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公开(公告)号：CN113921515A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110771780.X
申请日：2021-07-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开的各实施例涉及包括功率晶体管和DC馈送路径的器件和方法。提供了在输出节点(12)处包括功率晶体管(11)的器件(10)，输出节点被耦合到功率晶体管(11)的负载端子。还提供了DC馈送路径(17)。一个或多个分立电容器(14、15)被耦合在DC馈送路径与参考电位之间。一个或多个分立电容器(14、15)中最靠近输出节点的第一电容器(14)是沟槽电容器器件。
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公开(公告)号：CN108233881B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201711397687.7
申请日：2017-12-21
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及一种紧凑型F类芯片和接线匹配拓扑结构。放大器电路包括RF输入端口、RF输出端口、参考电势端口、以及具有输入端子和第一输出端子的RF放大器。输出阻抗匹配网络将第一输出端子电耦合至RF输出端口。第一电感器串联电连接在第一输出端子和RF输出端口之间，第一LC谐振器直接电连接在第一输出端子和参考电势端口之间，以及第二LC谐振器直接电连接在第一输出端子和参考电势端口之间。第一LC谐振器被配置用于在RF信号的中心频率处补偿RF放大器的输出电容。第二LC谐振器被配置用于补偿RF信号的二阶谐波。
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公开(公告)号：CN106487336B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201610782795.5
申请日：2016-08-30
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H03F1/02
摘要： 本公开涉及促进功率放大器关闭状态性能的设备和方法，其公开了一种峰值放大器。该峰值放大器包括驱动器级、最终级和级间匹配网络。驱动器级具有负载阻抗并被配置为基于输入信号生成驱动器输出。最终级具有最终级输入阻抗并被配置为基于驱动器输出生成峰值输出。级间匹配网络耦合至驱动器级和最终级。级间匹配网络被配置为当峰值放大器接通时将最终级输入阻抗转换为驱动器级的负载阻抗，以及当峰值放大器处于断开状态时为最终级的输入提供短路。
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公开(公告)号：CN108631766A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810219397.1
申请日：2018-03-16
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H03K19/0175
CPC分类号： H03H7/20 , H01L29/7816 , H03H7/18 , H03H7/19
摘要： 一种相位偏移器包括第一RF端子和第二RF端子，参考电势端子；连接至第一RF端子和第二RF端子以及参考电势端子的集总元件LC网络，以及连接至集总元件LC网络和参考电势端子的第一有源半导体器件和第二有源半导体器件。第一有源半导体器件和第二有源半导体器件中的每个有源半导体器件包括控制端子以及第一输出端子和第二输出端子。集总元件LC网络呈现跨第一RF端子和第二RF端子的电抗，偏移在第一RF端子和第二RF端子之间RF信号的相位。第一有源半导体器件和第二有源半导体器件被配置用于通过控制跨第一RF端子和第二RF端子的电抗调谐RF信号的相位偏移。
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公开(公告)号：CN117997292A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311455517.5
申请日：2023-11-02
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 根据实施例，一种RF放大器包括：第一放大器，包括第一晶体管，所述第一晶体管被耦合到第一供给节点，所述第一供给节点被配置为提供第一供给电压，所述第一晶体管具有第一装置周界；第二放大器，包括第二晶体管，所述第二晶体管被耦合到第二供给节点，所述第二供给节点被配置为提供高于所述第一供给电压的第二供给电压，所述第二晶体管具有第二装置周界；和组合网络，被耦合到所述第一放大器的输出、所述第二放大器的输出和RF输出端口。所述第一装置周界、所述第一供给电压、所述第二装置周界和所述第二供给电压被配置为保持0.3和1.0之间的结温比，并且所述结温比是所述第一放大器的温度与所述第二放大器的温度之比。
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公开(公告)号：CN108233881A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711397687.7
申请日：2017-12-21
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H03F1/565 , H01L23/66 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/111 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03H7/1758 , H03H7/38
摘要： 本公开涉及一种紧凑型F类芯片和接线匹配拓扑结构。放大器电路包括RF输入端口、RF输出端口、参考电势端口、以及具有输入端子和第一输出端子的RF放大器。输出阻抗匹配网络将第一输出端子电耦合至RF输出端口。第一电感器串联电连接在第一输出端子和RF输出端口之间，第一LC谐振器直接电连接在第一输出端子和参考电势端口之间，以及第二LC谐振器直接电连接在第一输出端子和参考电势端口之间。第一LC谐振器被配置用于在RF信号的中心频率处补偿RF放大器的输出电容。第二LC谐振器被配置用于补偿RF信号的二阶谐波。
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公开(公告)号：CN106487336A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610782795.5
申请日：2016-08-30
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H03F1/02
摘要： 本公开涉及促进功率放大器关闭状态性能的设备和方法，其公开了一种峰值放大器。该峰值放大器包括驱动器级、最终级和级间匹配网络。驱动器级具有负载阻抗并被配置为基于输入信号生成驱动器输出。最终级具有最终级输入阻抗并被配置为基于驱动器输出生成峰值输出。级间匹配网络耦合至驱动器级和最终级。级间匹配网络被配置为当峰值放大器接通时将最终级输入阻抗转换为驱动器级的负载阻抗，以及当峰值放大器处于断开状态时为最终级的输入提供短路。
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公开(公告)号：CN108631766B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201810219397.1
申请日：2018-03-16
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H03K19/0175
摘要： 一种相位偏移器包括第一RF端子和第二RF端子，参考电势端子；连接至第一RF端子和第二RF端子以及参考电势端子的集总元件LC网络，以及连接至集总元件LC网络和参考电势端子的第一有源半导体器件和第二有源半导体器件。第一有源半导体器件和第二有源半导体器件中的每个有源半导体器件包括控制端子以及第一输出端子和第二输出端子。集总元件LC网络呈现跨第一RF端子和第二RF端子的电抗，偏移在第一RF端子和第二RF端子之间RF信号的相位。第一有源半导体器件和第二有源半导体器件被配置用于通过控制跨第一RF端子和第二RF端子的电抗调谐RF信号的相位偏移。
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公开(公告)号：CN106059502A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610237050.0
申请日：2016-04-15
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H03F1/02
CPC分类号： H03F1/0288 , H03F3/602 , H03F2200/09 , H03F2200/451
摘要： 本公开的实施例涉及一种Doherty放大器电路，包括RF输入端子、RF输出端子、具有第一输入端子和第一输出驱动端子的主放大器、以及具有第二输入端子和第二输出驱动端子的峰值放大器。输出组合网络被配置成从第一和第二输出驱动端子向求和节点中馈送输出电流。输出组合网络包括：传输线变压器巴伦，具有第一和第二输入端口以及连接到求和节点的第一输出端口；在第一输出驱动端子与第一输入端口之间的第一电连接；以及在第二输出驱动端子与第二输入端口之间的第二电连接。第二电连接包括四分之一波阻抗变换器。求和节点与RF输出端子之间连接有第一输出阻抗匹配网络。
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