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公开(公告)号：CN113242029A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110515535.2
申请日：2021-05-12
申请人： 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学
IPC分类号： H03H7/38
摘要： 本发明涉及一种基于集总元件的多频阻抗匹配方法，首先用第一级匹配网络，实现f1阻抗匹配。接着利用由谐振频率为f1的串联谐振回路和并联谐振回路组成的第二级匹配网络，在不影响f1阻抗匹配的情况下，实现f2阻抗匹配。依次类推，第n级匹配网络由谐振频率在f1、f2…fn‑1的串联谐振回路和并联谐振回路通过并联和串联的连接形式组成，在不影响f1、f2…fn‑1阻抗匹配的情况下，实现fn阻抗匹配。增加级联的匹配网络，理论上可以实现任意多频点、任意阻抗的阻抗匹配。本发明的多个频点、阻抗点之间不相关，可以任意选取，可以应用到射频功率放大器、低噪声放大器、无线能量收集等多种电路设计中，有利于提高系统设计的灵活性，减小电路体积。
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公开(公告)号：CN118740079A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410961036.X
申请日：2024-07-17
申请人： 西北工业大学
摘要： 本申请的实施例涉及电子元件技术领域，公开了一种基于零电流软开关的高效率开关电容电感功率放大器，包括：低位支路二元分离阵列和高位支路一元并列阵列；高位支路一元分离阵列由若干个零电流软开关单元并联构成，低位支路二元分离阵列包括若干个零电流软开关单元、接地支路、若干个第二电容和若干个第二电感；低位支路二元分离阵列的输出端和高位支路一元并联阵列的输出端相连，构成功率放大器的输出端。本申请的实施例提供的一种基于零电流软开关的高效率开关电容电感功率放大器，借助电感电容串联谐振的能量存储功能，解决了传统SCPA的电容充放电动态功耗，同时提升了输出功率回退区的能量效率。
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公开(公告)号：CN117690887A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311558965.8
申请日：2023-11-21
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/52 , H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种双面散热的氧化镓芯片倒装封装结构及其制备方法和应用，涉及半导体结构技术领域。该结构包括双面散热的氧化镓芯片倒装结构，以及对双面散热的氧化镓芯片倒装结构封装塑封外壳；双面散热的氧化镓芯片倒装结构从上至下依次包括热沉材料层、氧化镓芯片、双面覆铜陶瓷基板以及高导热底板层；氧化镓芯片，采用倒装结构，电极朝下，且通过互连铜柱与双面覆铜陶瓷基板连接；位于氧化镓芯片底部与双面覆铜陶瓷基板之间设有填充层，填充层包裹着互连铜柱。本发明采用双面散热结构能够使芯片产生的热量可以通过封装主体顶部的热沉层和底部的高导热底板结构来提高散热效果。
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公开(公告)号：CN106788278B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201611090968.3
申请日：2016-12-01
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明公开一种KU波段低噪声放大器，包括第一级共源共栅级联电感源级负反馈结构、级间匹配网络、第二级共源共栅级联电感源级负反馈结构，所述的第一级共源共栅级联电感源级负反馈结构通过级间匹配网络和第二级共源共栅级联电感源级负反馈结构相连接。本发明具有以下有益效果：(1)工作频带为12GHz～18GHz；(2)增益(S21)最小为20dB，且具备良好的增益平坦度；(3)在工作带宽内输入匹配S11、输出匹配S22噪声系数小于‑10dB；(4)在波段内K＞1，即电路满足无条件稳定。
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公开(公告)号：CN110911565A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911228621.4
申请日：2019-12-04
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及一种基于N型SiC的新型晶体管器件及其制备方法，包括：选取碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底表面使用第一掩模版生长电子传输层；在所述电子传输层表面生长钙钛矿光吸收层；在所述钙钛矿光吸收层表面生长绝缘层；在所述绝缘层表面生长栅电极；在所述碳化硅衬底表面使用第二掩模版生长源漏电极，最终形成所述基于N型碳化硅/钙钛矿传输层异质结的晶体管器件。由于本发明的晶体管采用钙钛矿光吸收层/电子传输层来为沟道提供相同极性光生载流子，提高了现有技术中的碳化硅晶体管器件的迁移率、开关速度等其他重要参数。
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公开(公告)号：CN106711762B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710045602.2
申请日：2017-01-20
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及半导体光电子器件领域，并且更特别地，涉及一种新型的可调谐垂直腔面发射激光器的制备方法。针对现有技术中可调谐垂直腔面发射激光器制造工艺成品率低，价格高昂的技术问题，本发明提出了一种新型的可调谐垂直腔面发射激光器的制备方法。通过利用黑蜡作为支撑层结合ELO工艺剥离外延层；避免了等离子体刻蚀的操作步骤，显著降低了可调谐垂直腔面发射激光器的制造成本，提高了制造成品率。
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公开(公告)号：CN106784042A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611090967.9
申请日：2016-12-01
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/022425 , H01L31/022441
摘要： 本发明涉及电池制造技术领域，提供了一种制备杂化太阳能电池的方法，通过插指电极刷图法、电池导电薄膜喷涂法，实现在低温环境下制备杂化太阳能电池，并且不影响电池其它方面的性能，从而有效提高了杂化太阳能电池制造的自动化水平，避免了在插指电极制造过程中由于高温工艺而对有机薄膜造成损伤，提高了电池的使用效率，简化了杂化太阳能电池的制备方法。
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公开(公告)号：CN106711762A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710045602.2
申请日：2017-01-20
申请人： 西北工业大学
CPC分类号： H01S5/183 , H01S5/0206 , H01S5/187
摘要： 本发明涉及半导体光电子器件领域，并且更特别地，涉及一种新型的可调谐垂直腔面发射激光器的制备方法。针对现有技术中可调谐垂直腔面发射激光器制造工艺成品率低，价格高昂的技术问题，本发明提出了一种新型的可调谐垂直腔面发射激光器的制备方法。通过利用黑蜡作为支撑层结合ELO工艺剥离外延层；避免了等离子体刻蚀的操作步骤，显著降低了可调谐垂直腔面发射激光器的制造成本，提高了制造成品率。
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公开(公告)号：CN118646436A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410861512.0
申请日：2024-06-28
申请人： 西北工业大学
摘要： 本申请的实施例涉及反向散射通信技术领域，公开了一种基于整流负载调制的极化可调反向散射无源终端，包括：共口径的正交双极化天线、正交耦合电路、改进整流电路、电源管理电路、传感器和MCU；共口径的正交双极化天线的水平极化端与垂直极化端分别和正交耦合电路的输入端与隔离端连接，正交耦合电路和改进整流电路连接，改进整流电路和电源管理电路连接，第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极可选择地和MCU连接；本申请的实施例提供的一种基于整流负载调制的极化可调反向散射无源终端，通过引入以晶体管为负载的整流器，根据晶体管不同的连接方式，可以在无电源且电路较为简单的条件下实现多传感器信号的采集以及高隔离传输。
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公开(公告)号：CN115513050A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211012216.0
申请日：2022-08-23
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/308
摘要： 本发明公开了一种新型氮化镓外延材料的刻蚀方法，具体操作包括生长掩膜层；刻蚀掩膜图形；等离子体刻蚀；湿法溶液处理；重复干湿法刻蚀；去除掩膜层；清洗烘干。本发明采用基于等离子体和湿法溶液共同处理的新型刻蚀方法，通过交替循环执行干湿法刻蚀，达到刻蚀速率可控、刻蚀深度可控和表面形态可控的效果。
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