公开(公告)号：CN105810576A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201510937887.1

申请日：2015-12-15

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·布伦鲍尔 ,  B·德鲁默 ,  K·卡斯帕 ,  G·马克

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6836 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L21/3043

摘要： 各种实施例涉及切割晶圆的方法及半导体芯片。一种切割晶圆的方法可以包括：在晶圆中形成多个有源区，每个有源区包括至少一个电子部件，有源区通过一定高度从晶圆的第一表面延伸到晶圆中并且被分离区域分离，分离区域没有金属；在至少一个分离区域中通过从晶圆的第一表面进行等离子体刻蚀而在晶圆中形成至少一个沟槽。该至少一个沟槽比多个有源区更远地延伸到晶圆中。方法可以进一步包括处理在分离区域中的晶圆的剩余部分以将晶圆分离成单独的芯片。

公开(公告)号：CN105810576B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201510937887.1

申请日：2015-12-15

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·布伦鲍尔 ,  B·德鲁默 ,  K·卡斯帕 ,  G·马克

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6836 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

摘要： 各种实施例涉及切割晶圆的方法及半导体芯片。一种切割晶圆的方法可以包括：在晶圆中形成多个有源区，每个有源区包括至少一个电子部件，有源区通过一定高度从晶圆的第一表面延伸到晶圆中并且被分离区域分离，分离区域没有金属；在至少一个分离区域中通过从晶圆的第一表面进行等离子体刻蚀而在晶圆中形成至少一个沟槽。该至少一个沟槽比多个有源区更远地延伸到晶圆中。方法可以进一步包括处理在分离区域中的晶圆的剩余部分以将晶圆分离成单独的芯片。

公开(公告)号：CN116002608A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211293587.0

申请日：2022-10-21

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： G·马克 ,  M·布兰德尔 ,  B·德鲁默

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

摘要： 本发明涉及一种半导体器件。半导体器件包括：有源区；和俘获区，相对于有源区定位在周边，俘获区具有允许颗粒通过的俘获孔，俘获孔与用于俘获颗粒的至少一个俘获腔室流体连通。本发明还涉及一种用于从一个半导体晶片制造多个半导体器件的方法，该半导体晶片具有要沿切单部分线被单个化的多个半导体器件区。该方法可以包括：在每个半导体器件区中，通过在有源区中制作或应用至少一种有源元件、制作至少一个俘获腔室、并在在比有源区更周边定位的半导体器件区的俘获区中制作与至少一个俘获腔室流体连通的俘获孔，来制作半导体前体；并且通过沿切单部分线分离半导体器件前体来对半导体器件区进行单片化，从而获得多个半导体器件。

公开(公告)号：CN108682648B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201810482055.9

申请日：2015-12-15

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·布伦鲍尔 ,  B·德鲁默 ,  K·卡斯帕 ,  G·马克

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/78

摘要： 各种实施例涉及切割晶圆的方法及半导体芯片。一种切割晶圆的方法可以包括：在晶圆中形成多个有源区，每个有源区包括至少一个电子部件，有源区通过一定高度从晶圆的第一表面延伸到晶圆中并且被分离区域分离，分离区域没有金属；在至少一个分离区域中通过从晶圆的第一表面进行等离子体刻蚀而在晶圆中形成至少一个沟槽。该至少一个沟槽比多个有源区更远地延伸到晶圆中。方法可以进一步包括处理在分离区域中的晶圆的剩余部分以将晶圆分离成单独的芯片。

公开(公告)号：CN108682648A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810482055.9

申请日：2015-12-15

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·布伦鲍尔 ,  B·德鲁默 ,  K·卡斯帕 ,  G·马克

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6836 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

摘要： 各种实施例涉及切割晶圆的方法及半导体芯片。一种切割晶圆的方法可以包括：在晶圆中形成多个有源区，每个有源区包括至少一个电子部件，有源区通过一定高度从晶圆的第一表面延伸到晶圆中并且被分离区域分离，分离区域没有金属；在至少一个分离区域中通过从晶圆的第一表面进行等离子体刻蚀而在晶圆中形成至少一个沟槽。该至少一个沟槽比多个有源区更远地延伸到晶圆中。方法可以进一步包括处理在分离区域中的晶圆的剩余部分以将晶圆分离成单独的芯片。