公开(公告)号：CN113391246A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110654173.5

申请日：2021-06-11

Applicant: 西南科技大学

Inventor： 任万春 ,  陈锶 ,  李君儒 ,  董红梅 ,  甘秀秀 ,  高杨

IPC: G01R33/032 ,  G01R33/02

Abstract: 本发明公开了一种提高体声波驱动的微异质结磁传感器性能的方法，包括构建基于不同层数的微异质结的体声波激励微磁传感器模型，采用稳态求解和小信号频域求解方法分别测量基于不同层数的微异质结的体声波激励微磁传感器模型在施加直流偏置磁场和交变激励磁场扰动条件下的输出电压，计算不同层数的微异质结的体声波激励微磁传感器模型的磁电耦合系数和线性度，确定最优的直流偏置磁场和交变激励磁场扰动条件进行传感器的优化设计。本发明通过调节传感器的层数和优化偏置磁场条件，可提高共振频率下的输出电压，进而提高ME异质结构的磁电转换效率，最终实现高灵敏度的磁传感器设计。

公开(公告)号：CN113391246B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202110654173.5

申请日：2021-06-11

Applicant: 西南科技大学

Inventor： 任万春 ,  陈锶 ,  李君儒 ,  董红梅 ,  甘秀秀 ,  高杨

IPC: G01R33/032 ,  G01R33/02

Abstract: 本发明公开了一种提高体声波驱动的微异质结磁传感器性能的方法，包括构建基于不同层数的微异质结的体声波激励微磁传感器模型，采用稳态求解和小信号频域求解方法分别测量基于不同层数的微异质结的体声波激励微磁传感器模型在施加直流偏置磁场和交变激励磁场扰动条件下的输出电压，计算不同层数的微异质结的体声波激励微磁传感器模型的磁电耦合系数和线性度，确定最优的直流偏置磁场和交变激励磁场扰动条件进行传感器的优化设计。本发明通过调节传感器的层数和优化偏置磁场条件，可提高共振频率下的输出电压，进而提高ME异质结构的磁电转换效率，最终实现高灵敏度的磁传感器设计。