-
公开(公告)号：CN108472732A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680079297.2
申请日：2016-11-10
申请人： 霍伯特兄弟公司
发明人： 肖志刚
CPC分类号： C30B13/24 , B22F3/1028 , B22F3/1055 , B22F2003/1056 , B22F2999/00 , B23K9/044 , B23K26/0604 , B23K26/0734 , B23K26/342 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , C30B13/06 , C30B13/16 , C30B13/32 , C30B19/08 , C30B29/52 , C30B29/68 , Y02P10/295 , B22F2203/11 , B22F2202/07 , B22F3/1017
摘要： 本发明的实施例包含：加性制造工具(16)，被配置成接收金属材料(20)并将多个液滴(18)在零件(12)的工作区域(24)处供应到零件(12)，其中多个液滴(18)中的每一液滴(18)包括金属材料(20)；以及加热系统(26)，包括被配置成产生主激光束(58)以加热零件(12)的衬底的熔化区(50)的主激光系统(54)以及被配置成产生次激光束(62)以加热零件(12)的衬底的过渡区(52)的次激光系统(56)，其中熔化区(50)和工作区域(24)处于同一位置，并且其中过渡区(52)围绕熔化区(50)设置。
-
公开(公告)号：CN107532328A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680027058.2
申请日：2016-03-17
申请人： 丰田自动车株式会社
CPC分类号： C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/04 , C30B19/08 , C30B23/025 , C30B25/20 , C30B29/36 , C30B29/68
摘要： 本发明的实施方式的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法具备生成工序和生长工序。生成工序中，将容纳于坩埚(5)的Si‑C溶液(7)的原料熔融、生成Si‑C溶液(7)。生长工序中，使安装于籽晶轴(6)的SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触、在SiC晶种(8)的晶体生长面(8S)生长SiC单晶。生长工序中，将Si‑C溶液(7)升温的同时使SiC单晶生长。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法容易使所希望的多晶型的SiC单晶生长。
-
公开(公告)号：CN105164790B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201480024949.3
申请日：2014-03-28
申请人： 信越半导体株式会社
发明人： 樱田昌弘
IPC分类号： H01L21/20 , C30B29/06 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/167 , C30B15/00 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/06 , C30B29/68 , C30B31/02 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/3225
摘要： 本发明是一种硅磊晶晶圆及其制造方法，该硅磊晶晶圆在对如下单晶硅棒进行切割而制造的硅基板(10)上，具有第二中间磊晶层(22)和掺杂有掺杂剂的第一中间磊晶层(21)，在该第一中间磊晶层(21)上层叠有作为组件形成区域的磊晶层(30)，该单晶硅棒是通过CZ法而培育成的碳浓度为3×1016atoms/cm3～2×1017atoms/cm3的单晶硅棒。由此，本发明提供如下硅磊晶晶圆及硅磊晶晶圆的制造方法，该硅磊晶晶圆用于内存、逻辑电路或固态摄影元件等半导体组件基板，并以掺杂有碳的硅基板为原材料，且工业性优异。
-
公开(公告)号：CN104078331B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410112911.3
申请日：2014-03-25
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： C30B25/20 , C30B29/36 , C30B29/68 , Y10T428/24331 , Y10T428/24612
摘要： 本发明可得到能够减少晶体缺陷的单晶4H-SiC衬底及其制造方法。准备具有平坦性的4H-SiC体材料单晶衬底（1）。在4H-SiC体材料单晶衬底（1）上外延生长具有凹部（2）的单晶4H-SiC层3）。单晶4H-SiC层（3）的膜厚为X[μm]时，凹部2）的直径Y[μm]是0.2×X[μm]以上、2×X[μm]以下，且凹部（2）的深度Z[nm]是0.95×X[μm]+0.5[nm]以上、10×X[μm]以下。
-
公开(公告)号：CN106414816A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580031711.8
申请日：2015-05-18
申请人： 于利希研究中心
IPC分类号： C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/10 , C30B29/52 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/10 , C09K11/66 , C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/10 , C30B29/52 , C30B29/68 , G02B6/12 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02452 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/02535 , H01L21/0262 , H01L31/02322 , H01S5/021 , H01S5/042 , H01S5/3027 , H01S5/3054
