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公开(公告)号：CN113008400A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110212783.X
申请日：2021-02-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种三维阵列式多节点薄膜热电偶、其制备方法及封装结构，第一个纯铜薄膜区的一侧位于第一直槽内，第二个纯铜薄膜区的一侧位于第二直槽内，第三个纯铜薄膜区的一侧位于第三直槽内，康铜薄膜区的一侧位于第四直槽内，第一个纯铜薄膜区的另一侧、第二个纯铜薄膜区的另一侧、第三个纯铜薄膜区的另一侧及康铜薄膜区的另一侧均位于柱状基底的前端面上，且在柱状基底的前端面上，康铜薄膜区分别与第一个纯铜薄膜区、第二个纯铜薄膜区及第三个纯铜薄膜区重叠，以形成三个热节点，该热电偶能够实现变温流场下的瞬时温度测量，具有较高的空间分辨率及测量精度。
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公开(公告)号：CN109781288B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910161572.0
申请日：2019-03-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 本发明公开了一种用于检测激光光斑温度场分布的温度传感器及其制备方法，包括绝缘高温层基底，所述绝缘高温层基底表面分为敏感区域及非敏感区域，所述敏感区域上设置有自下到上依次分布的正极热电偶薄膜阵列及负极热电偶薄膜阵列，其中，正极热电偶薄膜阵列中的一块正极热电偶薄膜对应负极热电偶薄膜阵列中的一块负极热电偶薄膜，且各负极热电偶薄膜覆盖于对应正极热电偶薄膜上，正极热电偶薄膜的上表面以及敏感区域上没有覆盖正极热电偶薄膜阵列的区域均覆盖有保护层；各负极热电偶薄膜及各正极热电偶薄膜均连接有冷端，其中，各冷端均位于非敏感区域内，该温度传感器具有多测温点及体积小的特点。
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公开(公告)号：CN109781288A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910161572.0
申请日：2019-03-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 本发明公开了一种用于检测激光光斑温度场分布的温度传感器及其制备方法，包括绝缘高温层基底，所述绝缘高温层基底表面分为敏感区域及非敏感区域，所述敏感区域上设置有自下到上依次分布的正极热电偶薄膜阵列及负极热电偶薄膜阵列，其中，正极热电偶薄膜阵列中的一块正极热电偶薄膜对应负极热电偶薄膜阵列中的一块负极热电偶薄膜，且各负极热电偶薄膜覆盖于对应正极热电偶薄膜上，正极热电偶薄膜的上表面以及敏感区域上没有覆盖正极热电偶薄膜阵列的区域均覆盖有保护层；各负极热电偶薄膜及各正极热电偶薄膜均连接有冷端，其中，各冷端均位于非敏感区域内，该温度传感器具有多测温点及体积小的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111141401B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201911277009.6
申请日：2019-12-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种探针式薄膜热电偶及其制备方法，包括柱状基底、钨铼26薄膜区及氧化铟薄膜区，柱状基底的侧面开设有第一直槽及第二直槽，其中，钨铼26薄膜区分布于柱状基底的前端面上及第一直槽内，氧化铟薄膜区分布于柱状基底的前端面及第二直槽内，且位于柱状基底前端面的氧化铟薄膜区与钨铼26薄膜区相连接，第一金属引线与钨铼26薄膜区相连接，第二金属引线与氧化铟薄膜区相连接，该热电偶能够实现高温流场环境下的温度测量，且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN111076836B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201911288910.3
申请日：2019-12-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种金属‑氧化物型薄膜热电偶及其制备方法，包括基底以及位于基底上的钨铼26薄膜区及氧化铟薄膜区，其中，钨铼26薄膜区与氧化铟薄膜区相接触，该热电偶具有耐高温及高热电输出能力的特点，且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN111141401A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911277009.6
申请日：2019-12-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种探针式薄膜热电偶及其制备方法，包括柱状基底、钨铼26薄膜区及氧化铟薄膜区，柱状基底的侧面开设有第一直槽及第二直槽，其中，钨铼26薄膜区分布于柱状基底的前端面上及第一直槽内，氧化铟薄膜区分布于柱状基底的前端面及第二直槽内，且位于柱状基底前端面的氧化铟薄膜区与钨铼26薄膜区相连接，第一金属引线与钨铼26薄膜区相连接，第二金属引线与氧化铟薄膜区相连接，该热电偶能够实现高温流场环境下的温度测量，且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN113008400B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110212783.X
申请日：2021-02-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种三维阵列式多节点薄膜热电偶、其制备方法及封装结构，第一个纯铜薄膜区的一侧位于第一直槽内，第二个纯铜薄膜区的一侧位于第二直槽内，第三个纯铜薄膜区的一侧位于第三直槽内，康铜薄膜区的一侧位于第四直槽内，第一个纯铜薄膜区的另一侧、第二个纯铜薄膜区的另一侧、第三个纯铜薄膜区的另一侧及康铜薄膜区的另一侧均位于柱状基底的前端面上，且在柱状基底的前端面上，康铜薄膜区分别与第一个纯铜薄膜区、第二个纯铜薄膜区及第三个纯铜薄膜区重叠，以形成三个热节点，该热电偶能够实现变温流场下的瞬时温度测量，具有较高的空间分辨率及测量精度。
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公开(公告)号：CN111076836A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911288910.3
申请日：2019-12-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种金属-氧化物型薄膜热电偶及其制备方法，包括基底以及位于基底上的钨铼26薄膜区及氧化铟薄膜区，其中，钨铼26薄膜区与氧化铟薄膜区相接触，该热电偶具有耐高温及高热电输出能力的特点，且制备方法简单。
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