公开(公告)号：CN108630525A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810234748.6

申请日：2018-03-21

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A.卡尔莫斯

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L29/401 ,  H01L23/34 ,  H01L27/0255 ,  H01L28/24 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/88

摘要： 本发明涉及一种用于处理半导体工件的方法，其中该方法包含以下内容：在半导体工件的第一区域中形成沟槽结构，其中沟槽结构从半导体工件的表面延伸到半导体工件中直至第一深度；在第一区域的侧向旁边在半导体工件的第二区域中形成至少一个凹部，其中至少一个凹部从半导体工件的表面延伸到半导体工件中直至小于第一深度的第二深度；在半导体工件上形成至少一个材料层，其中至少一个材料层填充沟槽结构和至少一个凹部并且覆盖半导体工件的在第一区域中和在第二区域中的表面；和平坦化半导体工件，以便部分地去除在第一区域中的和在第二区域中的至少一个材料层，其中在沟槽结构中和在至少一个凹部中的至少一个材料层保留。

公开(公告)号：CN105679819A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610155996.2

申请日：2016-03-18

申请人： 电子科技大学

发明人： 陈万军 ,  李震洋 ,  蒋华平 ,  刘超 ,  古云飞 ,  程武 ,  张波

IPC分类号： H01L29/745 ,  H01L21/332 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/7455 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/41716 ,  H01L29/66363

摘要： 本发明属于功率半导体器件领域，具体的说涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导MOS栅控晶闸管，在电流密度较低时，其可以起到电子势垒的作用，从而减小了N阳极区的元胞长度，减小其有效面积，通过大幅提高阳极短路电阻来抑制snapback效应，而随着电压增加，P浮空区也会向N漂移区进行空穴发射，以进行电导调制，抑制snapback效应；同时，在反向导通时，由于额外引入的P浮空区，导通时将经过寄生PNPN结构，电流到一定量级将出现晶闸管导通，从而使其反向也具有大的电流导通能力。

公开(公告)号：CN105161527A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510362349.4

申请日：2015-06-26

申请人： 成都成电知力微电子设计有限公司

发明人： 陈星弼 ,  吕信江

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/745 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/7455

摘要： 本发明的绝缘栅双极型晶体管及晶闸管的终端表面耐压区结构有一个p型半导体耐压层(168)，它位于器件元胞区(122)与n+场截止区(400)之间；在该p型半导体耐压层(168)之上有一个绝缘介质层(800)，在此绝缘介质层之上有一个二极管；该二极管由顺序相连的p+阳极区(902)、半导体区(901)和n+阴极区(903)构成。本发明利用器件元胞区的栅源电压(VGK)直接或间接地通过表面耐压区产生控制信号来控制器件的发射结电压(VAB)，达到器件关断时消除拖尾电流，起到快速关断器件的目的。

公开(公告)号：CN1226751A

公开(公告)日：1999-08-25

申请号：CN98125384.9

申请日：1996-07-17

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 高桥彻雄 ,  中村胜光 ,  凑忠玄 ,  原田真名

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/745

CPC分类号： H01L29/66348 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66378 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/749 ,  H01L29/868 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一个由一个p+集电区(1),一个n型缓冲区(3),一个n－区(5)和一个n+阴极区(7)组成的pin二极管。一个从n+阴极区(7)的表面开始穿过n+阴极区(7)后到达n－区(5)的沟槽(9)。沿着沟槽9的内壁形成一层绝缘膜(11)。形成一个栅电极层(13)隔着绝缘与n+阴极区(7)的侧壁相对。形成一个阴极(17)与n+阴极区(7)电连接。形成一个阳极(19)与p+集电区(1)电连接。n+阴极区(7)整个形成在互相平行伸展的沟槽(9)之间的表面上。这样,一种其栅控电路被简化、且导通特性很好的功率半导体器件即可得到。

公开(公告)号：CN1142688A

公开(公告)日：1997-02-12

申请号：CN96102369.4

申请日：1996-07-17

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 高桥彻雄 ,  中村胜光 ,  凑忠玄 ,  原田真名

