一种高微放电阈值星用四端环行器

    公开(公告)号:CN114069179A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202210046870.7

    申请日:2022-01-17

    IPC分类号: H01P1/39

    摘要: 本发明公开了一种高微放电阈值星用四端环行器,属于微波元器件领域,依次包括折叠双T段、差相位段和3dB电桥段,所述差相位段腔体内设置有铁氧体基片,在所述差相位段的腔体内设置有铁氧体基片,所述铁氧体基片上下非对称设置,优选在铁氧体表面涂覆一层非金属材料,制约铁氧体表面的电子被激发,提升大功率微波铁氧体器件的微放电阈值本发明的环行器能够同时满足15KW量级的微放电功率和1000W量级的平均功率需求,为后续高功率器件国产化替代提供技术支撑,具有较大的经济和军事效益。

    一种超宽带高功率星用环行器

    公开(公告)号:CN114374066B

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202210051898.X

    申请日:2022-01-18

    IPC分类号: H01P1/38

    摘要: 本发明公开了一种超宽带高功率星用环行器,属于微波元器件领域,本发明本发明通过在波导窄边方向设置至少两阶匹配台阶,并在所述腔体内部采用至少两层匹配调谐圆台、在所述差相位段采用非标准矩形波导尺寸、在所述3dB电桥宽边方向加载三阶以上的阻抗匹配,并在所述3dB电桥腔体内部引入单脊波导的传输模式、在所述差相位段的腔体内,所述铁氧体基片上下非对称设置、在所述铁氧体基片表面涂覆一层非金属材料工艺,解决了超宽带高功率器件的宽带设计技术和星用器件的高微放电阈值问题,能够满足30%以上的相对带宽以及15kW量级的微放电功率需求,为后续高功率器件国产化替代提供技术支撑,具有较大的经济和军事效应。

    基于铁氧体复合磁路剩磁锁定技术的高频双模互易移相器

    公开(公告)号:CN115939701A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202211535788.7

    申请日:2022-12-02

    IPC分类号: H01P1/19

    摘要: 本发明公开了一种基于铁氧体复合磁路剩磁锁定技术的高频双模互易移相器,属于微波器件技术领域,包括中心铁氧体棒(1),所述中心铁氧体棒(1)外部嵌套绝缘介质套(2)和磁感应线圈(3),所述中心铁氧体棒(1)外周设置有四块磁轭,所述磁轭采用磁通密度远大于铁氧体饱和磁化强度且加工性和韧性均较好的软磁金属材料,四块磁轭对称设置;本发明可使得双模互易锁式铁氧体移相器的工作频率大幅度提升,更易实现高频Ka频带工程化应用,同时能够提高双模互易锁式铁氧体移相器可靠性。

    小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器

    公开(公告)号:CN115084810B

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202210856604.0

    申请日:2022-07-21

    IPC分类号: H01P1/212

    摘要: 本发明公开了小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器,属于微波元器件技术领域,包括直波导段(1),在所述直波导段(1)的中间的左右两端对称设置有两个完全尺寸耦合腔(2),在两个所述完全尺寸耦合腔(2)之间设置有数个不完全尺寸耦合腔B(5),所述不完全尺寸耦合腔B(5)的一边与完全尺寸耦合腔(2)平齐;本发明在低通滤波器的基础上,增加了波导宽边尺寸变化的耦合腔,通过耦合腔宽边尺寸变化,在满足对TE10模与TE01模吸收的情况下,有效抑制了波导系统中TE20模的传播,实现波导内高频高阶模谐波的高效抑制,从而能够以较小的尺寸(小至17mm),实现矩形波导系统高频主要模式的抑制,避免干扰或烧毁电子通讯设备。

    小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器

    公开(公告)号:CN115084810A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210856604.0

    申请日:2022-07-21

    IPC分类号: H01P1/212

    摘要: 本发明公开了小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器,属于微波元器件技术领域,包括直波导段(1),在所述直波导段(1)的中间的左右两端对称设置有两个完全尺寸耦合腔(2),在两个所述完全尺寸耦合腔(2)之间设置有数个不完全尺寸耦合腔B(5),所述不完全尺寸耦合腔B(5)的一边与完全尺寸耦合腔(2)平齐;本发明在低通滤波器的基础上,增加了波导宽边尺寸变化的耦合腔,通过耦合腔宽边尺寸变化,在满足对TE10模与TE01模吸收的情况下,有效抑制了波导系统中TE20模的传播,实现波导内高频高阶模谐波的高效抑制,从而能够以较小的尺寸(小至17mm),实现矩形波导系统高频主要模式的抑制,避免干扰或烧毁电子通讯设备。

    一种非饱和磁化微带电路及由其组成的微带环行器

    公开(公告)号:CN116995389B

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311236914.3

    申请日:2023-09-25

    IPC分类号: H01P1/387

    摘要: 本发明公开了一种非饱和磁化微带电路及由其组成的微带环行器,属于微波元器件技术领域,所述电路包括一个中心结电路和匹配电路,所述匹配电路包括电感型输出传输线、1/4~1/2波长开路线、50欧姆线和端口匹配电路,所述端口匹配电路为50欧姆线宽的2~3倍;所述环行器的所述永磁体的高度减薄至原高度的40%‑70%,陶瓷垫片的高度减薄至原高度的40%‑60%,铁氧体基片的高度减薄至原高度的50%‑70%;本发明通过减薄设计结合非饱和磁化微带电路设计,在带宽和电性能不变的情况下,将微带环行器高度由2.1mm减薄至1.25mm,高度减少40%,同时保证电性能不变,从而实现微带环行器的小型化。(56)对比文件F. Yang 等.Analysis of MillimeterWave Y-Junction Microstrip Circulator.《2006 7th International Symposium onAntennas, Propagation & EM Theory》.2007,全文.

    一种非饱和磁化微带电路及由其组成的微带环行器

    公开(公告)号:CN116995389A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202311236914.3

    申请日:2023-09-25

    IPC分类号: H01P1/387

    摘要: 本发明公开了一种非饱和磁化微带电路及由其组成的微带环行器,属于微波元器件技术领域,所述电路包括一个中心结电路和匹配电路,所述匹配电路包括电感型输出传输线、1/4~1/2波长开路线、50欧姆线和端口匹配电路,所述端口匹配电路为50欧姆线宽的2~3倍;所述环行器的所述永磁体的高度减薄至原高度的40%‑70%,陶瓷垫片的高度减薄至原高度的40%‑60%,铁氧体基片的高度减薄至原高度的50%‑70%;本发明通过减薄设计结合非饱和磁化微带电路设计,在带宽和电性能不变的情况下,将微带环行器高度由2.1mm减薄至1.25mm,高度减少40%,同时保证电性能不变,从而实现微带环行器的小型化。

    一种高微放电阈值星用四端环行器

    公开(公告)号:CN114069179B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202210046870.7

    申请日:2022-01-17

    IPC分类号: H01P1/39

    摘要: 本发明公开了一种高微放电阈值星用四端环行器,属于微波元器件领域,依次包括折叠双T段、差相位段和3dB电桥段,所述差相位段腔体内设置有铁氧体基片,在所述差相位段的腔体内设置有铁氧体基片,所述铁氧体基片上下非对称设置,优选在铁氧体表面涂覆一层非金属材料,制约铁氧体表面的电子被激发,提升大功率微波铁氧体器件的微放电阈值本发明的环行器能够同时满足15KW量级的微放电功率和1000W量级的平均功率需求,为后续高功率器件国产化替代提供技术支撑,具有较大的经济和军事效益。