公开(公告)号：CN103426905A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310181415.9

申请日：2013-05-16

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： M.普拉佩特 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/43 ,  H01L21/04 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02595 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/04 ,  H01L21/187 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L29/04 ,  H01L29/43 ,  H01L29/7802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具有半导体结构、具有其的半导体器件和用于制造其的方法。根据实施例，一种半导体结构，包括：第一单晶半导体部分，在参考方向上具有第一晶格常数；处于所述第一单晶半导体部分上的第二单晶半导体部分，在所述参考方向上具有与所述第一晶格常数不同的第二晶格常数；以及金属层，在所述第二单晶半导体部分上形成并与所述第二单晶半导体部分相接触。

公开(公告)号：CN103426905B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201310181415.9

申请日：2013-05-16

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： M.普拉佩特 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/43 ,  H01L21/04 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02595 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/04 ,  H01L21/187 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L29/04 ,  H01L29/43 ,  H01L29/7802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具有半导体结构、具有其的半导体器件和用于制造其的方法。根据实施例，一种半导体结构，包括：第一单晶半导体部分，在参考方向上具有第一晶格常数；处于所述第一单晶半导体部分上的第二单晶半导体部分，在所述参考方向上具有与所述第一晶格常数不同的第二晶格常数；以及金属层，在所述第二单晶半导体部分上形成并与所述第二单晶半导体部分相接触。