公开(公告)号：CN107785343A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710740764.8

申请日：2017-08-25

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： S·阿纳尼耶夫 ,  R·鲍尔 ,  H·克尔纳 ,  Y·Y·陈 ,  J·瓦尔特

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/488 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/02 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/02122 ,  H01L2224/10122 ,  H01L2224/13

摘要： 一种半导体装置包括导电接触焊盘结构。此外，所述半导体装置包括结合结构。所述结合结构至少在封闭的界面区域处与导电接触焊盘结构接触。附加地，半导体装置包括侧向包围所述封闭的界面区域的劣化防止结构。所述劣化防止结构垂直方向上位于所述结合结构的一部分与所述导电接触焊盘结构的一部分之间。

公开(公告)号：CN111682007A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010305127.X

申请日：2017-05-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·鲍尔 ,  J·丹格尔迈尔 ,  R·恩格尔 ,  J·加特鲍尔 ,  F·希勒 ,  M·许廷格 ,  W·卡纳特 ,  H·克尔纳 ,  J·马勒 ,  B·吕勒 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯 ,  A·韦莱伊

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

摘要： 在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括：芯片；包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料；和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括贵金属，所述保护层的所述部分可包括多个不含所述贵金属的区域，所述不含所述贵金属的区域可提供所述封装材料与所述金属接触结构的非贵金属之间的接合面。

公开(公告)号：CN111682007B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202010305127.X

申请日：2017-05-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·鲍尔 ,  J·丹格尔迈尔 ,  R·恩格尔 ,  J·加特鲍尔 ,  F·希勒 ,  M·许廷格 ,  W·卡纳特 ,  H·克尔纳 ,  J·马勒 ,  B·吕勒 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯 ,  A·韦莱伊

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

摘要： 在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括：芯片；包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料；和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括贵金属，所述保护层的所述部分可包括多个不含所述贵金属的区域，所述不含所述贵金属的区域可提供所述封装材料与所述金属接触结构的非贵金属之间的接合面。

公开(公告)号：CN107403763A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710357010.4

申请日：2017-05-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·鲍尔 ,  R·恩格尔 ,  M·许廷格 ,  W·卡纳特 ,  H·克尔纳 ,  J·马勒 ,  B·吕勒

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/56

摘要： 在各种实施例中，提供了一种芯片封装体。所述芯片封装体可包括包含芯片金属表面的芯片、与所述芯片金属表面电接触的金属接触结构以及包括与所述芯片金属表面和/或与所述金属接触结构物理接触的接触层的封装材料；其中，至少在所述封装材料的接触层中，化学活性的硫、化学活性的硒和化学活性的碲的总浓度小于百万分之10个原子。

公开(公告)号：CN107403782B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201710358120.2

申请日：2017-05-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·鲍尔 ,  J·丹格尔迈尔 ,  R·恩格尔 ,  J·加特鲍尔 ,  F·希勒 ,  M·许廷格 ,  W·卡纳特 ,  H·克尔纳 ,  J·马勒 ,  B·吕勒 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯 ,  A·韦莱伊

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60

摘要： 在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括：芯片；包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料；和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括贵金属，所述保护层的所述部分可包括多个不含所述贵金属的区域，所述不含所述贵金属的区域可提供所述封装材料与所述金属接触结构的非贵金属之间的接合面。

公开(公告)号：CN107403763B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201710357010.4

申请日：2017-05-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·鲍尔 ,  R·恩格尔 ,  M·许廷格 ,  W·卡纳特 ,  H·克尔纳 ,  J·马勒 ,  B·吕勒

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/56

摘要： 在各种实施例中，提供了一种芯片封装体。所述芯片封装体可包括包含芯片金属表面的芯片、与所述芯片金属表面电接触的金属接触结构以及包括与所述芯片金属表面和/或与所述金属接触结构物理接触的接触层的封装材料；其中，至少在所述封装材料的接触层中，化学活性的硫、化学活性的硒和化学活性的碲的总浓度小于百万分之10个原子。

公开(公告)号：CN107403782A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710358120.2

申请日：2017-05-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·鲍尔 ,  J·丹格尔迈尔 ,  R·恩格尔 ,  J·加特鲍尔 ,  F·希勒 ,  M·许廷格 ,  W·卡纳特 ,  H·克尔纳 ,  J·马勒 ,  B·吕勒 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯 ,  A·韦莱伊

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60

摘要： 在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括：芯片；包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料；和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括贵金属，所述保护层的所述部分可包括多个不含所述贵金属的区域，所述不含所述贵金属的区域可提供所述封装材料与所述金属接触结构的非贵金属之间的接合面。