公开(公告)号：CN104867871B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201510084863.6

申请日：2015-02-17

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： I.格茨 ,  A.施门 ,  D.佐伊卡

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/765 ,  H01L21/78 ,  H01L29/0649

摘要： 半导体器件及形成其的方法。根据本发明的实施例，一种用于形成半导体器件的方法包括在衬底中形成器件区。所述器件区从衬底的一个侧壁连续地延伸到衬底的相对侧壁。该方法还包括在衬底中形成沟槽，所述沟槽将所述器件区划分为各有源区。该方法还包括通过沿着所述沟槽分离所述衬底来分割所述衬底。

公开(公告)号：CN104867871A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510084863.6

申请日：2015-02-17

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： I.格茨 ,  A.施门 ,  D.佐伊卡

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/765 ,  H01L21/78 ,  H01L29/0649

摘要： 半导体器件及形成其的方法。根据本发明的实施例，一种用于形成半导体器件的方法包括在衬底中形成器件区。所述器件区从衬底的一个侧壁连续地延伸到衬底的相对侧壁。该方法还包括在衬底中形成沟槽，所述沟槽将所述器件区划分为各有源区。该方法还包括通过沿着所述沟槽分离所述衬底来分割所述衬底。