-
公开(公告)号：CN117871595A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311683740.5
申请日：2023-12-10
申请人： 西南技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种固体材料热膨胀系数测试装置，其包括激光器、分光镜、真空室、法布里‑玻罗干涉腔、待测样品、热电偶、探测器；法布里‑玻罗干涉腔布置在真空室内，待测样品放置在法布里‑玻罗干涉腔内，热电偶固定在待测样品侧面；激光器出光侧布置分光镜，分光镜的出射光射向法布里‑玻罗干涉腔，经由法布里‑玻罗干涉腔的反射光进一步经分光镜反射，由布置在分光镜一侧的探测器接收。本发明的干涉光程差仅与试样长度有关，无零漂效应，具有结构简单，可靠性高，测试精度高的突出优势。
-
公开(公告)号：CN113818079A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110901333.1
申请日：2021-08-06
申请人： 西南技术物理研究所
摘要： 本发明属于单晶生长领域，公开了一种Ho：BYF单晶生长用气氛系统，结构为：液氮源连接液氮气化装置，高纯氧源和液氮气化装置连接气体混合装置进气口；液氮源中的液氮经液氮气化装置气化后通入气体混合装置，高纯氧源中的高纯氧通入气体混合装置，气体混合装置中的气体通入单晶炉形成流动气氛，单晶炉内产生的氮元素的氧化物气体通入尾气处理装置进行处理后排入大气。本发明采用流动气氛生长系统，能够利用炉内气体的流动调节生长界面附近的热量传输，优化温场，带走挥发性杂质，进而提高晶体生长质量；该系统不需要非常高的真空度，可利用流动气体将空气排出系统，形成气氛保护，能够解决晶体在中低温段冷却缓慢等缺点。
-
公开(公告)号：CN112813391B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202011562378.2
申请日：2020-12-25
申请人： 西南技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种超宽波段红外长波通截止滤光膜制备方法，技术方案为：(1)以红外材料硅(Si)为基底，设计膜系公式；计算每层膜的物理厚度值；(2)清洁被镀基底；(3)加温烘烤基底；(4)用离子源在镀膜前和镀膜过程中轰击基底；(5)将ZnS膜料放入旋转阻蒸蒸发源中，将Si、Ge和YbF3三种膜料放入旋转电子枪蒸发源坩锅中，根据上述(1)的公式顺序和厚度值用光学真空镀膜机完成镀膜；(6)退火处理。本发明解决了在红外材料Si基底上镀制超宽波段长波通截止滤光片的工艺难题。
-
公开(公告)号：CN104562183B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201410845260.9
申请日：2014-12-31
申请人： 西南技术物理研究所
摘要： 本发明提供的一种大尺寸稀土掺杂氟化钇钡晶体生长方法，在加热炉内，按质量百分比将{xReF3+（1‑x）YF3}:BaF2=2：1,x=0～100%多晶料置于坩埚中，抽真空，向加热炉内先后通入氩气；用控温仪控制加热功率使之熔化，坩埚内液面与炉内气体流动进行热交换形成轴向温度差，坩埚壁与坩埚中心形成径向温度差，引起熔体的自然对流；再用铂金夹头将BaY2F8籽晶固定于籽晶杆，下降籽晶与熔体接触进行氟化物晶体生长；当氟化物晶体生长到设定尺寸时，开始退火，以20°C/小时的降温速率降温至室温，通过调节转速和加热功率，直至晶体生长结束与熔体脱离，在坩埚内退火，获得大尺寸氟化物晶体。本发明解决了氟化物熔体流动性能差造成晶体生长困难、晶体中气泡多等生长不利因素。
-
公开(公告)号：CN118010314A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311683739.2
申请日：2023-12-10
申请人： 西南技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种调Q开关的晶体预配对方法，调Q开关的两块晶体正交放置，两块晶体相并联的电极之间的Z面异号；预配对方法包括以下步骤：S1、测试并标记出所有晶体的+Z方向；S2、统一将晶体+Z面朝上放置，并用箭头标明透光方向，测试光程差分布情况；S3、根据每块晶体的光程差分布情况进行预配对。本发明使晶体组合对的选择更加有针对性，可大大提高配对效率和成功率。
-