摘要： 本发明涉及一种用于在IV-衬底、尤其是硅衬底或锗衬底上单片式沉积IV-IV层、尤其是GeSn或SiGeSn层的方法，所述层是单晶的、受激发光、由IV-主族的多种元素组成并且具有小于106cm-2的位错密度，该方法具有以下步骤：提供第一IV族元素(A)的氢化物，例如Ge2H6或Si2H6；提供第二IV族元素(B)的卤化物，例如SnCl4；加热所述衬底至衬底温度，所述衬底温度低于纯的氢化物或由所述氢化物形成的自由基的分解温度，并且高得足以使第一元素(A)和第二元素(B)的原子以晶体排列嵌入到所述表面中，其中所述衬底温度特别地处于300℃至475℃的范围；由惰性载气，特别是N2、Ar、He产生载气流，所述惰性载气尤其不是H2；将所述氢化物和所述卤化物以及由其形成的分解产物在最大300毫巴的总压力下输送至所述表面；沉积具有至少200nm的厚度
-
公开(公告)号：CN103534079B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201280012813.1
申请日：2012-01-12
申请人： 剑桥企业有限公司 , 弗劳恩霍夫应用研究促进协会
发明人： 杰里米·鲍姆伯格 , 大卫·斯诺斯威尔 , 克里斯托弗·芬雷森 , 赵其斌 , 高兹·彼得·海尔曼 , 彼得·沃尔夫冈·安德里斯·斯帕恩 , 克里斯蒂安·格哈德·谢弗
CPC分类号： B29C55/023 , B29C47/0002 , B29C47/0014 , B29C55/00 , B29C55/18 , B29D11/00663 , B29D11/0073 , B29K2995/0018 , B82Y20/00 , C30B29/68 , Y10T428/249921
摘要： 一种聚合物蛋白石材料包括在基质材料中三维周期布置的芯颗粒并经由布拉格反射展示结构颜色。在制造这样的材料的工艺中，提供了夹层结构，其具有保持在第一夹层和第二夹层之间的前体复合材料。通过围绕辊子卷曲夹层结构将至少10％的相对剪切应变施加于前体复合材料上。剪切应变被循环，以便促进形成三维周期布置。
-
公开(公告)号：CN103329297B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201180037811.3
申请日：2011-11-17
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/314 , B41J2/14 , G01C19/5621
CPC分类号： H01L41/183 , B41J2/14201 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , C30B29/32 , C30B29/68 , G01C19/5621 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/113 , H01L41/1132 , H01L41/1136 , H01L41/187 , H01L41/1873 , H01L41/1878 , H01L41/314
摘要： 本发明的目的在于提供一种非铅压电体薄膜及其制造方法，所述非铅压电体薄膜含有非铅强介电材料并且具有低介电损失和与PZT同样的高压电性能。本发明的压电体薄膜具有层叠结构，层叠结构具有电极膜和具有斜方晶结构的（1-x）（Na，Bi）TiO3-xBaTiO3膜（x表示0.03以上0.15以下的值）。
-
公开(公告)号：CN104812566A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380061479.3
申请日：2013-11-22
申请人： 纳米技术仪器公司
CPC分类号： C30B1/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/182 , C01B32/184 , C01B32/19 , C01B32/192 , C01B32/22 , C01B32/225 , C01B32/23 , C01P2006/10 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , C30B5/00 , C30B29/02 , C30B29/68 , Y10S977/734 , Y10S977/842 , Y10T428/30
摘要： 包含石墨烯单晶的单体石墨烯物体，所述石墨烯单晶含有密堆且化学结合的平行石墨烯平面，所述石墨烯平面具有0.335至0.40nm的石墨烯平面间的间距和0.01至10重量％的氧含量，该单体石墨烯层或石墨烯单晶是通过在高于100℃的温度下热处理氧化石墨烯凝胶制得，其中在两个石墨烯平面之间的平均错取向角小于10度，更典型地小于5度。在干燥和热处理时，氧化石墨烯凝胶中的分子化学互联和整合成不含离散石墨鳞片或石墨烯片晶的单体石墨烯物体。该石墨烯单块展现出优异的热导率、电导率、机械强度、表面光洁度、表面硬度和划伤的组合。
-
公开(公告)号：CN103329297A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180037811.3
申请日：2011-11-17
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/314 , B41J2/14 , G01C19/5621
CPC分类号： H01L41/183 , B41J2/14201 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , C30B29/32 , C30B29/68 , G01C19/5621 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/113 , H01L41/1132 , H01L41/1136 , H01L41/187 , H01L41/1873 , H01L41/1878 , H01L41/314
摘要： 本发明的目的在于提供一种非铅压电体薄膜及其制造方法，所述非铅压电体薄膜含有非铅强介电材料并且具有低介电损失和与PZT同样的高压电性能。本发明的压电体薄膜具有层叠结构，层叠结构具有电极膜和具有斜方晶结构的（1-x）（Na，Bi）TiO3-xBaTiO3膜（x表示0.03以上0.15以下的值）。
-
公开(公告)号：CN101595249A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200780049549.8
申请日：2007-11-09
申请人： 莫门蒂夫性能材料股份有限公司
CPC分类号： C30B7/005 , C30B7/105 , C30B9/08 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/406 , C30B29/68
摘要： 一种生长结晶组合物的方法，第一结晶组合物可包含镓和氮。结晶组合物可具有位于约3175cm－1处的红外吸收峰且单位厚度吸收率大于约0.01cm－1。在一种实施方案中，组合物具有小于约3×1018cm－3的氧浓度，且在第一结晶组合物的确定体积内可不含二维平面晶界缺陷。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
72 条记录 (耗时 0.024 秒)
