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公开(公告)号：CN111076836A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911288910.3
申请日：2019-12-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种金属-氧化物型薄膜热电偶及其制备方法，包括基底以及位于基底上的钨铼26薄膜区及氧化铟薄膜区，其中，钨铼26薄膜区与氧化铟薄膜区相接触，该热电偶具有耐高温及高热电输出能力的特点，且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN111141401B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201911277009.6
申请日：2019-12-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种探针式薄膜热电偶及其制备方法，包括柱状基底、钨铼26薄膜区及氧化铟薄膜区，柱状基底的侧面开设有第一直槽及第二直槽，其中，钨铼26薄膜区分布于柱状基底的前端面上及第一直槽内，氧化铟薄膜区分布于柱状基底的前端面及第二直槽内，且位于柱状基底前端面的氧化铟薄膜区与钨铼26薄膜区相连接，第一金属引线与钨铼26薄膜区相连接，第二金属引线与氧化铟薄膜区相连接，该热电偶能够实现高温流场环境下的温度测量，且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN111076836B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201911288910.3
申请日：2019-12-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种金属‑氧化物型薄膜热电偶及其制备方法，包括基底以及位于基底上的钨铼26薄膜区及氧化铟薄膜区，其中，钨铼26薄膜区与氧化铟薄膜区相接触，该热电偶具有耐高温及高热电输出能力的特点，且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN111141401A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911277009.6
申请日：2019-12-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种探针式薄膜热电偶及其制备方法，包括柱状基底、钨铼26薄膜区及氧化铟薄膜区，柱状基底的侧面开设有第一直槽及第二直槽，其中，钨铼26薄膜区分布于柱状基底的前端面上及第一直槽内，氧化铟薄膜区分布于柱状基底的前端面及第二直槽内，且位于柱状基底前端面的氧化铟薄膜区与钨铼26薄膜区相连接，第一金属引线与钨铼26薄膜区相连接，第二金属引线与氧化铟薄膜区相连接，该热电偶能够实现高温流场环境下的温度测量，且制备方法简单。
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