公开(公告)号：CN104143973B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201410188400.X

申请日：2014-05-06

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： G·诺鲍尔 ,  C·卡陶 ,  D·迪布拉 ,  R·伊玲

IPC分类号： H03K17/687 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0251

摘要： 提供了一种半导体器件。开关组件包括控制元件和集成电路。集成电路包括第一晶体管元件和并联地电连接到第一晶体管元件的第二晶体管元件。第一晶体管元件包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极电极设置在半导体衬底的第一主表面中的第一沟槽中。第二晶体管元件包括第二晶体管以及与在第二沟槽中的栅极电极接触的第二栅极导电线，所述第二晶体管的栅极电极设置在第一主表面中的第二沟槽中。控制元件被配置为控制施加到第二栅极导电线的电势。

公开(公告)号：CN104143973A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201410188400.X

申请日：2014-05-06

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： G·诺鲍尔 ,  C·卡陶 ,  D·迪布拉 ,  R·伊玲

IPC分类号： H03K17/687 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0251

摘要： 提供了一种半导体器件。开关组件包括控制元件和集成电路。集成电路包括第一晶体管元件和并联地电连接到第一晶体管元件的第二晶体管元件。第一晶体管元件包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极电极设置在半导体衬底的第一主表面中的第一沟槽中。第二晶体管元件包括第二晶体管以及与在第二沟槽中的栅极电极接触的第二栅极导电线，所述第二晶体管的栅极电极设置在第一主表面中的第二沟槽中。控制元件被配置为控制施加到第二栅极导电线的电势。