-
公开(公告)号:CN117790614A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202311675041.6
申请日:2023-12-08
申请人: 西南技术物理研究所
IPC分类号: H01L31/107 , H01L31/028 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了一种双波段Ge/Si APD光电探测器,其包括:硅分离吸收区、电荷收集区和倍增区,形成SACM的Si‑APD;还包括Ge材料的SACM‑APD结构;Si SACM‑APD用来探测400nm~1000nm范围的波长,Ge SACM‑APD用来探测900nm~1400nm波长。本发明打破单波段目标探测的局限性,可以对目标同时进行可见光、红外两个波段的搜索,且体积小、价格低、重量轻、功耗小。