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公开(公告)号：CN115372249A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210778236.2
申请日：2022-06-29
申请人： 西南科技大学
IPC分类号： G01N19/08
摘要： 本申请实施例公开了一种导电纳米聚合物薄膜内部损伤检测单元及装置，可有效提高损伤分辨率和检测效率。本申请包括：压电片、多个电极对、FPC排线接口；所述导电纳米聚合物薄膜内部损伤检测单元贴装在待测导电纳米聚合物的表面；当检测待测导电纳米聚合物时，向所述压电片施放电压激励信号，以使得所述压电片发生机械振动，产生板波信号；所述多个电极对分别接收携带损伤信息的所述板波信号；通过所述FPC排线接口完成对信号的施放与接收。
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公开(公告)号：CN113391246A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110654173.5
申请日：2021-06-11
申请人： 西南科技大学
IPC分类号： G01R33/032 , G01R33/02
摘要： 本发明公开了一种提高体声波驱动的微异质结磁传感器性能的方法，包括构建基于不同层数的微异质结的体声波激励微磁传感器模型，采用稳态求解和小信号频域求解方法分别测量基于不同层数的微异质结的体声波激励微磁传感器模型在施加直流偏置磁场和交变激励磁场扰动条件下的输出电压，计算不同层数的微异质结的体声波激励微磁传感器模型的磁电耦合系数和线性度，确定最优的直流偏置磁场和交变激励磁场扰动条件进行传感器的优化设计。本发明通过调节传感器的层数和优化偏置磁场条件，可提高共振频率下的输出电压，进而提高ME异质结构的磁电转换效率，最终实现高灵敏度的磁传感器设计。
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公开(公告)号：CN114928346A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210562949.5
申请日：2022-05-23
申请人： 西南科技大学
IPC分类号： H03H9/02
摘要： 本申请公开了一种氮化铝基异质声学层的SAW谐振器，用于提高谐振器性能。本申请谐振器包括：异质声学层HAL结构、输入叉指换能器IDT、输出IDT、第一声子晶体及若干个第二声子晶体；HAL结构包括压电层和复合基底，压电层的压电材料为掺钪氮化铝材料；输入IDT和输出IDT分别设置在压电层上；第一声子晶体嵌入到压电层中，且位于输入IDT和输出IDT之间，用于通过第一声子晶体构造缺陷带，使得输入IDT的声波通过缺陷带传播到输出IDT；输入IDT包括输入汇流条，输出IDT包括输出汇流条；若干个第二声子晶体分别嵌入到压电层中，且分别位于输入汇流条两端以及输出汇流条两端，用于通过第二声子晶体反射声波。
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公开(公告)号：CN101017989B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200710048553.4
申请日：2007-02-28
申请人： 西南科技大学
IPC分类号： H02J15/00 , H02N2/18 , G08C17/02 , H02M3/06 , H01L41/113
摘要： 本发明涉及一种用于状态监控的基于压电振动发电的自供电微型无线传感网络节点，主要由压电振动电源(1)、微控制器(4)、RF发送装置(3)和传感器(5)组成。压电振动电源(1)又包括为长期存储电容(10)、DC/DC转换器(9)、稳压管(8)、倍压器(7)和压电换能器(6)。压电振动电源(1)将机械能转化为电能，形成电源，供节点工作。微控制器(4)通过控制开关(6)来控制长期存储电容(10)对RF发送装置(3)的供电。微控制器(4)从传感器(5)中的到数据进行处理，将处理后数据和控制信息送到RF发送装置(3)中发送出去。本节点采用低功耗嵌入式软硬件设计技术、超低功耗短时突发式无线发射技术、系统级能量优化技术以及预测和数据压缩技术，使节点功耗最小化。
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公开(公告)号：CN101017989A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710048553.4
申请日：2007-02-28
申请人： 西南科技大学
IPC分类号： H02J15/00 , H02N2/18 , G08C17/02 , H02M3/06 , H01L41/113
摘要： 本发明涉及一种用于状态监控的基于压电振动发电的自供电微型无线传感网络节点，主要由压电振动电源1、微控制器4、RF发送装置3和传感器5组成。压电振动电源1又包括为长期存储电容10、DC/DC转换器9、稳压管8、倍压器7和压电换能器6。压电振动电源1将机械能转化为电能，形成电源，供节点工作。微控制器4通过控制开关6来控制长期存储电容10对RF发送装置3的供电。微控制器4从传感器5中的到数据进行处理，将处理后数据和控制信息送到RF发送装置3中发送出去。本节点采用低功耗嵌入式软硬件设计技术、超低功耗短时突发式无线发射技术、系统级能量优化技术以及预测和数据压缩技术，使节点功耗最小化。
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公开(公告)号：CN1564404A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410022310.X
