公开(公告)号：CN113937160A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110789572.2

申请日：2021-07-13

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： H-J·舒尔茨 ,  P·科勒-雷德利希 ,  T·拉斯卡 ,  F-J·尼德诺斯泰德 ,  V·范特里克

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 公开了竖向功率半导体器件和制造方法。提出了一种竖向功率半导体器件(100)。竖向功率半导体器件(100)包括半导体本体(102)，半导体本体(102)包括半导体衬底(104)和在半导体衬底(104)上的半导体层(106)。半导体本体(102)具有第一主表面(1081)和沿着竖向方向(y)与第一主表面(1081)相对的第二主表面(1082)。竖向功率半导体器件(100)进一步包括在半导体本体(102)中的漂移区(110)。漂移区(110)的第一部分(1101)被布置在半导体衬底(104)中。漂移区(110)的第二部分(1102)被布置在半导体层(106)中。竖向功率半导体器件(100)进一步包括被布置在半导体衬底(104)中的场停止区(112)，其中场停止区(112)的沿着竖向方向(y)取平均的掺杂浓度大于漂移区(110)的沿着竖向方向(y)取平均的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN112768518A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202011133037.3

申请日：2020-10-21

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： V·范特里克 ,  R·巴布斯克 ,  C·耶格 ,  C·R·缪勒 ,  F-J·尼德诺斯泰德 ,  F·D·普菲尔施 ,  A·菲利波 ,  J·施佩希特

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L23/482 ,  H01L29/45

摘要： 公开了半导体管芯、半导体器件以及绝缘栅双极晶体管模块。一种半导体管芯(510)包括半导体本体(100)。半导体本体(100)包括第一有源部分(191)和第二有源部分(192)。第一有源部分(191)包括第一源极区(111)。第二有源部分(192)包括第二源极区(112)。栅极结构(150)从第一表面(101)延伸到半导体本体(100)中。栅极结构(150)具有沿着横向第一方向(291)的纵向栅极延伸(lg)。第一负载焊盘(311)和第一源极区(111)被电连接。第二负载焊盘(312)和第二源极区(112)被电连接。间隙(230)在横向上分离第一负载焊盘(311)和第二负载焊盘(312)。间隙(230)的在横向上的纵向延伸平行于第一方向(291)或者从第一方向(291)偏离不多于60度。连接结构(390)电连接第一负载焊盘(311)和第二负载焊盘(312)。连接结构(390)被形成在从第一表面(101)延伸到半导体本体(100)中的凹槽中和/或被形成在形成于第一表面(101)上的布线层中。