公开(公告)号：CN106098627A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610275892.5

申请日：2016-04-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.霍夫曼 ,  D.曼格 ,  A.普里比尔 ,  M.普罗布斯特 ,  S.特根

IPC: H01L21/8249 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明公开带有完全自对准的发射极‑硅的BiMOS器件及其制造方法。实施例提供用于制造双极结型晶体管的方法。所述方法包括提供第一传导类型的衬底和布置在所述衬底上的层堆叠，其中层堆叠包括布置在所述衬底的表面区上的第一隔离层、布置在第一隔离层上的牺牲层以及布置在牺牲层上的第二隔离层，其中层堆叠包括通过第二隔离层、牺牲层和第一隔离层直到衬底的表面区形成在层堆叠中的窗口。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的衬底上提供第一半导体类型的集电极层。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的集电极层上提供第二半导体类型的基极层。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的基极层上提供发射极层或包括发射极层的发射极层堆叠。

公开(公告)号：CN106098627B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201610275892.5

申请日：2016-04-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.霍夫曼 ,  D.曼格 ,  A.普里比尔 ,  M.普罗布斯特 ,  S.特根

IPC: H01L21/8249 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明公开带有完全自对准的发射极‑硅的BiMOS器件及其制造方法。实施例提供用于制造双极结型晶体管的方法。所述方法包括提供第一传导类型的衬底和布置在所述衬底上的层堆叠，其中层堆叠包括布置在所述衬底的表面区上的第一隔离层、布置在第一隔离层上的牺牲层以及布置在牺牲层上的第二隔离层，其中层堆叠包括通过第二隔离层、牺牲层和第一隔离层直到衬底的表面区形成在层堆叠中的窗口。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的衬底上提供第一半导体类型的集电极层。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的集电极层上提供第二半导体类型的基极层。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的基极层上提供发射极层或包括发射极层的发射极层堆叠。