-
公开(公告)号：CN108962749B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201810575915.3
申请日：2015-06-24
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： C·P·桑道 , F·J·涅德诺斯塞德 , V·范特里克
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/739
摘要： 实施例涉及绝缘栅双极晶体管器件和半导体器件。一种绝缘栅双极晶体管器件包括半导体衬底，其包括绝缘栅双极晶体管结构的漂移区域。第一鳍结构从半导体衬底的漂移区域开始并且垂直于半导体衬底的主表面延伸。绝缘栅双极晶体管结构的第一栅极结构沿着第一鳍结构的至少一部分延伸。
-
公开(公告)号：CN105226086A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510354289.1
申请日：2015-06-24
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： C·P·桑道 , F·J·涅德诺斯塞德 , V·范特里克
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/0676 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/1095 , H01L29/42356 , H01L29/7396 , H01L29/7393 , H01L29/66325 , H01L29/7395
摘要： 实施例涉及绝缘栅双极晶体管器件、半导体器件和用于形成所述器件的方法。绝缘栅双极晶体管器件100包括半导体衬底，该半导体衬底包括绝缘栅双极晶体管结构的漂移区域112。进一步地，绝缘栅双极晶体管器件100包括第一纳米线结构120和第一栅极结构130。绝缘栅双极晶体管结构的第一纳米线结构120被连接至漂移区域112。进一步地，绝缘栅双极晶体管结构的第一栅极结构130沿着第一纳米线结构120的至少一部分延伸。
-
公开(公告)号：CN113937160A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110789572.2
申请日：2021-07-13
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： H-J·舒尔茨 , P·科勒-雷德利希 , T·拉斯卡 , F-J·尼德诺斯泰德 , V·范特里克
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 公开了竖向功率半导体器件和制造方法。提出了一种竖向功率半导体器件(100)。竖向功率半导体器件(100)包括半导体本体(102)，半导体本体(102)包括半导体衬底(104)和在半导体衬底(104)上的半导体层(106)。半导体本体(102)具有第一主表面(1081)和沿着竖向方向(y)与第一主表面(1081)相对的第二主表面(1082)。竖向功率半导体器件(100)进一步包括在半导体本体(102)中的漂移区(110)。漂移区(110)的第一部分(1101)被布置在半导体衬底(104)中。漂移区(110)的第二部分(1102)被布置在半导体层(106)中。竖向功率半导体器件(100)进一步包括被布置在半导体衬底(104)中的场停止区(112)，其中场停止区(112)的沿着竖向方向(y)取平均的掺杂浓度大于漂移区(110)的沿着竖向方向(y)取平均的掺杂浓度。
-
公开(公告)号：CN105226086B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201510354289.1
申请日：2015-06-24
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： C·P·桑道 , F·J·涅德诺斯塞德 , V·范特里克
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/0676 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/1095 , H01L29/42356 , H01L29/7396
摘要： 实施例涉及绝缘栅双极晶体管器件、半导体器件和用于形成所述器件的方法。绝缘栅双极晶体管器件100包括半导体衬底，该半导体衬底包括绝缘栅双极晶体管结构的漂移区域112。进一步地，绝缘栅双极晶体管器件100包括第一纳米线结构120和第一栅极结构130。绝缘栅双极晶体管结构的第一纳米线结构120被连接至漂移区域112。进一步地，绝缘栅双极晶体管结构的第一栅极结构130沿着第一纳米线结构120的至少一部分延伸。
-
公开(公告)号：CN112768518A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011133037.3
申请日：2020-10-21
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L23/482 , H01L29/45
摘要： 公开了半导体管芯、半导体器件以及绝缘栅双极晶体管模块。一种半导体管芯(510)包括半导体本体(100)。半导体本体(100)包括第一有源部分(191)和第二有源部分(192)。第一有源部分(191)包括第一源极区(111)。第二有源部分(192)包括第二源极区(112)。栅极结构(150)从第一表面(101)延伸到半导体本体(100)中。栅极结构(150)具有沿着横向第一方向(291)的纵向栅极延伸(lg)。第一负载焊盘(311)和第一源极区(111)被电连接。第二负载焊盘(312)和第二源极区(112)被电连接。间隙(230)在横向上分离第一负载焊盘(311)和第二负载焊盘(312)。间隙(230)的在横向上的纵向延伸平行于第一方向(291)或者从第一方向(291)偏离不多于60度。连接结构(390)电连接第一负载焊盘(311)和第二负载焊盘(312)。连接结构(390)被形成在从第一表面(101)延伸到半导体本体(100)中的凹槽中和/或被形成在形成于第一表面(101)上的布线层中。
-
公开(公告)号：CN108962749A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810575915.3
申请日：2015-06-24
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： C·P·桑道 , F·J·涅德诺斯塞德 , V·范特里克
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/0676 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/1095 , H01L29/42356 , H01L29/7396
摘要： 实施例涉及绝缘栅双极晶体管器件和半导体器件。一种绝缘栅双极晶体管器件包括半导体衬底，其包括绝缘栅双极晶体管结构的漂移区域。第一鳍结构从半导体衬底的漂移区域开始并且垂直于半导体衬底的主表面延伸。绝缘栅双极晶体管结构的第一栅极结构沿着第一鳍结构的至少一部分延伸。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.024 秒)