公开(公告)号：CN117699811A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311683743.9
申请日：2023-12-10
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： C01B33/22
摘要： 本发明公开了一种镁橄榄石多晶料的合成方法，采用富镁高温等静压固相合成和烧结工艺制备镁橄榄石多晶料，包括以下过程：S1.取氧化镁细粉原料煅烧，以排除CO2和水分，将二氧化硅微粉烘干；S2.将氧化镁细粉与二氧化硅微粉混合，在聚氨酯混料筒中混料，料混合均匀后将其放入搅拌锅中，加水搅拌均匀，得到原料混合物；然后使用乙醇作为介质，研磨原料混合物；S3.将研磨后的湿浆料烘干、过筛，并在空气中于高温下煅烧。然后将所得产物研磨，再烘干，再过筛得到镁橄榄石粉末。本发明通过采用富镁高温等静压固相法的方式，使制备的镁橄榄石多晶料纯度得以提高达到5N级。
-
公开(公告)号：CN116148182A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211676381.6
申请日：2022-12-26
申请人： 西南技术物理研究所
摘要： 本发明涉及一种光程差分布测试装置与方法，属于光学测量技术领域。本发明提供的光程差分布测试方法可获得材料整个通光区域的光程差分布信息，可应用于：波片相位延迟分布及其均匀性测量，RTP、KTP晶体光程差分布测量，用于指导晶体的精确配对，可适用于铌酸锂、KDP、玻璃等各向同性或特定方向各向同性材料，测量其应力双折射分布情况。
-
公开(公告)号：CN112813391A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011562378.2
申请日：2020-12-25
申请人： 西南技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种超宽波段红外长波通截止滤光膜制备方法，技术方案为：(1)以红外材料硅(Si)为基底，设计膜系公式；计算每层膜的物理厚度值；(2)清洁被镀基底；(3)加温烘烤基底；(4)用离子源在镀膜前和镀膜过程中轰击基底；(5)将ZnS膜料放入旋转阻蒸蒸发源中，将Si、Ge和YbF3三种膜料放入旋转电子枪蒸发源坩锅中，根据上述(1)的公式顺序和厚度值用光学真空镀膜机完成镀膜；(6)退火处理。本发明解决了在红外材料Si基底上镀制超宽波段长波通截止滤光片的工艺难题。
-
公开(公告)号：CN104562183A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410845260.9
申请日：2014-12-31
申请人： 西南技术物理研究所
摘要： 本发明提供的一种大尺寸稀土掺杂氟化钇钡晶体生长方法，在加热炉内，按质量百分比将{xReF3+（1-x）YF3}:BaF2=2：1,x=0～100%多晶料置于坩埚中，抽真空，向加热炉内先后通入氩气；用控温仪控制加热功率使之熔化，坩埚内液面与炉内气体流动进行热交换形成轴向温度差，坩埚壁与坩埚中心形成径向温度差，引起熔体的自然对流；再用铂金夹头将BaY2F8籽晶固定于籽晶杆，下降籽晶与熔体接触进行氟化物晶体生长；当氟化物晶体生长到设定尺寸时，开始退火，以20°C/小时的降温速率降温至室温，通过调节转速和加热功率，直至晶体生长结束与熔体脱离，在坩埚内退火，获得大尺寸氟化物晶体。本发明解决了氟化物熔体流动性能差造成晶体生长困难、晶体中气泡多等生长不利因素。
-
公开(公告)号：CN118186584A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311683738.8
申请日：2023-12-10
申请人： 西南技术物理研究所
摘要： 本发明属于光电子材料技术领域，公开了一种掺杂镱钙铌镓石榴石晶体，其分子式为Yb：Ca3Nb1.665～1.710Ga3.150～3.22O12，为石榴石型结构，属于立方晶系，晶格常数#imgabs0#晶胞体积为#imgabs1#本发明Yb：CNGG晶体生长温度较低，可用铂金或者铱金坩埚在空气中直接生长，简化了长晶步骤；并且熔体温度波动较小，熔体中的Ga2O3挥发较少，再加上Ga2O3过量加入1～2mol％，Yb2O3在晶体头、中、尾部的浓度几乎无变化，生长过程组分偏析小，结构缺陷少，结构完整，晶体质量提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
12 条记录 (耗时 0.028 秒)
