公开(公告)号：CN113937160A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110789572.2

申请日：2021-07-13

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： H-J·舒尔茨 ,  P·科勒-雷德利希 ,  T·拉斯卡 ,  F-J·尼德诺斯泰德 ,  V·范特里克

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 公开了竖向功率半导体器件和制造方法。提出了一种竖向功率半导体器件(100)。竖向功率半导体器件(100)包括半导体本体(102)，半导体本体(102)包括半导体衬底(104)和在半导体衬底(104)上的半导体层(106)。半导体本体(102)具有第一主表面(1081)和沿着竖向方向(y)与第一主表面(1081)相对的第二主表面(1082)。竖向功率半导体器件(100)进一步包括在半导体本体(102)中的漂移区(110)。漂移区(110)的第一部分(1101)被布置在半导体衬底(104)中。漂移区(110)的第二部分(1102)被布置在半导体层(106)中。竖向功率半导体器件(100)进一步包括被布置在半导体衬底(104)中的场停止区(112)，其中场停止区(112)的沿着竖向方向(y)取平均的掺杂浓度大于漂移区(110)的沿着竖向方向(y)取平均的掺杂浓度。