IPC分类号： H01L29/68 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66348 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66378 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/749 ,  H01L29/868 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一个由一个p+集电区(1)，一个n型缓冲区(3)，一个n-区(5)和一个n+阴极区(7)组成的pin二极管。一个从n+阴极区(7)的表面开始穿过n+阴极区(7)后到达n-区(5)的沟槽(9)。沿着沟槽9的内壁形成一层绝缘膜(11)。形成一个栅电极层(13)隔着绝缘与n+阴极区(7)的侧壁相对。形成一个阴极(17)与n+阴极区(7)电连接。形成一个阳极(19)与p+集电区(1)电连接。n+阴极区(7)整个形成在互相平行伸展的沟槽(9)之间的表面上。这样，一种其栅控电路被简化、且导通特性很好的功率半导体器件即可得到。

公开(公告)号：CN108231768A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711332358.4

申请日：2017-12-13

申请人： 钰创科技股份有限公司

发明人： 黄立平

IPC分类号： H01L27/102 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L27/1027 ,  H01L27/102 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/423 ,  H01L29/42308 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/742 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/7853

摘要： 本发明公开了一种具有晶闸管的存储器电路包含多个存储单元。所述多个存储单元中的每一存储单元包含一存取晶体管和一晶闸管。所述晶闸管是耦接所述存取晶体管。所述存取晶体管的栅极和所述晶闸管的栅极的其中至少一具有一鳍式结构。因此，因为所述存取晶体管的栅极和所述晶闸管的栅极的其中至少一具有所述鳍式结构，所以相较于现有技术，本发明可以很容易地微缩所述存储器电路以进入一高端半导体工艺。

公开(公告)号：CN103443924B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201280015829.8

申请日：2012-03-28

申请人： 通用电气公司

发明人： S.D.阿瑟 ,  T.L.约翰逊 ,  J.D.迈克尔 ,  J.A.弗兰黑泽 ,  D.A.利利恩菲尔德 ,  K.S.马托查 ,  W.G.豪金斯

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/7802

摘要： 根据一个实施例，一种半导体器件，其具有包含碳化硅的半导体衬底，在第一表面上、在该衬底的一部分上附设栅电极，在该衬底的第二表面上附设漏电极。在栅电极上附设有介电层以及在介电层上面、之内、或之下附设有矫正层，其中该矫正层配置成缓解负偏压温度不稳定性，保持小于约1伏的阈值电压的变化。在矫正层上附设源电极，其中源电极电耦合到半导体衬底的接触区域。

公开(公告)号：CN104377235A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410514446.6

申请日：2008-02-20

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 凑忠玄 ,  高野和丰

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L29/745 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7455

摘要： 半导体衬底(1)在第一主表面具有槽(1b)。绝缘栅型场效应部包含形成在第一主表面的栅电极(12a)。电位固定用电极(12b)埋入槽(1b)内且具有在所述第一主表面上以宽度(w2)比槽(1b)的宽度(w1)大的方式伸出的伸出部。发射极形成在第一主表面上，与栅电极(12a)电绝缘且连接到电位固定用电极(12b)的伸出部的整个上表面上。这样可以得到能够通过抑制铝尖峰的产生而提高可靠性的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN102651392B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110089026.4

申请日：2011-04-11

申请人： 成都成电知力微电子设计有限公司

发明人： 陈星弼

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7455 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/749

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件，用两个可控的电流源控制晶闸管耐压区在导通时的电子电流与空穴电流，可以使其阳极与阴极之间在高电压下总电流呈现趋于饱和的特性。从而可避免个别区域的电流集中效应而提高晶闸管的可靠性。还提出了两个电流源在器件内部的实现方法及加快由导通到关断过程及由关断到导通过程的方法。

公开(公告)号：CN103443924A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280015829.8

申请日：2012-03-28

申请人： 通用电气公司

发明人： S.D.阿瑟 ,  T.L.约翰逊 ,  J.D.迈克尔 ,  J.A.弗兰黑泽 ,  D.A.利利恩菲尔德 ,  K.S.马托查 ,  W.G.豪金斯

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/7802

摘要： 根据一个实施例，一种半导体器件，其具有包含碳化硅的半导体衬底，在第一表面上、在该衬底的一部分上附设栅电极，在该衬底的第二表面上附设漏电极。在栅电极上附设有介电层以及在介电层上面、之内、或之下附设有矫正层，其中该矫正层配置成缓解负偏压温度不稳定性，保持小于约1伏的阈值电压的变化。在矫正层上附设源电极，其中源电极电耦合到半导体衬底的接触区域。