申请日：2004-04-13
申请人： 西南科技大学
摘要： 本发明涉及一种硅单片微通道冷却的大功率激光二极管列阵，主要由LD条7、热沉15、微透镜4和透镜架16组成。热沉15又包括键合的硅基板散热片2、玻璃分水板9和硅分水板10。散热片2的正面刻蚀有V形槽3，背面刻蚀有与V形槽3交错布置的倒V形槽微通道1；玻璃分水板9上开有进水槽12和出水槽13；硅分水板10上开有冷却水入口11和冷却水出口14；微通道1，进水槽12，出水槽13，冷却水入口11和冷却水出口14构成热沉15的冷却回路。透镜架16安装在热沉15上，V形槽3中都安装有微透镜4；V形槽3的两侧面蒸镀有金属层5，底部开有绝缘槽8；LD条7一面焊接有铜片6，另一面焊接到金属层5一侧上，铜片6的尾部焊接到V形槽3另一侧金属层5上。
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公开(公告)号：CN115276628A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210927993.1
申请日：2022-08-03
申请人： 西南科技大学
IPC分类号： H03K17/14 , H03K17/16 , H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种提高通道隔离度的模拟开关，涉及开关电路领域。本发明包括N个端口和N个T型开关，其中，第一T型开关的一端与第一端口模拟信号输入端连接；第一T型开关的另一端与模数转换器连接；第N个T型开关的一端与第N端口模拟信号输入端连接；所述第N个T型开关的另一端与模数转换器连接。本发明通过采用互补T型NMOS与T型PMOS管并联传输，从而使信号可以获得全幅度的传输，没有电平的损失，也降低了导通电阻。
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公开(公告)号：CN113391246B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110654173.5
申请日：2021-06-11
申请人： 西南科技大学
IPC分类号： G01R33/032 , G01R33/02
摘要： 本发明公开了一种提高体声波驱动的微异质结磁传感器性能的方法，包括构建基于不同层数的微异质结的体声波激励微磁传感器模型，采用稳态求解和小信号频域求解方法分别测量基于不同层数的微异质结的体声波激励微磁传感器模型在施加直流偏置磁场和交变激励磁场扰动条件下的输出电压，计算不同层数的微异质结的体声波激励微磁传感器模型的磁电耦合系数和线性度，确定最优的直流偏置磁场和交变激励磁场扰动条件进行传感器的优化设计。本发明通过调节传感器的层数和优化偏置磁场条件，可提高共振频率下的输出电压，进而提高ME异质结构的磁电转换效率，最终实现高灵敏度的磁传感器设计。
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公开(公告)号：CN114462281A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210111158.0
申请日：2022-01-27
申请人： 西南科技大学
IPC分类号： G06F30/23 , G16C60/00 , G16C10/00 , G01R33/02 , G06F111/06 , G06F113/26 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了一种基于磁电耦合的体声波磁场传感器及其优化方法，其结构包括磁性复合薄膜和体声波谐振器；磁性复合薄膜包括FeGaB磁致伸缩薄膜以及插入在FeGaB磁致伸缩薄膜中的Al2O3薄膜；体声波谐振器包括依次设置的Mo电极薄膜、AIN压电薄膜和硅基底。本发明设计的体声波磁场传感器采用了复合磁膜薄膜，抑制了涡流损耗并增强了软磁特性；同时采用压磁相/压电相双层结构设计，提高了磁电(ME)耦合效率；利用谐振增强ME耦合效应，通过设计压电相/压磁相、电极层的厚度，使传感器工作在复合薄膜的铁磁谐振频率，进一步提高了能量转化效率。由此得到体声波磁电耦合磁场传感器的性能优化方法。
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公开(公告)号：CN108448217A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810169789.1
申请日：2018-03-01
申请人： 西南科技大学
IPC分类号： H01P3/08 , H01P1/203 , H01P5/18 , H01P7/08 , H01P5/16 , H01P1/387 , H01Q13/10 , H01P11/00 , H01L23/66
摘要： 本发明公开了Ti/Ni/Ag材料体系打孔与不打孔的射频微带结构及其制作方法，打孔的由通孔、W覆盖层、钝化层、正面Ti/Ni/Ag金属叠层、Si衬底、背面金属叠层构成。不打孔的由钝化层、正面Ti/Ni/Ag金属叠层、Si衬底、背面金属叠层构成。其中，正面Ti/Ni/Ag金属叠层具有图形化；Si衬底为高阻Si。本发明的射频微带结构可以避免正面金属为Au时对IC工艺线的污染问题以及正面金属为Cu时带来的工艺过程复杂问题，满足了制造过程与IC工艺的兼容。同时在该材料体系中引入比Au和Cu具有更低电阻率的Ag，使射频微带结构具有更小的传输损耗。此外，加入钝化层可以有效防止Ag的电迁移。最后，打孔结构的打孔工艺不完全将衬底打穿，避免了在后面IC工艺中衬底吸附漏真空的问题。
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