公开(公告)号：CN117936467A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311397881.0

申请日：2023-10-26

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·海登布卢特 ,  M·戈罗尔 ,  S·凯泽 ,  S·阿纳尼耶夫 ,  S·博古特 ,  G·马克 ,  A·鲍尔 ,  G·M·罗伊特

IPC分类号： H01L23/31

摘要： 一种电子芯片(100)，其包括：衬底(102)，其包括中心部分(104)和围绕所述中心部分(104)的至少一部分的边缘部分(106)；有源区域(108)，其布置在所述中心部分(104)中；以及与裂纹终止结构(112)相结合的裂纹引导结构(110)，所述裂纹引导结构(110)与所述裂纹终止结构(112)都布置在所述边缘部分(106)中。

公开(公告)号：CN107785343A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710740764.8

申请日：2017-08-25

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： S·阿纳尼耶夫 ,  R·鲍尔 ,  H·克尔纳 ,  Y·Y·陈 ,  J·瓦尔特

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/488 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/02 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/02122 ,  H01L2224/10122 ,  H01L2224/13

摘要： 一种半导体装置包括导电接触焊盘结构。此外，所述半导体装置包括结合结构。所述结合结构至少在封闭的界面区域处与导电接触焊盘结构接触。附加地，半导体装置包括侧向包围所述封闭的界面区域的劣化防止结构。所述劣化防止结构垂直方向上位于所述结合结构的一部分与所述导电接触焊盘结构的一部分之间。