MEMS器件和用于MEMS器件的制造方法

    公开(公告)号:CN109279569A

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201810805984.9

    申请日:2018-07-20

    Abstract: 根据一个实施例,用于双膜MEMS器件300的制造方法100包括以下步骤:在载体衬底210上提供120层布置200,其中层布置200具有彼此间隔的第一膜结构220和第二膜结构230以及布置在其间的反电极结构240,其中在反电极结构240与分别与该反电极结构间隔的第一膜结构和第二膜结构之间的中间区域260中布置有牺牲材料250,并且其中第一膜结构220具有朝向具有牺牲材料250的中间区域260的开口结构270;从中间区域部分去除140牺牲材料250,以获得在第一膜结构和第二膜结构之间的具有牺牲材料250的机械连接结构280,机械连接结构机械耦合到第一膜结构和第二膜结构之间并且与反电极结构机械解耦。

    MEMS器件和用于MEMS器件的制造方法

    公开(公告)号:CN109279569B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN201810805984.9

    申请日:2018-07-20

    Abstract: 根据一个实施例,用于双膜MEMS器件300的制造方法100包括以下步骤:在载体衬底210上提供120层布置200,其中层布置200具有彼此间隔的第一膜结构220和第二膜结构230以及布置在其间的反电极结构240,其中在反电极结构240与分别与该反电极结构间隔的第一膜结构和第二膜结构之间的中间区域260中布置有牺牲材料250,并且其中第一膜结构220具有朝向具有牺牲材料250的中间区域260的开口结构270;从中间区域部分去除140牺牲材料250,以获得在第一膜结构和第二膜结构之间的具有牺牲材料250的机械连接结构280,机械连接结构机械耦合到第一膜结构和第二膜结构之间并且与反电极结构机械解耦。

    传感器装置
    4.
    发明公开
    传感器装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116256089A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202211511962.4

    申请日:2022-11-29

    Abstract: 描述了一种传感器装置,包括:衬底,具有在其第一主表面区域和第二主表面区域之间的贯通开口;声音换能部分,被布置在衬底的第一主表面区域处并且至少部分地跨越衬底中的贯通开口;以及压力感测部分,被布置在衬底的第一主表面区域处并且流体耦接到衬底中的贯通开口。声音换能部分包括可偏转膜结构和反电极。压力感测部分包括以堆叠配置的第一和第二刚性电极以及可偏转膜结构。压力感测部分的可偏转膜结构与衬底的第一主表面区域的平面相对。以堆叠配置的形式,压力传感器的第一和第二刚性电极形成压力传感器的参考电容器,并且第二刚性电极和膜结构形成压力传感器的感测电容器。因此,创建了在没有压力传感器的带宽限制的情况下在单个芯片中实现的传感器装置,从而提供了改进的传感器性能。

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