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公开(公告)号：CN114744123A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202111580324.3
申请日：2021-12-22
申请人： 西南技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种基于染料钙钛矿的柔性短波红外探测器，基于柔性透明衬底制备；具有透明导电阳极、电子阻挡层、光吸收活性层、电子传输层、空穴阻挡层、阴极修饰层、金属阴极的器件结构；采用ITO和PEDOT:PSS复合透明导电薄膜阳极；采用PS‑TPD‑PFCB等材料作为电子阻挡层；采用基于Cy18F4等短波红外吸收染料与钙钛矿材料制备光吸收活性层；采用P3HT：PCBM等材料混合共掺杂作为电子传输层；采用C60等材料作为空穴阻挡层；采用LiF阴极修饰层和Al金属阴极。本发明采用高短波红外吸收染料钙钛矿，解决现有有机聚合物等光电材料对短波红外波段响应较差的问题，采用电子传输材料混合共掺杂技术，解决有效提升载流子传输效率的问题。
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公开(公告)号：CN117790614A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311675041.6
申请日：2023-12-08
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/028 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种双波段Ge/Si APD光电探测器，其包括：硅分离吸收区、电荷收集区和倍增区，形成SACM的Si‑APD；还包括Ge材料的SACM‑APD结构；Si SACM‑APD用来探测400nm～1000nm范围的波长，Ge SACM‑APD用来探测900nm～1400nm波长。本发明打破单波段目标探测的局限性，可以对目标同时进行可见光、红外两个波段的搜索，且体积小、价格低、重量轻、功耗小。
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公开(公告)号：CN116148953A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211692082.1
申请日：2022-12-28
申请人： 西南技术物理研究所
摘要： 本发明提出一种基于钇钡铜氧光子晶体的偏振分束器及其制备方法。该光子晶体偏振分束器由周期性的钇钡铜氧(YBa2Cu3O7‑x)超导材料圆形晶柱组成，晶格常数为1606.5nm，圆形晶柱半径为510m，一端一路入射光和另一端两路出射光的路径宽度均为1762.5nm。本偏振分束器通过控制晶柱位置移动，实现在中红外波段一端高功率和一端低功率的选通特性。该偏振分束器通过磁控溅射方法在铝酸镧单晶衬底上制备钇钡铜氧薄膜，再通过聚焦离子束方法将钇钡铜氧薄膜加工成由钇钡铜氧圆形晶柱组成的周期性纳米结构，制备工艺简单，易于控制。
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公开(公告)号：CN114864713A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202111619662.3
申请日：2021-12-27
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/036 , H01L31/032 , H01L31/109 , G16C60/00
摘要： 本发明公开了一种具有高吸收系数的二维材料异质结结构，其包括4层，自上而下依次为：单层二维材料I、单层二维材料II、单层二维材料I、单层二维材料II；二维材料I为硒化铂PtSe2，二维材料II为二硫化钼MoS2。本发明还提供一种二维材料异质结结构建模分析方法。本发明通过在PtSe2层间增加MoS2层实现对二维材料PtSe2的能带结构的调控，改善和提高了光电性能，步骤简单、易于操作，能够提高设计效率，在材料及性质研究方面有着明显的优势和应用前景。
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公开(公告)号：CN114864713B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111619662.3
申请日：2021-12-27
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/036 , H01L31/032 , H01L31/109 , G16C60/00
摘要： 本发明公开了一种具有高吸收系数的二维材料异质结结构，其包括4层，自上而下依次为：单层二维材料I、单层二维材料II、单层二维材料I、单层二维材料II；二维材料I为硒化铂PtSe2，二维材料II为二硫化钼MoS2。本发明还提供一种二维材料异质结结构建模分析方法。本发明通过在PtSe2层间增加MoS2层实现对二维材料PtSe2的能带结构的调控，改善和提高了光电性能，步骤简单、易于操作，能够提高设计效率，在材料及性质研究方面有着明显的优势和应用前景。
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公开(公告)号：CN116364728A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211666997.5
