公开(公告)号：CN105336765B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201510683388.4

申请日：2015-10-20

申请人： 西南交通大学

发明人： 汪志刚 ,  杨大力 ,  王亚南 ,  王冰

IPC分类号： H01L29/06

摘要： 本发明主要涉及功率半导体器件领域，提出了一种功率半导体器件结构。本结构包括功率半导体器件有源区和结终端区；通过在有源区内部填充HK材料降低有源区导通电阻，达到降低功率器件功耗的目的，同时HK材料耐压能力优于硅，可以减小有源区版图面积；在有源区外围或者外侧填充HK材料构造结终端区，优化功率器件边缘处电场分布，有效缓解了曲率效应，同时结终端区金属场板也能有效改善功率器件电势分布不均匀。本发明结终端区无需复杂结构设计，在现有工艺条件下制作方便，与当前功率器件结终端处理技术相比，只需通过引入HK材料，便能达到有效优化功率器件的边缘处电场分布的目的，使得功率半导体器件耐压值得到较大程度提高。

公开(公告)号：CN105336771A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510626568.9

申请日：2015-09-28

申请人： 西南交通大学

发明人： 汪志刚 ,  王冰 ,  孙江 ,  樊冬冬 ,  杨大力 ,  王亚南

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638

摘要： 本发明涉及半导体技术，特别是涉及一种高压异质结晶体管。该本发明在传统横向异质结晶体管器件结构的基础上，在器件外延层中部分区间掺杂N型结构以及在硅基衬底层中部分区间掺杂P型耗尽结构，该P型掺杂区以及N型掺杂区的引入使得衬底以及缓冲层均完全耗尽，从而使得衬底承受纵向耐压，进而改善器件的耐压能力；同时，外延层中P型杂质引入也会抬高势垒层高度，阻断漏电流通道，最终减小漏电流。

公开(公告)号：CN105336765A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510683388.4

申请日：2015-10-20

申请人： 西南交通大学

发明人： 汪志刚 ,  杨大力 ,  王亚南 ,  王冰

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0607

摘要： 本发明主要涉及功率半导体器件领域，提出了一种功率半导体器件结构。本结构包括功率半导体器件有源区和结终端区；通过在有源区内部填充HK材料降低有源区导通电阻，达到降低功率器件功耗的目的，同时HK材料耐压能力优于硅，可以减小有源区版图面积；在有源区外围或者外侧填充HK材料构造结终端区，优化功率器件边缘处电场分布，有效缓解了曲率效应，同时结终端区金属场板也能有效改善功率器件电势分布不均匀。本发明结终端区无需复杂结构设计，在现有工艺条件下制作方便，与当前功率器件结终端处理技术相比，只需通过引入HK材料，便能达到有效优化功率器件的边缘处电场分布的目的，使得功率半导体器件耐压值得到较大程度提高。