存储电路和操作存储电路的方法

    公开(公告)号:CN108172252B

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN201711248677.7

    申请日:2017-12-01

    IPC分类号: G11C8/16 G11C8/14

    摘要: 公开了一种存储电路和操作存储电路的方法。在各种实施例中,提供了一种存储电路。存储电路可以包括:沿着多个行和多个列被布置在电可编程非易失性存储单元阵列中的多个电可编程存储单元;多个字线,每个字线与多个存储单元的多个字部耦接,其中每个字部被配置成存储数据字;以及与多个重叠部耦接的至少一个重叠字线,每个重叠部包括多个重叠存储单元,其中多个重叠部中的每一个包括重叠字,其中存储电路被配置成:针对多个字线中的每一个,从每个字部与多个重叠部中的一个重叠部同时进行读取,从而提供对数据字和重叠字执行的逻辑运算的结果作为读取操作的输出。

    存储电路及操作存储电路的方法

    公开(公告)号:CN108109658B

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN201711191698.X

    申请日:2017-11-24

    IPC分类号: G11C16/08

    摘要: 公开了存储电路和操作存储电路的方法。存储电路包括:多个电可编程存储单元;多个字线,每个都与存储单元中的一个或更多个耦接;多个电可编程非易失性标记存储单元;其中,至少一个字线与标记存储单元中的一个或更多个相关联;以及多个标记位线,每个都与标记存储单元中的一个或更多个相关联;多个标记源线,每个都与标记存储单元中的一个或更多个相关联;其中,对于标记存储单元中的一个或更多个,设置从关联的标记源线和/或标记位线到一个或更多个标记存储单元的物理连接,从而将一个或更多个标记存储单元限定成不可改变的存储状态,其中,标记存储单元被配置成识别处于不可改变的存储状态的相应的一个或更多个标记存储单元的相关联的字线。