公开(公告)号：CN108630525B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201810234748.6

申请日：2018-03-21

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A.卡尔莫斯

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 本发明涉及一种用于处理半导体工件的方法，其中该方法包含以下内容：在半导体工件的第一区域中形成沟槽结构，其中沟槽结构从半导体工件的表面延伸到半导体工件中直至第一深度；在第一区域的侧向旁边在半导体工件的第二区域中形成至少一个凹部，其中至少一个凹部从半导体工件的表面延伸到半导体工件中直至小于第一深度的第二深度；在半导体工件上形成至少一个材料层，其中至少一个材料层填充沟槽结构和至少一个凹部并且覆盖半导体工件的在第一区域中和在第二区域中的表面；和平坦化半导体工件，以便部分地去除在第一区域中的和在第二区域中的至少一个材料层，其中在沟槽结构中和在至少一个凹部中的至少一个材料层保留。

公开(公告)号：CN108630525A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810234748.6

申请日：2018-03-21

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A.卡尔莫斯

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L29/401 ,  H01L23/34 ,  H01L27/0255 ,  H01L28/24 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/88

摘要： 本发明涉及一种用于处理半导体工件的方法，其中该方法包含以下内容：在半导体工件的第一区域中形成沟槽结构，其中沟槽结构从半导体工件的表面延伸到半导体工件中直至第一深度；在第一区域的侧向旁边在半导体工件的第二区域中形成至少一个凹部，其中至少一个凹部从半导体工件的表面延伸到半导体工件中直至小于第一深度的第二深度；在半导体工件上形成至少一个材料层，其中至少一个材料层填充沟槽结构和至少一个凹部并且覆盖半导体工件的在第一区域中和在第二区域中的表面；和平坦化半导体工件，以便部分地去除在第一区域中的和在第二区域中的至少一个材料层，其中在沟槽结构中和在至少一个凹部中的至少一个材料层保留。