-
公开(公告)号：CN115494319A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211044220.5
申请日：2022-08-30
摘要： 本发明公开了一种铁氧体移相器插入相位一致性测试系统，属于微波器件技术领域，由驱动器、铁氧体移相器和矢量网络分析仪组成，其中，所述驱动器分别与铁氧体移相器两端的激励线圈电连接，所述矢量网络分析仪分别与铁氧体移相器两端的波导口连接，本发明还公开了一种铁氧体移相器插入相位一致性测试方法；采用本发明的测试系统和测试方法，可以对铁氧体移相器进行插入相位一致性筛选测试，从而能够解决多铁氧体移相器组件插入相位不匹配导致电性能超差、驱动控制复杂的问题。
-
公开(公告)号：CN118040273A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410318709.X
申请日：2024-03-20
IPC分类号： H01P1/39
摘要： 本发明公开了一种耐高功率波导环行器，属于微波元器件技术领域，本发明在环行器内部适当位置填充高介电常数和高热传导系数的介质替代传统的空气介质，同时采用双环行结设计，将两个环行器集成到一个器件中。采用本发明的方案，能够解决波导结式环行器尺寸大的问题，有效减少整机的体积；同时可以提升波导环行器的平均功率容量和峰值功率容量，以此加快高功率产品的应用发展。
-
公开(公告)号：CN115498380B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210997243.1
申请日：2022-08-19
摘要： 本发明公开了一种差相移铁氧体锁式开关单独激励方法，微波器件领域，激励方法为将所述移相段A（2）、移相段B（3）单独激励，比如对所述移相段A（2）正向激励至饱和态，调节移相段B3）反向激励电流，从而将差相移开关激励至端口P1→P2；对所述移相段A（2）反向激励至饱和态，调节移相段B（3）正向激励电流，从而将差相移开关激励至端口P1→P3；本发明的差相移铁氧体锁式开关激励方法，可实现两个平行移相段输出相位的精确控制，该方法具有控制简单、激励稳定、速度快的优点。
-
公开(公告)号：CN115498380A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210997243.1
申请日：2022-08-19
摘要： 本发明公开了一种差相移铁氧体锁式开关单独激励方法，微波器件领域，激励方法为将所述移相段A（2）、移相段B（3）单独激励，比如对所述移相段A（2）正向激励至饱和态，调节移相段B（3）反向激励电流，从而将差相移开关激励至端口P1→P2；对所述移相段A（2）反向激励至饱和态，调节移相段B（3）正向激励电流，从而将差相移开关激励至端口P1→P3；本发明的差相移铁氧体锁式开关激励方法，可实现两个平行移相段输出相位的精确控制，该方法具有控制简单、激励稳定、速度快的优点。
-
公开(公告)号：CN114069179B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210046870.7
申请日：2022-01-17
IPC分类号： H01P1/39
摘要： 本发明公开了一种高微放电阈值星用四端环行器，属于微波元器件领域，依次包括折叠双T段、差相位段和3dB电桥段，所述差相位段腔体内设置有铁氧体基片，在所述差相位段的腔体内设置有铁氧体基片，所述铁氧体基片上下非对称设置，优选在铁氧体表面涂覆一层非金属材料，制约铁氧体表面的电子被激发，提升大功率微波铁氧体器件的微放电阈值本发明的环行器能够同时满足15KW量级的微放电功率和1000W量级的平均功率需求，为后续高功率器件国产化替代提供技术支撑，具有较大的经济和军事效益。
-
公开(公告)号：CN115498381A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210998185.4
申请日：2022-08-19
摘要： 本发明公开了一种差相移铁氧体锁式开关串联激励方法，微波器件领域，激励方法为将所述移相段A（2）、移相段B（3）串联激励，激励电流大小相同、方向相反，对所述移相段A（2）正向激励，移相段B（3）反向激励，从而将差相移开关激励至端口P1→P2；对所述移相段A（2）反向激励，移相段B（3）正向激励，从而将差相移开关激励至端口P1→P3；本发明的差相移铁氧体锁式开关激励方法，可实现两个平行移相段输出相位的精确控制，该方法具有控制简单、激励稳定、速度快的优点。