申请日：2022-12-22
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/0232 , H01L31/105 , G01S17/88
摘要： 本发明涉及一种与SOI波导集成的阵列平衡探测器，属于光通信有源器件、光互连器件技术领域。本发明提出一种有机键合技术，采用中间媒介(BCB胶)的辅助粘合方式，将InGaAsPIN平衡探测器光敏芯片通过高精度对准工艺倒扣式键合在SOI波导结构上，键合层低于150nm，利用高分子聚合物的热固性或热塑性来达到粘合效果，设置微纳光栅将光信号垂直向上引出SOI波导，进入到平衡探测器中。通过以上措施，完成平衡探测器PIN光敏芯片与干涉光波导结构的高精度光耦合异质集成，实现激光雷达相干探测系统接收模块的芯片化。
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公开(公告)号：CN116169561A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211644627.1
申请日：2022-12-20
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： H01S5/30
摘要： 本发明提出一种高级联度带间级联半导体激光器有源区结构，该有源区结构采用有载流子再平衡设计和短注入区设计。本发明能够进一步提高有源区中的光学限制因子，有源级联区中的光学限制因子相应提高，增加器件的增益；使得电子和空穴的阈值载流子浓度更加对称，降低内部损耗，抑制俄歇复合，降低阈值电流；级联级数的增加使得阈值电流进一步降低，同时由于级联数的增加，激光器的发射功率也因此成倍数的增加；采用本发明有源区结构设计的带间级联半导体激光器，在室温且低阈值电流的条件下能够实现激射波长7.1μm。
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公开(公告)号：CN117890307A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311675182.8
申请日：2023-12-08
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： G01N21/17 , G01N21/01 , H01S5/40 , H01S5/024 , H01S5/02216 , H01S5/02315
摘要： 本发明公开了一种小型化光生光谱传感器，其包括集成在一个圆柱体内的激光器、信号采集系统、TEC驱动电路、激光器驱动电路、光生池、MEMS微音处理芯片；激光器采用单边引线的金属蝶形外壳封装，内部集成半导体制冷器、6个激光器芯片、铜制基片和光学系统；半导体制冷器上布置铜制基片，铜制基片上间隔设置凹槽，凹槽内和相邻凹槽之间的突出台面上布置激光器芯片；蝶形封装的一侧为管脚插针，另一层有出光孔，将带激光器芯片的半导体制冷器贴装到蝶形外壳上，最后将金属盖板采用储能封焊工艺完成封装。本发明解决传感器功耗大、集成度低等技术难题，实现传感器对新能源、煤矿、化工等行业气体化学成分的在线监测与离线检测应用。
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公开(公告)号：CN116093008A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211484790.6
申请日：2022-11-24
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本发明提出一种平面连杆结构芯片夹持装置，包括装置壳体、可更换的夹持头、平面连杆结构、按钮、弹簧和调节螺丝。本装置采用平行四边形的平面连杆结构，能够使得夹持头的夹持部始终处于平行姿态，在接触元器件时的接触区域为面接触，能够降低接触压力；元器件的夹持力度只受弹簧张紧程度的影响，夹持力度稳定，不会因为使用人熟练度差而损坏芯片；通过调节螺丝改变弹簧的张紧程度，能够改变夹持头的夹持力度；可以根据不同元器件尺寸，更换不同结构的夹持头，具有结构紧凑、可靠、元器件规格适应性强等特点。
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公开(公告)号：CN114551630A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111619663.8
申请日：2021-12-27
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/0352
摘要： 本发明公开了一种基于表面等离子体激元的铟镓砷雪崩光电探测器，包括包括InP衬底和由下至上依次形成在InP衬底上的第一InP过渡层、第一InP接触层、InP倍增层、InP电荷层、nGaAsP能带过渡层、InGaAs光吸收层、第二InP过渡层、第二InP接触层，第二InP接触层上形成正电极和金属二维孔阵列结构，第一InP接触层上形成负电极。本发明金属二维孔阵列结构可以使得表面等离子体激元与入射光耦合，增强光吸收，由于表面等离子体激元的局域性在亚波长范围，因此设计铟镓砷雪崩光电探测器的结构时接触层和吸收区要薄，使得耦合光可以局域在吸收区附近，从而增强光吸收。
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