电路系统中的一个或多个金属化层。小芯片金属化层之一的部件可直接接合到主IC金属化层之一的部件，将两个电路系统互连成复合电路系统。可在小芯片上方施加电介质材料。电介质和小芯片可通过平坦化工艺变薄，并且在小芯片和主芯片上方制作附加的金属化层，例如以形成第一级互连接口。复合IC芯片结构可基本上作为单片IC芯片被组装到封装中。

公开(公告)号：CN112582390A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202010579110.3

申请日：2020-06-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A.埃尔舍尔比尼 ,  V.莱 ,  J.斯万 ,  S.利夫 ,  P.莫罗 ,  G.帕斯达斯特 ,  M.黄

IPC: H01L25/18 ,  H01L21/98 ,  G06F15/173

Abstract: 公开用于在经封装的装置上提供集成电路（IC）芯片和小芯片的技术和机制，其中小芯片的存储器资源可由IC芯片的处理器核访问。在一实施例中，经封装的装置的硬件接口包括位于小芯片的一侧的第一导电接触部，其中硬件接口的第二导电接触部各自经由独立于小芯片的相应路径电互连到IC芯片。在另一个实施例中，第一导电接触部中的一个或多个导电接触部配置成向IC芯片或小芯片之一的装置层递送功率或传递信号。