-
公开(公告)号：CN114374066A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210051898.X
申请日：2022-01-18
IPC分类号： H01P1/38
摘要： 本发明公开了一种超宽带高功率星用环行器，属于微波元器件领域，本发明本发明通过在波导窄边方向设置至少两阶匹配台阶，并在所述腔体内部采用至少两层匹配调谐圆台、在所述差相位段采用非标准矩形波导尺寸、在所述3dB电桥宽边方向加载三阶以上的阻抗匹配，并在所述3dB电桥腔体内部引入单脊波导的传输模式、在所述差相位段的腔体内，所述铁氧体基片上下非对称设置、在所述铁氧体基片表面涂覆一层非金属材料工艺，解决了超宽带高功率器件的宽带设计技术和星用器件的高微放电阈值问题，能够满足30%以上的相对带宽以及15kW量级的微放电功率需求，为后续高功率器件国产化替代提供技术支撑，具有较大的经济和军事效应。
-
公开(公告)号：CN114374066B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210051898.X
申请日：2022-01-18
IPC分类号： H01P1/38
摘要： 本发明公开了一种超宽带高功率星用环行器，属于微波元器件领域，本发明本发明通过在波导窄边方向设置至少两阶匹配台阶，并在所述腔体内部采用至少两层匹配调谐圆台、在所述差相位段采用非标准矩形波导尺寸、在所述3dB电桥宽边方向加载三阶以上的阻抗匹配，并在所述3dB电桥腔体内部引入单脊波导的传输模式、在所述差相位段的腔体内，所述铁氧体基片上下非对称设置、在所述铁氧体基片表面涂覆一层非金属材料工艺，解决了超宽带高功率器件的宽带设计技术和星用器件的高微放电阈值问题，能够满足30%以上的相对带宽以及15kW量级的微放电功率需求，为后续高功率器件国产化替代提供技术支撑，具有较大的经济和军事效应。
-
公开(公告)号：CN115084810B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210856604.0
申请日：2022-07-21
IPC分类号： H01P1/212
摘要： 本发明公开了小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器，属于微波元器件技术领域，包括直波导段（1），在所述直波导段（1）的中间的左右两端对称设置有两个完全尺寸耦合腔（2），在两个所述完全尺寸耦合腔（2）之间设置有数个不完全尺寸耦合腔B（5），所述不完全尺寸耦合腔B（5）的一边与完全尺寸耦合腔（2）平齐；本发明在低通滤波器的基础上，增加了波导宽边尺寸变化的耦合腔，通过耦合腔宽边尺寸变化，在满足对TE10模与TE01模吸收的情况下，有效抑制了波导系统中TE20模的传播，实现波导内高频高阶模谐波的高效抑制，从而能够以较小的尺寸（小至17mm），实现矩形波导系统高频主要模式的抑制，避免干扰或烧毁电子通讯设备。
-
公开(公告)号：CN115084810A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210856604.0
申请日：2022-07-21
IPC分类号： H01P1/212
摘要： 本发明公开了小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器，属于微波元器件技术领域，包括直波导段（1），在所述直波导段（1）的中间的左右两端对称设置有两个完全尺寸耦合腔（2），在两个所述完全尺寸耦合腔（2）之间设置有数个不完全尺寸耦合腔B（5），所述不完全尺寸耦合腔B（5）的一边与完全尺寸耦合腔（2）平齐；本发明在低通滤波器的基础上，增加了波导宽边尺寸变化的耦合腔，通过耦合腔宽边尺寸变化，在满足对TE10模与TE01模吸收的情况下，有效抑制了波导系统中TE20模的传播，实现波导内高频高阶模谐波的高效抑制，从而能够以较小的尺寸（小至17mm），实现矩形波导系统高频主要模式的抑制，避免干扰或烧毁电子通讯设备。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
13 条记录 (耗时 0.052 秒)
