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公开(公告)号：CN108026434B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201680056096.0
申请日：2016-09-23
申请人： 荣昌化学制品株式会社 , SKC株式会社
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , H01L21/306
摘要： 本发明涉及CMP用浆料组合物及利用该组合物的抛光方法，更详细地说，提供如下的CMP用浆料组合物及利用该组合物的抛光方法：通过调节添加剂以及溶剂的含量，可自由调节氧化硅膜、氮化硅膜以及多晶硅膜的选择比来进行抛光，因此可有效地适用于要求对于氧化硅膜选择性去除氮化硅膜以及多晶硅膜的半导体制造工艺。
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公开(公告)号：CN108026434A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680056096.0
申请日：2016-09-23
申请人： 荣昌化学制品株式会社 , SKC株式会社
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , H01L21/306
摘要： 本发明涉及CMP用浆料组合物及利用该组合物的抛光方法，更详细地说，提供如下的CMP用浆料组合物及利用该组合物的抛光方法：通过调节添加剂以及溶剂的含量，可自由调节氧化硅膜、氮化硅膜以及多晶硅膜的选择比来进行抛光，因此可有效地适用于要求对于氧化硅膜选择性去除氮化硅膜以及多晶硅膜的半导体制造工艺。
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公开(公告)号：CN109844639B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201780063653.6
申请日：2017-10-12
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明为了提供有用于半导体光刻工艺的具有高耐蚀刻性的硬掩膜组合物，提供包含二苯并咔唑(dibenzo carbazole)聚合物的旋涂式硬掩膜组合物以及通过旋涂将该组合物进行涂敷于被蚀刻层上部的工艺以及烘烤工艺形成硬掩膜层的图案化方法，本发明的硬掩膜具有能够承受多重蚀刻(mutil etch)过程的高耐蚀刻性、优秀的溶解度特性以及机械特性的效果。
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公开(公告)号：CN113557272B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202080018652.1
申请日：2020-03-02
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： C11D7/04 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/3105
摘要： 本发明涉及一种CMP用浆料组合物及使用其的研磨方法，更具体地，通过去除作为研磨材料的硅溶胶的ζ电位(Zeta potential)和金属杂质提高氧化硅膜的研磨性能并最小化刮伤缺陷，可以通过调节添加剂和研磨材料的含量来自由地调节对氧化硅膜、氮化硅膜及多晶硅膜的选择性比以进行研磨，从而提供一种能够有效地应用于去除氧化硅膜的段差的半导体工艺及需要相对于氮化硅膜选择性地去除氧化硅膜及多晶硅膜的半导体制造工艺中的CMP用浆料组合物及使用其的研磨方法。
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公开(公告)号：CN109073973B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201780019170.6
申请日：2017-03-22
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明涉及用具有高分辨率和高纵横比的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物；更详细地说，提供如下的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物：为了改善现有的负性光致抗蚀剂的物理性质而包含特定化合物，进而相比于现有的负性光致抗蚀剂，在短波长曝光光源中也能够防止精细图案坍塌，不仅如此还能够实现高分辨率以及高纵横比，进而适合用于半导体工艺。
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公开(公告)号：CN113424299A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080012482.6
申请日：2020-01-17
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/02 , C11D11/00 , C11D7/50
摘要： 本发明的目的在于提供一种在半导体制造工艺中用于实现纵横比大的微细硅图案的工艺，涉及一种为了形成微细硅图案，且为了清除残留在图案下部的有机碳膜不纯物质及由烟气产生的不纯物质而进行清洗工程，以形成所希望的图案而不发生图案被升起的新的清洗方法，具有提供细微图案形成方法的效果。
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公开(公告)号：CN107850841B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201680043047.3
申请日：2016-06-27
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明涉及用于形成半导体图案的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物。更详细地说，提供如下的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物：为了改善现有的负性光致抗蚀剂的物理性质而包含特定化合物，进而相比于现有的负性光致抗蚀剂，在短波长曝光源中具有高透明度、高分辨率，同时具有优秀的轮廓，进而适合用于半导体工艺。
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公开(公告)号：CN112313582A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980038437.5
申请日：2019-05-22
申请人： 荣昌化学制品株式会社
摘要： 本发明涉及一种用于减少由极紫外光曝光光源所限定的包括聚羟基苯乙烯(polyhydroxystyrene)的光致抗蚀剂图案的微桥缺陷改善用工艺液体组合物及利用其的图案形成方法，其中，所述工艺液体组合物包括：0.0001至1重量％的碱性物质；0.0001至1重量％的HLB值为9至16的非离子表面活性剂；及98至99.9998重量％的水。本发明减少由极紫外光曝光光源所限定的包括聚羟基苯乙烯的光致抗蚀剂图案的微桥缺陷数，且具有线宽粗糙度(LWR)值低而提升图案的均匀度的效果。
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公开(公告)号：CN116097398A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180054452.6
申请日：2021-08-04
申请人： 荣昌化学制品株式会社
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 本发明涉及一种极紫外光刻用工艺液体组合物及利用其的图案形成方法。所述工艺液体组合物由0.00001至0.01重量％的氟系表面活性剂，0.00001至小于0.001重量％的由化学式(1)表示的图案增强剂，0.00001至0.01重量％的选自由三元醇衍生物、四元醇衍生物或它们的混合物所组成的组的物质，及余量的水组成。
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