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公开(公告)号:CN100474511C
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:CN200380109711.2
申请日:2003-12-22
申请人: 莫门蒂夫性能材料股份有限公司
CPC分类号: H01L33/32 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/403 , C30B29/406
摘要: 一种器件,其包括至少一个设置在由氮化镓构成的单晶衬底上的外延半导体层,该氮化镓衬底的位错密度小于大约104cm-2、并且基本上没有倾斜边界并且氧杂质水平低于1019cm-3。该电子装置可以是比如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)应用的发光应用形式,并且可以是这样的器件:GaN基晶体管、整流器、晶闸管和共射共基开关等。还提供了一种形成由氮化镓构成的单晶衬底的方法,该氮化镓衬底的位错密度小于大约104cm-2、并且基本上没有倾斜边界以及氧杂质水平低于1019cm-3,以及同质外延形成至少一个在衬底上的半导体层以及电子器件。
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公开(公告)号:CN101641463A
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200880007693.X
申请日:2008-01-09
申请人: 莫门蒂夫性能材料股份有限公司
CPC分类号: C30B29/406 , C30B7/10 , H01S5/305 , H01S5/32341 , Y10T428/21
摘要: 本发明提供了一种包含镓和氮的结晶组合物。所述结晶组合物在确定的结晶组合物体积内可以具有每立方厘米低于约3×10 18 的氧浓度,以及可以不含二维面边界缺陷。该体积可以具有至少一个约2.75mm或更大的尺寸,并且该体积可以具有每平方厘米低于约10,000的一维线缺陷位错密度。
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公开(公告)号:CN101631902A
公开(公告)日:2010-01-20
申请号:CN200880007681.7
申请日:2008-01-09
申请人: 莫门蒂夫性能材料股份有限公司
CPC分类号: C30B9/00 , C30B29/406 , H01F1/404 , Y10T428/24355
摘要: 本发明提供了一种结晶组合物。所述结晶组合物可以包含镓和氮;并且所述结晶组合物可以具有在约3175cm -1 处的红外吸收峰,且具有大于约0.01cm -1 的单位厚度吸收率。
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公开(公告)号:CN101595249A
公开(公告)日:2009-12-02
申请号:CN200780049549.8
申请日:2007-11-09
申请人: 莫门蒂夫性能材料股份有限公司
CPC分类号: C30B7/005 , C30B7/105 , C30B9/08 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/406 , C30B29/68
摘要: 一种生长结晶组合物的方法,第一结晶组合物可包含镓和氮。结晶组合物可具有位于约3175cm-1处的红外吸收峰且单位厚度吸收率大于约0.01cm-1。在一种实施方案中,组合物具有小于约3×1018cm-3的氧浓度,且在第一结晶组合物的确定体积内可不含二维平面晶界缺陷。
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公开(公告)号:CN101583744A
公开(公告)日:2009-11-18
申请号:CN200780049761.4
申请日:2007-11-09
申请人: 莫门蒂夫性能材料股份有限公司
CPC分类号: C30B29/406 , C30B9/00
摘要: 披露了一种氮化镓晶体。该晶体具有至少一个晶粒,该晶粒的至少一个尺寸大于2.75mm,具有小于约104cm-2的位错密度,且基本不含倾斜晶界。
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