公开(公告)号：CN105229793B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201380073111.9

申请日：2013-03-15

申请人： 英特尔公司

发明人： S·H·成 ,  S·金 ,  K·库恩 ,  W·拉赫马迪 ,  J·卡瓦列罗斯

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本说明的纳米线器件可以用以下方法产生：在至少一个纳米线晶体管的制造期间并入至少一个硬掩模以帮助保护最上层沟道纳米线使其免受可能由诸如置换栅极工艺和/或纳米线释放工艺中使用的那些工艺等的制造工艺所产生的损害。至少一个硬掩模的使用可以在多层堆叠的纳米线晶体管中产生大体上无损害的最上层沟道纳米线，这可以提高沟道纳米线的均匀性和整个多层堆叠的纳米线晶体管的可靠性。

公开(公告)号：CN110047752A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910241401.9

申请日：2013-03-15

申请人： 英特尔公司

发明人： S·H·成 ,  S·金 ,  K·库恩 ,  W·拉赫马迪 ,  J·卡瓦列罗斯

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L21/033 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  B41F3/46 ,  B41F17/08 ,  B41N10/04

摘要： 本说明的纳米线器件可以用以下方法产生：在至少一个纳米线晶体管的制造期间并入至少一个硬掩模以帮助保护最上层沟道纳米线使其免受可能由诸如置换栅极工艺和/或纳米线释放工艺中使用的那些工艺等的制造工艺所产生的损害。至少一个硬掩模的使用可以在多层堆叠的纳米线晶体管中产生大体上无损害的最上层沟道纳米线，这可以提高沟道纳米线的均匀性和整个多层堆叠的纳米线晶体管的可靠性。

公开(公告)号：CN105229793A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201380073111.9

申请日：2013-03-15

申请人： 英特尔公司

发明人： S·H·成 ,  S·金 ,  K·库恩 ,  W·拉赫马迪 ,  J·卡瓦列罗斯

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1033 ,  B41F3/46 ,  B41F17/08 ,  B41N10/04 ,  B41N2210/04 ,  B41N2210/14 ,  H01L21/0332 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696 ,  Y10T156/10

摘要： 本说明的纳米线器件可以用以下方法产生：在至少一个纳米线晶体管的制造期间并入至少一个硬掩模以帮助保护最上层沟道纳米线使其免受可能由诸如置换栅极工艺和/或纳米线释放工艺中使用的那些工艺等的制造工艺所产生的损害。至少一个硬掩模的使用可以在多层堆叠的纳米线晶体管中产生大体上无损害的最上层沟道纳米线，这可以提高沟道纳米线的均匀性和整个多层堆叠的纳米线晶体管的可靠性。