公开(公告)号：CN108026434B

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201680056096.0

申请日：2016-09-23

申请人： 荣昌化学制品株式会社 ,  SKC株式会社

发明人： 李昇勋 ,  李昇炫 ,  李秀珍 ,  金胜焕

IPC分类号： C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及CMP用浆料组合物及利用该组合物的抛光方法，更详细地说，提供如下的CMP用浆料组合物及利用该组合物的抛光方法：通过调节添加剂以及溶剂的含量，可自由调节氧化硅膜、氮化硅膜以及多晶硅膜的选择比来进行抛光，因此可有效地适用于要求对于氧化硅膜选择性去除氮化硅膜以及多晶硅膜的半导体制造工艺。

公开(公告)号：CN108026434A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680056096.0

申请日：2016-09-23

申请人： 荣昌化学制品株式会社 ,  SKC株式会社

发明人： 李昇勋 ,  李昇炫 ,  李秀珍 ,  金胜焕

IPC分类号： C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及CMP用浆料组合物及利用该组合物的抛光方法，更详细地说，提供如下的CMP用浆料组合物及利用该组合物的抛光方法：通过调节添加剂以及溶剂的含量，可自由调节氧化硅膜、氮化硅膜以及多晶硅膜的选择比来进行抛光，因此可有效地适用于要求对于氧化硅膜选择性去除氮化硅膜以及多晶硅膜的半导体制造工艺。

公开(公告)号：CN113557272B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202080018652.1

申请日：2020-03-02

申请人： 荣昌化学制品株式会社

发明人： 李昇勋 ,  李昇炫 ,  金胜焕

IPC分类号： C11D7/04 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105

摘要： 本发明涉及一种CMP用浆料组合物及使用其的研磨方法，更具体地，通过去除作为研磨材料的硅溶胶的ζ电位(Zeta potential)和金属杂质提高氧化硅膜的研磨性能并最小化刮伤缺陷，可以通过调节添加剂和研磨材料的含量来自由地调节对氧化硅膜、氮化硅膜及多晶硅膜的选择性比以进行研磨，从而提供一种能够有效地应用于去除氧化硅膜的段差的半导体工艺及需要相对于氮化硅膜选择性地去除氧化硅膜及多晶硅膜的半导体制造工艺中的CMP用浆料组合物及使用其的研磨方法。

公开(公告)号：CN113518817A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202080018653.6

申请日：2020-02-10

申请人： 荣昌化学制品株式会社

发明人： 李昇勋 ,  李昇炫 ,  金胜焕 ,  陈昇吾

IPC分类号： C09K13/06 ,  C09K13/08

摘要： 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻组合物。所述蚀刻组合物由无机酸、环氧(Epoxy)系硅化合物及水组成，本发明的蚀刻组成物具有能够最小化下部金属膜质的损伤和氧化硅膜的蚀刻，并能够选择性地去除氮化硅膜的效果。

公开(公告)号：CN110637078A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880033099.1

申请日：2018-05-31

申请人： 荣昌化学制品株式会社

发明人： 李昇勋 ,  李昇炫 ,  金胜焕 ,  咸庆国

IPC分类号： C10M169/02 ,  C10M169/04

摘要： 本发明涉及切割油组合物，用于提供一种分层、分散性、粘度、锯切后晶锭清洗时间、锯切后晶片弯曲程度相比于以往切割油组合物显著优异的切割油组合物，本发明的切割油组合物首先是高度氢化处理的以化学式1至化学式3表示的矿物油和增粘剂为膨润土(Bentonite clay)、分散剂为甘油三油酸酯(Glycerine trioleate)的切割油组合物，且涉及利用这种切割油组合物进行切割的方法。

公开(公告)号：CN110418834A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201880018338.6

申请日：2018-03-06

申请人： 荣昌化学制品株式会社

发明人： 李昇勋 ,  李昇炫 ,  金胜焕

IPC分类号： C11D11/00 ,  C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D7/50

摘要： 本发明旨在提供一种在有效去除化学机械式研磨后的晶片基板表面附着的杂质的同时，不腐蚀金属排线材料的化学机械式研磨后清洗用组合物，涉及一种包含氢氧化胆碱、四丁基氢氧化铵、1,2,4-三唑、2-羟基吡啶以及余量的超纯水的化学机械式研磨后清洗用组合物。

公开(公告)号：CN116057151A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180057994.9

申请日：2021-07-05

申请人： 荣昌化学制品株式会社

发明人： 李昇勋 ,  李昇炫 ,  金胜焕 ,  陈昇吾

IPC分类号： C09K13/06

摘要： 本发明涉及一种能够调节氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比的蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。所述蚀刻用组合物包括无机酸、氧化剂、由化学式1表示的添加剂、及余量的水，其表现出以下显著效果：根据半导体制造工艺的各种湿式蚀刻工艺，能够显著快的维持氮化钛膜的蚀刻速度，与此同时，能够将氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比调节为1至15而使用。

公开(公告)号：CN110637078B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201880033099.1

申请日：2018-05-31

申请人： 荣昌化学制品株式会社

发明人： 李昇勋 ,  李昇炫 ,  金胜焕 ,  咸庆国

IPC分类号： C10M169/02 ,  C10M169/04

摘要： 本发明涉及切割油组合物，用于提供一种分层、分散性、粘度、锯切后晶锭清洗时间、锯切后晶片弯曲程度相比于以往切割油组合物显著优异的切割油组合物，本发明的切割油组合物首先是高度氢化处理的以化学式1至化学式3表示的矿物油和增粘剂为膨润土(Bentonite clay)、分散剂为甘油三油酸酯(Glycerine trioleate)的切割油组合物，且涉及利用这种切割油组合物进行切割的方法。

公开(公告)号：CN113518817B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202080018653.6

申请日：2020-02-10

申请人： 荣昌化学制品株式会社

发明人： 李昇勋 ,  李昇炫 ,  金胜焕 ,  陈昇吾

IPC分类号： C09K13/06 ,  C09K13/08

摘要： 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻组合物。所述蚀刻组合物由无机酸、环氧(Epoxy)系硅化合物及水组成，本发明的蚀刻组成物具有能够最小化下部金属膜质的损伤和氧化硅膜的蚀刻，并能够选择性地去除氮化硅膜的效果。

公开(公告)号：CN113544248A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202080019528.7

申请日：2020-02-10

申请人： 荣昌化学制品株式会社

发明人： 李昇勋 ,  李昇炫 ,  金胜焕 ,  陈昇吾

IPC分类号： C11D1/825 ,  C11D3/04 ,  C11D3/20 ,  C11D11/00 ,  B08B3/12 ,  B08B3/08 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及在半导体器件制造中使用的半导体晶片清洗用组合物及利用其的半导体晶片清洗方法，本发明的半导体晶片清洗用组合物由以化学式1及化学式2形成的表面活性剂、无机酸或有机酸、余量的水组成，本发明的半导体晶片清洗方法是使半导体晶片浸渍于清洗用组合物100至500秒的方法。根据本发明的清洗用组合物及清洗方法在半导体器件制造用晶片表面的研磨工艺中，提供针对污染物质，特别是，对有机蜡显著增大的去除效率及有效的清洗力，从而使晶片表面高度清洁，表现出能够制造高可靠度的半导体元件的效果。