公开(公告)号：CN114374066B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202210051898.X

申请日：2022-01-18

申请人： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)

发明人： 王斌 ,  蒋运石 ,  马军伟 ,  王檠 ,  翟宗民 ,  袁兴武

IPC分类号： H01P1/38

摘要： 本发明公开了一种超宽带高功率星用环行器，属于微波元器件领域，本发明本发明通过在波导窄边方向设置至少两阶匹配台阶，并在所述腔体内部采用至少两层匹配调谐圆台、在所述差相位段采用非标准矩形波导尺寸、在所述3dB电桥宽边方向加载三阶以上的阻抗匹配，并在所述3dB电桥腔体内部引入单脊波导的传输模式、在所述差相位段的腔体内，所述铁氧体基片上下非对称设置、在所述铁氧体基片表面涂覆一层非金属材料工艺，解决了超宽带高功率器件的宽带设计技术和星用器件的高微放电阈值问题，能够满足30%以上的相对带宽以及15kW量级的微放电功率需求，为后续高功率器件国产化替代提供技术支撑，具有较大的经济和军事效应。

公开(公告)号：CN114069179A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202210046870.7

申请日：2022-01-17

申请人： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)

发明人： 王斌 ,  蒋运石 ,  王檠 ,  翟宗民 ,  袁兴武

IPC分类号： H01P1/39

摘要： 本发明公开了一种高微放电阈值星用四端环行器，属于微波元器件领域，依次包括折叠双T段、差相位段和3dB电桥段，所述差相位段腔体内设置有铁氧体基片，在所述差相位段的腔体内设置有铁氧体基片，所述铁氧体基片上下非对称设置，优选在铁氧体表面涂覆一层非金属材料，制约铁氧体表面的电子被激发，提升大功率微波铁氧体器件的微放电阈值本发明的环行器能够同时满足15KW量级的微放电功率和1000W量级的平均功率需求，为后续高功率器件国产化替代提供技术支撑，具有较大的经济和军事效益。

公开(公告)号：CN114069179B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210046870.7

申请日：2022-01-17

申请人： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)

发明人： 王斌 ,  蒋运石 ,  王檠 ,  翟宗民 ,  袁兴武

IPC分类号： H01P1/39

摘要： 本发明公开了一种高微放电阈值星用四端环行器，属于微波元器件领域，依次包括折叠双T段、差相位段和3dB电桥段，所述差相位段腔体内设置有铁氧体基片，在所述差相位段的腔体内设置有铁氧体基片，所述铁氧体基片上下非对称设置，优选在铁氧体表面涂覆一层非金属材料，制约铁氧体表面的电子被激发，提升大功率微波铁氧体器件的微放电阈值本发明的环行器能够同时满足15KW量级的微放电功率和1000W量级的平均功率需求，为后续高功率器件国产化替代提供技术支撑，具有较大的经济和军事效益。

公开(公告)号：CN114374066A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202210051898.X

申请日：2022-01-18

申请人： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)

发明人： 王斌 ,  蒋运石 ,  马军伟 ,  王檠 ,  翟宗民 ,  袁兴武

IPC分类号： H01P1/38

摘要： 本发明公开了一种超宽带高功率星用环行器，属于微波元器件领域，本发明本发明通过在波导窄边方向设置至少两阶匹配台阶，并在所述腔体内部采用至少两层匹配调谐圆台、在所述差相位段采用非标准矩形波导尺寸、在所述3dB电桥宽边方向加载三阶以上的阻抗匹配，并在所述3dB电桥腔体内部引入单脊波导的传输模式、在所述差相位段的腔体内，所述铁氧体基片上下非对称设置、在所述铁氧体基片表面涂覆一层非金属材料工艺，解决了超宽带高功率器件的宽带设计技术和星用器件的高微放电阈值问题，能够满足30%以上的相对带宽以及15kW量级的微放电功率需求，为后续高功率器件国产化替代提供技术支撑，具有较大的经济和军事效应。